「化合物半導体製造装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

スイッチ回路装置および化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

SWITCHING CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

有機ハロゲン化合物ガスの除害方法、有機ハロゲン化合物ガスの除害装置、半導体装置の製造システム及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR DETOXIFYING ORGANOHALIDE GAS AND SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

低い接触電位のオーミック電極を有する化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for manufacturing a compound semiconductor device which has an ohmic electrode of a low contact potential. - 特許庁

半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法、半導体装置および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL PICK-UP, OPTICAL DISC DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR GROWING NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR GROWING NITRIDE SYSTEM GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置とその製造方法例文帳に追加

NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SYSTEM III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化物系化合物半導体レーザ装置およびその製造方法例文帳に追加

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶製造装置例文帳に追加

APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

保護ダイオード及びその製造方法、並びに化合物半導体装置例文帳に追加

PROTECTION DIODE, ITS MANUFACTURING METHOD AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

III-V NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND CRYSTAL GROWTH SYSTEM - 特許庁

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

RECESS OXIDATION TYPE FIELD EFFECT COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

化合物半導体スイッチ回路装置およびその製造方法例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR SWITCH CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

化合物半導体単結晶を製造するための方法と装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL - 特許庁

保護素子及びその製造方法、並びに化合物半導体装置例文帳に追加

PROTECTIVE ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

エッチング方法及び化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

ETCHING METHOD AND, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ボート法化合物半導体単結晶製造方法及びその装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR BY BOAT METHOD - 特許庁

Ｈｇ系ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HG-BASED II-VI GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

化合物半導体素子の製造方法及びウェハ接着装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAFER-BONDING UNIT - 特許庁

電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

FIELD EFFECT TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

化合物半導体の製造方法および気相成長装置例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE - 特許庁

モニターＦＥＴおよびそれを用いた化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

MONITOR FET AND PROCESS FOR FABRICATING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

化合物電界効果半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

COMPOUND FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材例文帳に追加

HEAT-RESISTANT AND WEAR-RESISTANT MEMBER FOR 3-5 GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS - 特許庁

バイアホール形成方法および化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING VIA HOLE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体装置とその製造方法、及び高周波モジュール例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND HIGH-FREQUENCY MODULE - 特許庁

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and methods for fabricating a compound nitride semiconductor structure. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

固体除去装置及びそれを利用した化合物半導体の製造方法例文帳に追加

SOLID FILTER AND COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD USING SAME - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体発光装置およびその製造方法例文帳に追加

GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

半導体ウェーハの剥離方法、半導体ウェーハの剥離装置及び化合物半導体チップの製造方法例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR PEELING SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置並びに赤外線発光素子及び赤外線受光素子例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR, INFRARED LIGHT EMITTING ELEMENT, AND INFRARED LIGHT RECEIVING ELEMENT - 特許庁

化合物半導体エピタキシャルウエーハの製造方法、化合物半導体エピタキシャルウエーハの製造装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER - 特許庁

Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法、Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置例文帳に追加

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR Al-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING Al-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

特性の良い半導体装置を得るために有効な、キャリア濃度が高く、かつ低抵抗なｎ型ＺｎＴｅ系化合物半導体を製造する方法および該製造方法により製造されるＺｎＴｅ系化合物半導体並びに該ＺｎＴｅ系化合物半導体を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing n-type ZnTe-based compound semiconductor having high carrier concentration and low resistance effective for obtaining a semiconductor with proper characteristics, a ZnTe-based compound semiconductor manufactured according to the method for manufacturing and a semiconductor device using the ZnTe-based compound semiconductor. - 特許庁

特性の良い半導体装置を得るために有効な、キャリア濃度が高く、かつ低抵抗なｎ型ＺｎＴｅ系化合物半導体を製造する方法および該製造方法により製造されるＺｎＴｅ系化合物半導体並びに該ＺｎＴｅ系化合物半導体を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a n-type ZnTe-based compound semiconductor having high carrier concentration and low resistance, by which a semiconductor device having superior characteristic can be obtained effectively, ZnTe-based compound semiconductor to be manufacture by using the method, and a semiconductor device using the ZnTe-based compound semiconductor. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置とその製造方法に関し、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using III-V compound semiconductor and a manufacturing method. - 特許庁

化合物半導体装置およびその製造方法、ならびにその化合物半導体装置を備えた光ディスク装置例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND OPTICAL DISK APPARATUS EQUIPPED WITH THIS COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

化合物半導体装置、化合物半導体装置の製造方法、光伝送システム、および、光ディスク装置例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR THE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT TRANSMITTING SYSTEM, AND OPTICAL DISK EQUIPMENT - 特許庁

化合物半導体装置、化合物半導体装置の製造方法、光伝送モジュール、および、光ディスク装置例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS FABRICATION PROCESS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL DISC DRIVE - 特許庁

通常の半導体装置の製造装置のみで、小型、薄型の半導体装置、特にＧａＡｓ等の化合物半導体装置に適用することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device applicable to a miniature thin semiconductor device, particularly to a compound semiconductor device of GaAs or the like. - 特許庁