「MAGNETIC MEMORY」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

By using the magnetic coupling, a binary magnetic memory device is stabilized to construct multistage magnetic memory devices.例文帳に追加

この磁気結合を使用すると、２進の磁気メモリ装置を安定させ、多状態の磁気メモリ装置を構成することができる。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, ITS PRODUCTION AND MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気記録媒体及びその製造方法、それを用いた磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE CELL, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, PRODUCTION OF SAME AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, HEAD-GIMBAL ASSEMBLY, HEAD-ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK DEVICE, MAGNETIC SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、磁気センサおよび磁気メモリ - 特許庁

LOGICAL DATA BLOCK, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, MEMORY MODULE, COMPUTER SYSTEM, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

論理データブロック、磁気ランダムアクセスメモリ、メモリモジュール、コンピュータシステムおよび方法 - 特許庁

QUANTUM RANDOM ADDRESS MEMORY WITH MAGNETIC READOUT AND/OR NANO-MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気読出部及び／又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ - 特許庁

STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS例文帳に追加

アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR WRITING THE SAME例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリおよびその書き込み方法 - 特許庁

STRUCTURE AND SUBSTRATE FOR MOUNTING MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気メモリ装置の実装構造及び実装基板 - 特許庁

DEVICE USING FILM HAVING MAGNETIC MEMORY REGION例文帳に追加

磁気記憶領域を備えたフィルムを用いる装置 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY CELL USING MAGNETOSTATIC COUPLING例文帳に追加

静磁気結合を利用した磁性ランダムアクセスメモリセル - 特許庁

SPIN TRANSISTOR, PROGRAMMABLE LOGIC CIRCUIT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁

To provide a low power magnetic random access memory cell.例文帳に追加

低電力磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気記憶装置、磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SYMMETRICAL SWITCHING CHARACTERISTIC例文帳に追加

対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル - 特許庁

DOUBLE JUNCTION MAGNETIC MEMORY DEVICE AND READOUT METHOD例文帳に追加

二重接合磁気メモリデバイスおよび読出し方法 - 特許庁

PERPENDICULAR MAGNETIZATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT UTILIZING CURRENT INDUCTIVE SWITCHING例文帳に追加

電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子 - 特許庁

To provide a magnetic memory element having a uniform switching characteristic and capable of low-current switching, and to provide a method of operating the magnetic memory element and a method of fabricating the magnetic memory element.例文帳に追加

均一なスイッチング特性を有し、低電流スイッチングの可能な磁気メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having high cell selection accuracy and being capable of decreasing drive voltage, a magnetic memory device manufacturing method, and a magnetic memory device operation method.例文帳に追加

セルの選択精度が高く、駆動電圧を下げることが可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ素子の製造及び磁気メモリ素子の動作方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic shielding magnetic film 22 is installed between the bit line 4 and the magnetic memory element 3.例文帳に追加

磁気シールド用磁性膜２２は、ビット線４と磁気記憶素子３との間に配置されている。 - 特許庁

THIN-FILM MAGNETIC HEAD, THIN-FILM MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MANUFACTURING METHOD FOR MEMORY DEVICE AND THE THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、記憶装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ - 特許庁

VARYING METHOD OF MAGNETIZING STATE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING MAGNETIC WALL MOVEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND SOLID MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

The magnetic memory element comprises a magnetization recording layer 10 and a magnetic reading layer 50.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、磁化記録層１０と、磁気読出し層５０とを具備する。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気記録媒体及びその製造方法、それを用いた磁気記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AS WELL AS MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

垂直磁気記録媒体とその製造方法および磁気記憶装置 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス（ＭＲＡＭ）アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a self-referenced magnetic random access memory cell.例文帳に追加

自己参照磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気不揮発性メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM MEMORY AND ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD例文帳に追加

磁性薄膜メモリおよびその記録再生方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READING METHOD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びそのデータ読み出し方法 - 特許庁

MAGNETIC SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁気半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH GLOBAL WRITE LINE例文帳に追加

グローバル書込線を具備する磁気ランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体集積回路装置および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気メモリ装置および磁気メモリ装置の製造方法 - 特許庁