「in-line annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for fabricating a semiconductor device, when a bit line 31A is formed of a W film, a second interlayer dielectric 20 underlying the W film is formed of a P-TEOS oxide film and then annealing is performed at 700-800°C for 1-30 min in nitrogen atmosphere in order to desorb an oxygen containing gas contained in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、Ｗ膜から成るビット線３１Ａを形成する場合、Ｗ膜の下地となるＰ−ＴＥＯＳ酸化膜から成る第２の層間絶縁膜２０を形成した後に、窒素雰囲気内で、７００〜８００℃で、１〜３０分間アニール処理を施して、第２の層間絶縁膜２０内に含まれている酸素を含むガスを脱離させる。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated steel plate having a good appearance in which a coat winding phenomenon to a roll coater is not generated and no flash rust is generated even in the case of manufacturing the coated steel plate by coating the steel plate with a water base coating liquid containing an organic resin by using a coating line directly bonded to a final annealing furnace and drying/baking the same.例文帳に追加

最終焼鈍炉に直結した塗装ラインを用いて、鋼板に有機樹脂を含む水系塗液を塗布し、これを乾燥・焼き付けして塗装鋼板を製造する場合にも、ロールコーターへの塗料巻き付き現象を生ぜず、かつフラッシュラストの発生もない良好な外観を有する塗装鋼板を製造する方法を提案する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere.例文帳に追加

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。 - 特許庁