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FeNiを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

HIGH STRENGTH FeNi-BASED ALLOY例文帳に追加

高強度FeNi基合金 - 特許庁

The first film 161 contains Fe and Ni so that the Ni in an FeNi is in the range of 25-45 (at%).例文帳に追加

第1の膜161は、Fe及びNiを含み、FeNi中のNiが25〜45(at%)の範囲にある。 - 特許庁

γ' PHASE STRENGTHENED FeNi BASED ALLOY例文帳に追加

γ′相強化型FeNi基合金 - 特許庁

For a main magnetic film, 88FeNi of film thickness of 200 nm which becomes Hk0.32Oe (25.6 A/m) at minimum is used, and as an interlayer material, a 20 wt% FeNi film is selected which is the same FeNi system plating film and has low Hk and low Hc.例文帳に追加

主となる磁性膜は最小Hk0.32Oe(25.6A/m)となる膜厚200nmの88FeNiを使用し、層間材料として、同じFeNi系めっき膜で低Hkかつ低Hcを有する20wt%FeNi膜を選定した。 - 特許庁

例文

The soft magnetic film 13 is preferably an FeSiAl film, an Fe film, an FeNi film or an FeCo film and may be a film obtained by adding 0.1-30 at.% one or more elements selected from Ti, Zr, Nb, Hf, Ta and Y to FeSiAl, Fe, FeNi or FeCo.例文帳に追加

前記軟磁性膜が、FeSiAl、Fe、FeNiまたはFeCoに、Ti、Zr、Nb、Hf、TaまたはYのうち、少なくとも一種類以上の元素を、0.1at. %以上、30at. %以下添加した膜であることを特徴とする。 - 特許庁


例文

To provide a γ' phase strengthened FeNi based alloy having high strength and little causing hydrogen embrittlement.例文帳に追加

本発明は、高強度であって、水素脆化の発生が少ないγ′相強化型FeNi基合金を提供するものである。 - 特許庁

In the target for forming a magnetic thin film including two kinds or more of crystal phase, at least one kind of crystal phase is composed of an FeNi based alloy, and the FeNi based alloy contains 60-80 atom% of Fe and 20-40 atom% of Ni.例文帳に追加

2種類以上の結晶相を含む磁性薄膜作製用ターゲットであって、前記結晶相のうちの少なくとも1種類の結晶相がFeNi系合金からなり、前記FeNi系合金が、Feの含有量が60at%以上80at%以下、Niの含有量が20at%以上40at%以下のものである磁性薄膜作成用ターゲットとする。 - 特許庁

This soft magnetic film 1 has a laminated structure composed of a plurality of soft magnetic thin film layers as main layers 2 which contain FeCoNi as main components and a plurality of auxiliary layers 3 which are each interposed between the main layers 2 and contain FeNi or FeCoNi as main components.例文帳に追加

本発明による軟磁性膜1は、FeCoNiを主成分とする複数の軟磁性薄膜層を主層2とし、これら軟磁性薄膜層間に配置されたFeNiもしくはFeCoNiを主成分とする副層3との積層膜構成とする。 - 特許庁

A material with a thermal coefficient of expansion of 10×10-6/°C or less and a specific resistance (resistivity) of 50 μΩcm or more such as FeNi invar or metallic boride, a high melt-point silicide, one-constituent nitride such as Ta, and an alloy containing another constituent such as W in platinum is used for a heater layer 1 of a thin-film gas sensor.例文帳に追加

薄膜ガスセンサのヒーター層1に、熱膨張係数が10×10^-6/℃以下で、比抵抗(抵抗率)が50μΩcm以上の材料(例えばFeNi系インバーや金属ホウ化物,高融点シリサイド,Ta等の一成分の窒化物,白金にW等の他の一成分を含む合金等)を用いることにより、掲記課題の解決を図る。 - 特許庁

例文

A lid material 1 is equipped with a core 2 formed of an FeNi alloy or a FeNiCo alloy, an Ni-based metal layer 3 which contains pure Ni as main components and is ressure-welded and bonded through diffusion to the core 2, and a brazing material layer 5 pressure-welded to the Ni-based metal layer 3.例文帳に追加

本発明の蓋材1は、FeNi合金やFeNiCo合金で形成された芯材2と、この芯材2の上に圧接され拡散接合された、純Ni等のNiを主成分とするNi基金属で形成されたNi基金属層3と、このNi基金属層3の上に圧接されたろう材層5とを備える。 - 特許庁

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