例文 (12件) |
grown junctionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12件
When the hetero-junction bipolar transistor is manufactured, the base layer 4 composed of GaAs is grown, an AsH_3 gas is made to flow, an H_2 gas is made to flow, and an emitter layer 5 composed of InGaP is epitaxial-grown.例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するに際し、GaAsからなるベース層4を成長した後、AsH_3ガスをフローし、次にH_2ガスをフローし、その後にInGaPからなるエミッタ層5をエピタキシャル成長することを特徴とする。 - 特許庁
One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加
触媒物質を添加して細線部1内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部1内にp−n接合やp−i−n接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部1をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁
However the oxygen concentration decreases in the gallium nitride-based semiconductor layer grown so as to form the junction JC.例文帳に追加
しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合JCを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。 - 特許庁
The photoelectric conversion device including a semiconductor junction has a semiconductor layer, where a needle-like crystal is grown on a one-conductivity-type impurity semiconductor layer formed by a microcrystalline semiconductor.例文帳に追加
半導体接合を有する光電変換装置であって、微結晶半導体で形成した一導電型の不純物半導体層上に、針状結晶が成長した半導体層を有する。 - 特許庁
On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加
この表面1A上に、N型半導体層2およびP型半導体層3が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するPN接合面5が形成されている。 - 特許庁
Optical loss is found ≤0.3 dB at the junction between the core grown from the optical port P3 and the core 41th passed through the wavelength selective mirror 30.例文帳に追加
光ポートP3から成長したコアと波長選択性ミラー30を透過したコア41thとの接続点における光損失は0.3dB以下だった。 - 特許庁
After the heat treatment 25 is carried out, the raw material gas and the n-type dopant is supplied to the growth furnace 10, and the n-type concentration semiconductor layer 27 for tunnel junction is grown.例文帳に追加
熱処理25を行った後に、原料ガス及びn型ドーパントを成長炉10に供給して、トンネル接合のためのn型高濃度半導体層27を成長する。 - 特許庁
On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加
この表面1A上に、N型半導体層2およびP型半導体層3を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するPN接合面5が形成されている。 - 特許庁
A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加
結晶基板1上に、バッファ層2を介して(または直接的に)pn接合構造を含みGaN系材料からなる積層体Sを成長させて受光素子とする。 - 特許庁
To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby.例文帳に追加
高濃度までのn型ZnTe系物質を成長することができ、ZnTe系物質のpn接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。 - 特許庁
The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加
導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZnOバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1を形成する。 - 特許庁
Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加
具体的には、n型導電性SiC基板402の表面上にn^+型AlGaNバッファ層404と、n^+型AlGaN層406と、n型AlGaN層408と、p型InGaN層410とを順次成長してpn接合ダイオードを作製する。 - 特許庁
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