| 例文 (7件) |
超階段接合の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
超階段接合型可変容量ダイオード例文帳に追加
SUPER ABRUPT JUNCTION-TYPE VARACTOR - 特許庁
超階段接合型可変容量ダイオードの性能指数Ｑを向上させる。例文帳に追加
To improve a performance index Q of a super abrupt junction-type varactor. - 特許庁
超階段型ＰＮ接合を形成するためのＮ型不純物濃度分布に、Ｐ型不純物を導入して相殺させることにより、超階段型ＰＮ接合を形成する不純物濃度分布に比べて、ＰＮ接合部における不純物濃度分布をなだらかにした半導体層を設ける。例文帳に追加
By introducing P-type impurities into an N-type impurity concentration distribution for forming a super staircase PN junction, to balance out, a semiconductor layer in which the impurity concentration distribution in the PN junction part is made gentle compared with the impurity concentration distribution in which the super staircase PN junction is formed. - 特許庁
電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。例文帳に追加
The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface. - 特許庁
超階段接合構造をもつ可変容量素子を容易かつ簡便に作製することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is easy and simple for producing a variable capacitance element with a super step junction structure. - 特許庁
従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。例文帳に追加
Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure. - 特許庁
バラクタ部１１ａにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層５３にはアノード電極１０４ａが、一方、低不純物濃度のエミッタ層５１の上にはカソード電極１０５ａが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。例文帳に追加
In a varactor part 11a, an anode electrode 104a is formed in the emitter intermediate layer 53 with high impurity density, and a cathode electrode 105a is formed on the emitter layer 51 with low impurity density to constitute a diode with hyperabrupt junction structure. - 特許庁
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