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「field-effect transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > field-effect transistorの意味・解説 > field-effect transistorに関連した英語例文

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field-effect transistorの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3045



例文

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SELF-ALIGNED FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE例文帳に追加

自己整列電界効果トランジスタ構造体 - 特許庁

VERTICAL MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

縦型MOS電界効果トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

例文

JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁


例文

METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND DISPLAY UNIT例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INSULATING GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR HETEROJUNCTION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

例文

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

例文

FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

電界効果型トランジスタおよびこの製造方法 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

P-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

pチャネル型電界効果トランジスタ - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SENSOR USING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

有機電界効果トランジスタを用いたセンサ - 特許庁

MICROMINIATURE ELECTRONIC ELEMENT INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタを含む超小型電子素子 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及び表示装置 - 特許庁

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELECTRIC POLE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電極の形成方法および電界効果トランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

GaN-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING HIGH ELECTRON MOBILITY例文帳に追加

GaN系高電子移動度電界効果トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキゲート電界効果トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法。 - 特許庁

MANUFACTURE OF JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

接合ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

MOS-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

MOS型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びスピンMOS電界効果トランジスタ - 特許庁

MIS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR SUPPRESSED IN SHORT CHANNEL EFFECT例文帳に追加

短チャネル効果を抑制したMIS型電解効果トランジスタ - 特許庁

The functions can be easily achieved by using a general timer, a general logic, a general transistor and a general FET (Field Effect Transistor).例文帳に追加

前記各機能は汎用タイマー、汎用ロジック、汎用トランジスタ、汎用FET(Field Effect Transistor)を用いて容易に達成することができる。 - 特許庁

To provide a gallium arsenide field-effect transistor adapted to allow reducing degradation in the field-effect transistor characteristics and realizing miniaturization of the transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタ特性の劣化を低減し、微細化を実現することが可能なガリウム砒素電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Each function can be attained readily, by using a general-purpose logic, a general-purpose comparator, a general-purpose transistor and a general-purpose FET (field effect transistor).例文帳に追加

前記各機能は汎用ロジック、汎用コンパレータ、汎用トランジスタ、汎用FET(Field Effect Transistor)を用いて容易に達成することができる。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR CIRCUIT AND CMOS TRANSISTOR CIRCUIT USING DOUBLE GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

二重ゲート電界効果トランジスタを用いたMOSトランジスタ回路およびCMOSトランジスタ回路 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWICHINTG DEVICE例文帳に追加

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING DEVICE例文帳に追加

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

EPITAXIAL WAFER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR USING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR GRAPHENE OXIDE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタおよび半導体酸化グラフェンの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND FIELD EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体基板、電界効果トランジスタ、半導体基板の製造方法および電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

例文

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁

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