「"化合物半導体製造装置"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法例文帳に追加

APPARATUS FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND JIG FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置、化合物半導体製造用治具例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND TOOL FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

原料ガス効率と単結晶膜の結晶性を向上し得る化合物半導体製造装置の提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor manufacturing apparatus capable of enhancing material gas efficiency and crystallinity of a single crystal film. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体製造用添加ガス、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体製造装置例文帳に追加

ADDITIVE GAS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

基板全面に半導体結晶をエピタキシャル成長させることが可能で、かつサセプタへの基板のセット作業が容易な化合物半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor, capable of epitaxially growing a semiconductor crystal over the whole surface of a substrate and facilitating the work to set wafers in a susceptor. - 特許庁

複数の基板に同時に気相成長させる化合物半導体を、それが極薄膜であっても、膜厚を均一化できる化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing compound semiconductor for uniforming the film thickness of a compound semiconductor that is subjected to vapor phase deposition simultaneously on a plurality of substrates, even if the film thickness is extremely thin, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

複数の基板間での膜厚および混晶比の均一性が高く、基板面内での混晶比の経時変化も少ない化合物半導体を形成できる化合物半導体製造装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor manufacturing apparatus and a method capable of manufacturing a compound semiconductor having the high uniformity of a thickness and a mixed crystal ratio between a plurality of wafers and reduced in the time change of the mixed crystal ratio in a substrate plane. - 特許庁

チャンバ内における筺体内壁や治具等の表面にデポが付着しても、それに起因した破損や破断を生じることなく、そのデポを簡易に除去することを可能とした化合物半導体製造装置および化合物半導体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for manufacturing a compound semiconductor, wherein even when deposition is stuck to the inner wall of a casing or to the surface of a tool or the like in a chamber, the deposition is simply removed without generating breakage or fracture caused by the deposition. - 特許庁

この化合物半導体製造装置において、均熱板１に生じる温度分布の低くなる部分で接触させ、温度分布の高くなる部分で非接触とするよう、均熱板１を基板２の裏面に部分的に接触させるように構成する。例文帳に追加

In this compound semiconductor manufacturing apparatus, the substrate 2 is set in contact with a part showing lower temperature distribution generated on the uniform heating plate 1, and is not in contact with a part showing higher temperature distribution by setting the uniform heating plate 1 in partial contact with the rear surface of the substrate 2. - 特許庁

複数の基板８が周方向に沿って配列される円盤状のサセプタ４と、サセプタ４を軸心廻りに回転させる回転シャフト６とをリアクター３内に備え、サセプタ４に設置された複数の基板８上に、ガス供給管１を通じて供給される材料ガスから化合物半導体を気相成長させる化合物半導体製造装置において、ガス供給管１は、サセプタ４の軸心に対向する位置に配設し、リアクター３の外周に向かう放射方向に材料ガスを流出させるガス供給部１ａを一端に設ける。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing compound semiconductor includes a disk-like susceptor 4 in which a plurality of substrates 8 are arranged along a circumferential direction; and a rotary shaft 6 for rotating the susceptor 4 around an axis center in a reactor 3, and allows a compound semiconductor to be subjected to vapor phase deposition from material gas supplied through a gas supply pipe 1 on a plurality of substrates 8 installed on the susceptor 4. - 特許庁