「c-InN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thanks to Maxime Henrion mux@FreeBSD.org , CVSup was rewritten in C as csup(1) and it is the part of the base system by now. Although it does not implement all the features of CVSup at the moment, it is good enough (and really fast!) to keep your sources synchronized. 例文帳に追加

5.7. INN(インターネットニュース) の設定方法は? - FreeBSD

A spring containing groove 13 is provided inn any of abutment surfaces of the valve block 8 and the base structure 9 for containing a C shape linear spring 12.例文帳に追加

バルブブロック(８)とベース体(９)との接当面のいずれか一方にＣ型に形成した線バネ(12)を収容するバネ収容溝(13)を凹設する。 - 特許庁

On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にｃ−ＢＰ単結晶層２ａとＳｉ単結晶層２ｂとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をｃ−ＢＰ単結晶層とした超格子構造のバッファ層２を介在してｃ−ＩｎＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁

The device has a sapphire substrate 1 whose c-surface is nitrided, a GaN buffer layer 2, an N-polarity GaN layer 3, an N-polarity AlN layer 4, an N-polarity InN/InGaN multilayer device structure 5, an Al-polarity AlN 6 and a GaN cap layer 7.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、表面を窒化したｃ面サファイア基板１と、ＧａＮバッファ層２と、Ｎ極性ＧａＮ層３と、Ｎ極性ＡｌＮ層４と、Ｎ極性ＩｎＮ／ＩｎＧａＮ多重層デバイス構造５と、Ａｌ極性ＡｌＮ６と、ＧａＮキャップ層７とを有する。 - 特許庁