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atomic configurationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
To form a thin film having uniform film quality with a simple configuration by an atomic layer deposition method.例文帳に追加
原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。 - 特許庁
To provide an atomic oscillator by a relatively simple configuration by improving the degree of freedom in design.例文帳に追加
設計の自由度を向上させることにより比較的簡易な構成の原子発振器を提供すること。 - 特許庁
To realize synchronization between an atomizer and a light source by a simple configuration in an atomic absorption spectrometer.例文帳に追加
原子吸光分析装置において、アトマイザーと光源との同期を簡易な構成によって実現すること。 - 特許庁
To provide a reference frequency generating apparatus for preventing mismatching in simple configuration when switching an active atomic oscillator to a standby atomic oscillator in the case of fault.例文帳に追加
障害時に現用系原子発振器から予備系原子発振器に切り替える際の不整合を簡易な構成で防止する基準周波数発生装置を提供する。 - 特許庁
To provide a rubidium atomic oscillator that reduces component cost and has achieved the miniaturization of a circuit by simplifying a circuit configuration.例文帳に追加
回路構成を単純化して部品コストを低減すると共に、回路の小型化を実現したルビジウム原子発振器を提供する。 - 特許庁
The method for forming an integrated circuit configuration on a semiconductor substrate includes deposition of the high-k gate insulating material on the substrate by using an atomic layer deposition process.例文帳に追加
原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。 - 特許庁
To provide an apparatus for forming an atomic layer deposition film as a film forming device having such an extremely simple configuration as to permit the use of solid raw material as it is without requiring a vacuum evacuation device and without liquefying the solid raw material.例文帳に追加
真空排気装置を必要とすることなく、また、固体原料を液状化することなくそのまま使用できるようにした、きわめて簡易な構成からなる成膜装置としての、原子層堆積膜の形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a scanning type probe microscope for stabilizing the measurement of a force gradient and a displacement current, for example, in an atomic force microscope for improving accuracy, and at the same time to provide a high-density information-reproducing apparatus using the configuration of the scanning-type probe microscope.例文帳に追加
原子間力顕微鏡などにおける力勾配の測定と変位電流の測定を安定させ、精度を高めることを可能にする走査型プローブ顕微鏡を提供するとともに、この走査型プローブ顕微鏡の構成を用いた高密度の情報再生装置を提供する。 - 特許庁
In MIS transistors 100A and 100B, a gate electrode 10 is formed like the laminated configuration of a plurality of kinds of metallic layers 11, 12, and 13 whose work functions are different, and the first metallic layer 11 brought into contact with the gate insulating film 2 is formed with not more than film thickness of 5 Debye length by an atomic layer CVD.例文帳に追加
ＭＩＳ型トランジスタ１００Ａ、１００Ｂにおいて、ゲート電極１０を、仕事関数が異なる複数種の金属層１１、１２、１３の積層構造とし、かつゲート絶縁膜２に接する第１の金属層１１を、原子層ＣＶＤにより、膜厚５デバイ長以下に形成する。 - 特許庁
Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加
タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁
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