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Ag atomic layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
An Ni ultrathin film 12 of ≤10 nm in thickness and ≥1 atomic layer is formed by vacuum deposition method in contact with a semiconductor layer 11 forming a light emitting diode structure, and an Ag electrode 13 is formed thereupon.例文帳に追加
発光ダイオード構造を形成する半導体層11に接して、厚さが10nm以下で1原子層以上のNi超薄膜12を真空蒸着法などにより形成し、その上にAg電極13を形成する。 - 特許庁
The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加
第二記録層(3)はGeから成り、Al、Ag、In、Mn、Ni、Zn、Zrの中から選ばれた少なくとも一つの元素を0.5原子%以上10原子%以下の範囲内で含有する。 - 特許庁
The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加
基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Agに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたAgからなる反射層、を有するものであり、該反射体のCuKα線を用いたX線回折測定により、Agに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが2〜23nmであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁
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