On an Si (100) substrate 1, a c-InN single-crystal film 4 is formed with a buffer layer 2 interposed having a superlattice structure which consists of a plurality of alternately deposited c-BP single-crystal layers 2a and Si single-crystal layers 2b, with the uppermost c-BP single-crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にｃ−ＢＰ単結晶層２ａとＳｉ単結晶層２ｂとを交互に多数層積層し、かつ、最上層をｃ−ＢＰ単結晶層とした超格子構造のバッファ層２を介在してｃ−ＩｎＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁

The device has a sapphire substrate 1 whose c-surface is nitrided, a GaN buffer layer 2, an N-polarity GaN layer 3, an N-polarity AlN layer 4, an N-polarity InN/InGaN multilayer device structure 5, an Al-polarity AlN 6 and a GaN cap layer 7.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、表面を窒化したｃ面サファイア基板１と、ＧａＮバッファ層２と、Ｎ極性ＧａＮ層３と、Ｎ極性ＡｌＮ層４と、Ｎ極性ＩｎＮ／ＩｎＧａＮ多重層デバイス構造５と、Ａｌ極性ＡｌＮ６と、ＧａＮキャップ層７とを有する。 - 特許庁