semiconductor meltとは 意味・読み方・使い方

Further, a laser beam is irradiated to the single-crystal semiconductor layer of the semiconductor substrate so as to melt for recrystallization.例文帳に追加

さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 - 特許庁

In addition, the semiconductor single crystal is lifted and grown by applying a magnetic field to the melt while cooling the semiconductor single crystal by a cooler arranged around the semiconductor single crystal that is lifting from the melt.例文帳に追加

また、融液に磁場を印加すると共に、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ半導体単結晶を引き上げ成長させる。 - 特許庁

A semiconductor wafer-retaining protective hot-melt sheet is a sheet for retaining and protecting semiconductor wafers which is heated and applied to the surface of a semiconductor wafer in processing semiconductor wafers and has at least a hot-melt layer 1 having a melting point of not higher than 105°C.例文帳に追加

半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシートは、半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に加熱して貼り付けて半導体ウエハを保持保護するためのシートであって、融点１０５℃以下のホットメルト層Ａを少なくとも有している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor ingot by solidifying a semiconductor melt 9 containing a first dopant material regulating a first conduction type in the prescribed direction within a casting mold, the liquid surface of the semiconductor melt 9 in the solidification process is measured and the semiconductor raw material having the first dopant concentration lower than that of the semiconductor melt is supplied into the semiconductor melt according to the measured value.例文帳に追加

第一導電型を規定する第一ドーパント材を含有する半導体融液９を、鋳型内で所定方向に凝固させてなる半導体インゴットの製造方法において、前記凝固過程における前記半導体融液９の液面を測定し、該測定値に応じて前記半導体融液の第一ドーパント濃度よりも第一ドーパント濃度が低い半導体原料を、前記半導体融液中に供給することとする。 - 特許庁

The hot melt etching resist is then stripped from the semiconductor using an alkaline stripper which does not compromise the electrical integrity of the semiconductor.例文帳に追加

このホットメルトエッチングレジストは次いで、半導体の電気的一体性を悪化させないアルカリ剥離剤を用いて半導体から剥離される。 - 特許庁

The method for producing a Group III nitride-based compound semiconductor by the flux process includes: preparing a melt by melting at least a Group III element by use of a flux; supplying a nitrogen-containing gas to the melt; and growing a semiconductor crystal consisting of a Group III nitride-based compound semiconductor on a seed crystal from the melt.例文帳に追加

少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。 - 特許庁

Carbon and germanium are dissolved in the melt, and germanium is incorporated as a donor into the semiconductor crystal, to thereby produce an n-type semiconductor crystal.例文帳に追加

炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。 - 特許庁

To improve reliability in a high melt-point metal diffusion prevention film at a first region where no high melt-point metal silicides are formed, and to improve reliability by preventing the diffusion of a high melt-point metal reliably in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第１の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。 - 特許庁