| 例文 (8件) |
SCH (band)の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
A base station controller transmits a band requirement required for the Sch being a variable band channel to a base station.例文帳に追加
基地局制御装置は，可変帯域のチャネルであるＳｃｈに必要な要求帯域を基地局に送信する。 - 特許庁
A base station control device transmits, to a base station, a request band required for Sch that is a channel in a variable band.例文帳に追加
基地局制御装置は，可変帯域のチャネルであるＳｃｈに必要な要求帯域を基地局に送信する。 - 特許庁
The MQW-SCH active layer 46 has a band gap of 1560 nm expressed in terms of wavelength.例文帳に追加
ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４６の活性層のバンドギャップは、波長に換算して１５６０ｎｍである。 - 特許庁
To effectively utilize a channel to which such a variable band as Sch is allocated, in a mobile communication system.例文帳に追加
移動通信システムにおいて，Ｓｃｈのような可変帯域が割り当てられるチャネルの有効利用を図る。 - 特許庁
When receiving this reply, the base station controller uses the assignment available band to set the Sch between a mobile station and the base station and between the base station and the base station controller.例文帳に追加
基地局制御装置は，この応答を受信すると，該割り当て可能な帯域により，Ｓｃｈを，移動局と基地局との間，および，基地局と基地局制御装置との間に設定する。 - 特許庁
A CPU 14 as a host device control means outputs a control signal 16 to a host device, and instructs the host device to output a base band signal 113 including only an SCH signal to a TSTD circuit 104.例文帳に追加
上位装置制御手段としてのＣＰＵ１４はまず、制御信号１６を上位装置に出力して、ＳＣＨ信号のみを含むベースバンド信号１１３をＴＳＴＤ回路１０４に出力するよう指示する。 - 特許庁
When the response is received, the base station control device sets the Sch between a mobile station and the base station and between the base station and the base station control device, in accordance with the allocation enabled band.例文帳に追加
基地局制御装置は，この応答を受信すると，該割り当て可能な帯域により，Ｓｃｈを，移動局と基地局との間，および，基地局と基地局制御装置との間に設定する。 - 特許庁
In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加
ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁
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