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Ur-elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
In each of unit domain UR, the thermal resistance between the light emitting element E formed in the unit domain UR concerned and the control transistor Tc formed in the unit domain UR concerned is smaller than the one between the light emitting element E concerned and the control transistor Tc formed in the unit domain UR next to the unit domain UR concerned.例文帳に追加
また、単位領域URの各々では、当該単位領域URに形成された発光素子Eと当該単位領域URに形成された制御トランジスタTcとの間の熱抵抗が、当該発光素子Eと当該単位領域URの隣の単位領域URに形成された制御トランジスタTcとの間の熱抵抗よりも小さい。 - 特許庁
Picture element data corresponding the telop is extracted on the basis of yr, ur, vr, and GFL in an extracting part 128.例文帳に追加
抽出部128で、yr,ur,vr及びGFLに基づき、テロップに対応した画素データを抽出する。 - 特許庁
The translucent layer 23 is formed of a light transmitting insulating material and forms the resonator structure by being interposed between the light reflection layer 21 and the first electrode 25 of unit element Ur, but does not overlap with at least a part of the light reflection layer 21 of the unit element Ub which has different resonant wavelength from the unit element Ur.例文帳に追加
透光層23は、光透過性の絶縁材料によって形成され、単位素子Urの光反射層21と第1電極25との間に介在して共振器構造を構成する一方、単位素子Urとは共振波長が相違する単位素子Ubの光反射層21のうち少なくとも一部とは重なり合わない。 - 特許庁
The first electrode 25r of the unit element Ur includes a first layer 261 formed by patterning of a conductive film L1 and overlapping with the light reflecting layer 21.例文帳に追加
単位素子Urの第1電極25rは、導電膜L1のパターニングによって形成されて光反射層21と重なり合う第1層261を含む。 - 特許庁
The first electrode 25g of the unit element Ug with a different resonant wavelength from the unit element Ur includes a first conductive part 271 formed by patterning of the conductive film L1 and blocking the contact hole H, and a second layer 262 formed by patterning of the conductive film L2 filmed after forming of the conductive film L1 and overlapping with the light reflecting layer 21.例文帳に追加
共振波長が単位素子Urとは相違する単位素子Ugの第1電極25gは、導電膜L1のパターニングによって形成されてコンタクトホールHを塞ぐ第1導通部271と、導電膜L1の形成後に成膜された導電膜L2のパターニングによって形成されて光反射層21と重なり合う第2層262とを含む。 - 特許庁
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