「NB3Sn」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a superconductive wire wherein the composite manufacturing method of the Nb3Sn superconductive wire is stabilized so that breaking of composite wire can be effectively prevented, its material cost can be reduced, and its assembling method can be simplified.例文帳に追加

複合線材の断線を効果的に防止できるようＮｂ３Ｓｎ超電導線の複合製作方法を安定化し、材料のコストダウンと組立て方法を簡略化できるＮｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is the Nb3Sn superconductor 9 composed of a center part 13 of Nb3Sn-system made by heat treatment of a mixture of tin bronze 10 and Nb 11, and a coated layer of bronze 12 directly formed on the outer circumference of this center part 13.例文帳に追加

錫ブロンズ１０とＮｂ１１の混合体を熱処理してなるＮｂ_3 Ｓｎ系の中心部１３と、この中心部１３の外周に直接形成されたブロンズ１２の被覆層とからなるＮｂ_3 Ｓｎ超電導体９である。 - 特許庁

To provide an Nb3Sn superconductive wire material which is useful as a raw material of a superconductive magnet which is used in a perpetual current mode movement for NMR analysis use or the like by realizing a high overall critical current density and an n value in a high ferromagnetic field, and provide such a superconductive magnet.例文帳に追加

強磁場中で高いオーバオールの臨界電流密度とｎ値を実現し、ＮＭＲ分析用等の永久電流モード動作で用いられる超電導マグネットの素材として有用なＮｂ_3Ｓｎ超電導線材、およびその様な超電導マグネットを提供する。 - 特許庁

In the superconductive magnet unit configured by concentrically locating a plurality of layers of superconductive coils, in place of an Nb3Sn superconductive coil of low distortion resistance and a thin diameter, an Nb3Al superconductive coil (5) of high distortion resistance is located.例文帳に追加

本発明は、超電導コイルを同心円状に複数層配置してなる超電導マグネット装置であって、耐歪み性の低い細径Ｎｂ３Ｓｎ系超電導コイルに替えて耐歪み性の高いＮｂ３Ａｌ系超電導コイル（５）を配置した事を特徴とする超電導マグネット装置である。 - 特許庁

This semiconductor device has such an interconnection structure that an insulation film 2 is formed on a substrate 1 and then an interconnection film 3 made of ordinary temperature superconductive material, chief of which is Cu, Nb3Sn, V3Ga, V3le, BiCa, CuO, and Sr, is formed on the insulation film 2 and then another insulation film 4 is formed on the interconnection film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上にＣｕ、Ｎｂ_3Ｓｎ、Ｖ_3Ｇａ、Ｖ_3Ｇｅ、ＢｉＣａ、ＣｕＯ、Ｓｒを主成分とする常温超電導材料からなる配線膜３が形成され、その上に絶縁膜４が形成された配線構造を有する。 - 特許庁