「boron arsenide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The III-V compound semiconductor layer, containing boron, is composed of mixed crystal of boron arsenide phosphide(BAsP) or boron phosphide(BP).例文帳に追加

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を砒化リン化硼素（ＢＡｓＰ）混晶あるいはリン硼素（ＢＰ）から構成する。 - 特許庁

To provide a method for production of a gallium arsenide crystal in which cleavage fracture in the crystal can be prevented from occurring in the gallium arsenide crystal even when boron oxide is filled in a crucible.例文帳に追加

るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This production method comprises charging a presynthesized gallium arsenide material 4 and boron oxide 5 in a crucible 1, heating and melting the gallium arsenide material 4 in the crucible 1, and completing solidification of the melt of the material 4 in such a state that the amount of gallium in the melt is larger than that of arsenic to grow a carbon-added gallium arsenide crystal.例文帳に追加

るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized.例文帳に追加

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。 - 特許庁