field-effect transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3045件
PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PROCESS FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND DESIGN METHOD例文帳に追加
電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを含むモノリシックマイクロ波集積回路、及び設計方法 - 特許庁
ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ、有機電界効果トランジスタの製造方法、半導体装置及び電子機器 - 特許庁
METHOD OF FORMING INSULATION FILM IN FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANO MATERIAL AND FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANO MATERIAL例文帳に追加
カーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタにおける絶縁膜成膜方法及びカーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタ - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-STRUCTURED FIELD EFFECT TRANSISTOR, HETERO-STRUCTURED FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
ヘテロ構造電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ、ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびヘテロ構造電界効果トランジスタ作製法 - 特許庁
A protection field-effect transistor 400b includes a crystal orientation different from that of the protected field-effect transistor 400a.例文帳に追加
保護電界効果トランジスタ400bは、保護される電界効果トランジスタ400aの結晶方位とは異なった結晶方位を含む。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR (STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PERFORMANCE AND LOW-LEAKAGE FIELD EFFECT TRANSISTOR)例文帳に追加
電界効果トランジスタ(FET)およびその製造方法(高性能および低リーク電界効果トランジスタを製造するための構造および方法) - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE FILM FOR GATE PART OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果型トランジスタのゲート部用金属酸化物膜の製造方法及び電界効果型トランジスタ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR GATE INSULATION LAYER COMPOSITION, GATE INSULATION LAYER, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND DISPLAY PANEL例文帳に追加
電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物、ゲート絶縁層、電界効果トランジスタ及び表示パネル - 特許庁
METHOD FOR FORMING STRAINED Si LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ - 特許庁
FERROELECTRIC GATE ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR BODY, AND METHOD OF FORMING FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR BODY例文帳に追加
絶縁ゲ—ト型電界効果トランジスタ、半導体ボディ、電界効果トランジスタを作成する方法、および半導体ボディを作成する方法 - 特許庁
ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR, FLAT DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置、及び有機電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, JUNCTION HIGH ELECTRON MOBILITY FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタ、接合型高電子移動度電界効果トランジスタ及びこれらの製造方法 - 特許庁
FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
GAN FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING ALN BARRIER LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
AlN障壁層を有するGaN系電界効果トランジスタ、及びそのような電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
ALUMINUM-CONTAINING ORGANIC COMPOUND SOLUTION, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
アルミニウム含有有機化合物溶液、電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの作製方法 - 特許庁
MATERIAL FORMING GATE INSULATING FILM LAYER, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR FABRICATING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ゲート絶縁膜層成形材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁
To provide a field effect transistor having a GAA (Gate All Around) structure, and to provide a method for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加
ゲートオールアラウンド(Gate All Around:GAA)構造を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供するにある。 - 特許庁
TOP CONTACT TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME TOP CONTACT TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
トップコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法およびトップコンタクト型電界効果トランジスタ - 特許庁
THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM FIELD EFFECT TRANSISTOR MANUFACTURED BY MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ - 特許庁
To provide a field-effect transistor having a high breakdown voltage and a high operation voltage and a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加
高耐圧で、高い動作電圧を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a field effect transistor in which the field effect transistor having a short gate length can be manufactured at low cost.例文帳に追加
ゲート長が短い電界効果トランジスタを低コストで製造できる電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a field-effect transistor that allows a local temperature of the field-effect transistor to be measured.例文帳に追加
電界効果トランジスタの局所的な温度を測定することが可能な電界効果トランジスタを提供することである。 - 特許庁
To provide an insulated gate type field effect transistor capable of improving reliability in a gate insulating film, and to provide a method of manufacturing the insulated gate type field effect transistor.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To shunt an electric current to a field effect transistor parasitic diode by providing a field effect transistor in parallel to current detection means.例文帳に追加
電流検出手段と並列に電界効果トランジスタを設けるとその電界効果トランジスタ寄生ダイオードに電流が分流する。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND COMPLEMENTARY FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、相補型電界効果型トランジスタ、および電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁
To improve characteristics of a field effect transistor, without having to apply physical or thermal stresses on a member of the field effect transistor.例文帳に追加
電界効果型トランジスタの構成部材に物理的あるいは熱的なストレスを加えることなく、電界効果型トランジスタの特性を改善する。 - 特許庁
Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加
第1スイッチ群および第2スイッチ群の各スイッチ(M1〜M4)は、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成される。 - 特許庁
To provide an organic field effect transistor, a flat display device comprising the same, and a method for manufacturing the organic field effect transistor.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置及び有機電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DEVICE, AND FORMATION METHOD (STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING MILLER CAPACITANCE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR)例文帳に追加
電界効果トランジスタ・デバイスと形成方法(電界効果トランジスタのミラー容量を低減させるための構造および方法) - 特許庁
In a predetermined time period, a control signal is input to a field effect transistor so as to gradually raise an output voltage of the field effect transistor.例文帳に追加
予め定められた期間、制御信号を電界効果トランジスタに入力して電界効果トランジスタの出力電圧を除除に立ち上げる。 - 特許庁
To improve the current drive capabilities of an n-channel conductivity field-effect transistor and a p-channel conductivity field-effect transistor.例文帳に追加
nチャネル導電型電界効果トランジスタ及びpチャネル導電型電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上を図る。 - 特許庁
The active circuit element is a GaAs metal/semiconductor field-effect transistor (MESFET). 例文帳に追加
能動回路素子はGaAs金属半導体電場効果トランジスタ(MESFET)である。 - コンピューター用語辞典
a high field-effect transistor that uses a high degree of electrical movement 例文帳に追加
高電子移動度を利用した超高速の電界効果トランジスタ - EDR日英対訳辞書
UNIDIRECTIONAL METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND APPLICATIONS THEREOF例文帳に追加
単方向金属酸化膜半導体電界効果トランジスターとその応用 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
N-TYPE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
n型炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
MESA-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS PREPARATION例文帳に追加
メサ型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁
ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加
イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING POLYDIACETYLENE AS SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
ポリジアセチレンを半導体層とする電界効果型トランジスタ - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ - 特許庁
HETERO-STRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ - 特許庁
HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
金属酸化膜半導体電界効果型トランジスターとその製造方法 - 特許庁
SCHOTTKY DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ショットキーダイオード、電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FULLERENE DERIVATIVE COMPOSITION AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
フラーレン誘導体組成物とこれを用いた電界効果トランジスタ素子 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
電界効果トランジスタとモノリシックマイクロ波集積回路 - 特許庁
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