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MAGNETIC MEMORYの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1728件
NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL USING SPIN TORQUE AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME例文帳に追加
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC MEMORY WITH ERROR CORRECTION CODING例文帳に追加
誤り訂正符号化を有する磁気メモリ - 特許庁
MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
A memory apparatus may be a resistive cross point memory (RXPtM) cell type (e.g. a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加
抵抗性クロスポイントメモリ(resistive cross point memory(RXPtM))セルタイプ(例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM))とすることが可能なメモリ装置。 - 特許庁
PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME例文帳に追加
垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 - 特許庁
MAGNETIC FIELD DETECTING METHOD, MAGNETIC FIELD DETECTOR, AND INFORMATION MEMORY例文帳に追加
磁界検出方法、磁界検出装置、および情報記憶器 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加
磁気記憶装置の製造方法および磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
MAGNETIC MATERIAL AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME, AND TEMPERATURE SENSOR例文帳に追加
磁性材料並びにそれを用いた磁気メモリ、及び温度センサ - 特許庁
To provide a magnetic memory device utilizing magnetic domain dragging.例文帳に追加
マグネチックドメインドラッギングを利用した磁性メモリ素子を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁
METHOD OF ENHANCING MAGNETORESISTANCE EFFECT OF MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加
磁気メモリセルの磁気抵抗効果増加方法、磁気メモリセル、およびその形成方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁
The logical data block (202) in a magnetic random access memory (200) is disclosed.例文帳に追加
MRAM(200)の論理データブロック(202)が開示される。 - 特許庁
SELECT LINE ARCHITECTURE FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリの選択線アーキテクチャ - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, DEVICE AND MEMORY ARRAY例文帳に追加
磁気トンネル接合セル、装置、およびメモリアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその駆動方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリの製造方法およびその方法により製造される磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR READING DATA FROM MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリのデータ読み出し方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY MEDIUM COMPRISING NANO PARTICLE例文帳に追加
ナノ粒子で形成された磁気記憶媒体 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法 - 特許庁
SOFT STANDARD 3-CONDUCTOR MAGNETIC MEMORY STORAGE DEVICE例文帳に追加
軟基準3導体の磁気メモリ記憶デバイス - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS TEST METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ,及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス - 特許庁
SOFT-REFERENCE FOUR CONDUCTOR MAGNETIC MEMORY STORAGE DEVICE例文帳に追加
軟基準4導体の磁気メモリ記憶デバイス - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH ELLIPTICAL JUNCTION例文帳に追加
楕円接合部を有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリー装置 - 特許庁
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