「dislocation cluster」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a single crystal pulling-up device with which the single crystal low in the density of grown-in defects called as infrared scatter or dislocation cluster can be grown.例文帳に追加

赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a high-quality single crystal having a large diameter and long length, capable of collecting a wafer having grown-in defects such as metastasis dislocation cluster and infrared scatter reduced as much as possible by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、径の大きい長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for confirming a position where OSF or a nucleus of the OSF hard to be detected is present in the case of a silicon single crystal containing oxygen in low concentration and a method for detecting a dislocation cluster, and to improve the quality of the silicon single crystal by utilizing these methods.例文帳に追加

低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいＯＳＦあるいはＯＳＦの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。 - 特許庁

To provide a method for easily and inexpensively manufacturing a P-doped silicon single crystal which is composed of an indefective area without including a V area, an OSF area, and a huge dislocation cluster (LSEPD, LFPD) area and has a high pressure resistance and excellent electrical properties.例文帳に追加

例えば、Ｖ領域、ＯＳＦ領域および巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）領域を含まない、高耐圧の優れた電気特性を持つ無欠陥領域のＰドープシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a method for manufacturing thereof, in which neither a COP nor a dislocation cluster is contained, a defect (grown-in defect containing oxide silicon) like oxygen precipitation nucleus which exists in an OSF nucleus and P_V region not actualized in an as-grown state is disappeared or reduced.例文帳に追加

ＣＯＰや転位クラスターが含まれず、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態では顕在化していないＯＳＦ核やＰ_V領域に存在する酸素析出核のような欠陥（酸化シリコンを含むｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥）が消滅もしくは低減されているシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁