例文 (693件) |
indium tinの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 693件
TIN-DOPED INDIUM OXIDE NANOPARTICLE例文帳に追加
錫ドープ酸化インジウムナノ粒子 - 特許庁
TIN-INDIUM ALLOY ELECTROPLATING BATH例文帳に追加
錫−インジウム合金電気めっき浴 - 特許庁
METHOD FOR RECOVERING INDIUM AND TIN例文帳に追加
インジウム及び錫の回収法 - 特許庁
METHOD FOR SEPARATING INDIUM AND TIN例文帳に追加
インジウムとスズの分離方法 - 特許庁
To provide an indium tin oxide target, a method for manufacturing the indium tin oxide target, a transparent conductive film of indium tin oxide, and a method for manufacturing the transparent conductive film.例文帳に追加
酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法を提供する。 - 特許庁
INDIUM TIN OXIDE PRECURSOR, INDIUM TIN OXIDE FILM, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF例文帳に追加
インジウム錫酸化物前駆体とそのインジウム錫酸化物膜、およびこれらの製造方法 - 特許庁
The transparent conductive film 82 formed on the surface 83 of the substrate 81 is made of an ITOC (indium Tin Oxide Carbon) film.例文帳に追加
基板81の表面83に形成された透明導電膜82は、ITOC(Indium Tin Oxide Carbon)膜からなる。 - 特許庁
INDIUM TIN OXIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COATING MATERIAL FOR INDIUM TIN OXIDE CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
ITO粉体およびその製造方法、ITO導電膜用塗料、並びに透明導電膜 - 特許庁
INDIUM TIN OXIDE FIBER AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加
インジウム錫酸化物繊維体とその製造方法 - 特許庁
INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
酸化インジウム−酸化錫粉末及びその製造方法 - 特許庁
INDIUM - TIN - OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND THE USE例文帳に追加
インジウム−錫−酸化物、その製造方法および使用 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING METAL CONTAINING INDIUM/TIN例文帳に追加
インジウム・スズ含有メタルの製造方法 - 特許庁
TIN-DOPED INDIUM OXIDE POWDER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF INDIUM TIN OXIDE FILM例文帳に追加
インジウムスズ酸化膜の製造方法 - 特許庁
TIN-DOPED INDIUM OXIDE PARTICLES AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
錫ドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING TIN DOPED INDIUM OXIDE FILM WITH HIGH RESISTANCE例文帳に追加
高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING TIN-DOPED INDIUM OXIDE PARTICULATE例文帳に追加
スズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING INDIUM-TIN OXIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加
インジウム−錫酸化物焼結体の製造方法 - 特許庁
TIN-DOPED OXIDE INDIUM POWDER AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
スズドープ酸化インジウム粉とその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING INDIUM TIN OXIDE FILM例文帳に追加
酸化インジウムスズ膜の製造方法 - 特許庁
METHOD OF INCREASING SPECIFIC RESISTANCE OF TIN-DOPE INDIUM OXIDE FILM例文帳に追加
スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 - 特許庁
METHOD FOR RECOVERING INDIUM UTILIZING TIN REFINING OR THE LIKE例文帳に追加
スズ製錬等を利用したインジウムの回収方法 - 特許庁
To provide a method for separating indium from tin, which adequately extracts and separates indium from tin in a solution containing indium and tin by using an organic solvent, and to provide a method for separating indium from tin and recovering both.例文帳に追加
インジウムとスズを含む溶液から有機溶媒を用いてインジウムとスズを分離性良く抽出する分離方法ないし分離回収方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method having separability between indium and tin, and, even from an indium-tin alloy having a high tin content, capable of recovering indium having an extremely low tin content.例文帳に追加
インジウムとスズとの分離性に優れており、スズ含有量が多いインジウム−スズ合金からでもスズ含有量が格段に少ないインジウムを回収することができる方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING FINE POWDER OF INDIUM OXIDE AND FINE POWDER OF INDIUM OXIDE CONTAINING TIN例文帳に追加
酸化インジウム微粉末及びスズ含有酸化インジウム微粉末の製造方法 - 特許庁
To provide an indium-tin nanowire in which conventional problems are corrected, and solid-solution of a prescribed amount of tin into an indium nanowire is uniformly carried out, an indium-tin oxide (ITO) nanowire formed by oxidizing the indium-tin nanowire, and to provide a method for easily and inexpensively producing the indium-tin nanowire and indium-tin oxide (ITO) nanowire.例文帳に追加
従来からの問題を是正した、インジウムナノワイヤに錫を所定量、均一に固溶させたインジウム−錫ナノワイヤ、およびこのインジウム−錫ナノワイヤを酸化して形成するインジウム−錫酸化物(ITO)ナノワイヤの提供と、このインジウム−錫ナノワイヤとインジウム−錫酸化物(ITO)ナノワイヤを簡便にかつ安価に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for easily and efficiently separating tin from a solution containing indium and tin.例文帳に追加
インジウムとスズを含む溶液からスズを簡単にかつ効率よく分離する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a tin oxide powder by recycling an indium-tin oxide scrap.例文帳に追加
インジウム−錫酸化物廃スクラップをリサイクルした錫酸化物粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING FLAT INDIUM TIN OXIDE LAYER ON SUBSTRATE, SUBSTRATE COATING AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE OF INDIUM TIN OXIDE例文帳に追加
基板上に平坦なインジウムスズ酸化物層を生成するための方法、インジウムスズ酸化物の基板コーティングおよび有機発光ダイオード - 特許庁
The substrate 1 consists of an indium- tin oxide, for example, or a flurine-doped indium-tin oxide.例文帳に追加
透明基板1は、例えばインジウム錫オキサイド、又はフッ素をドープしたインジウム錫オキサイドからなる。 - 特許庁
INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER例文帳に追加
酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING ROD-LIKE ELECTROCONDUCTIVE TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE FINE POWDER AND ROD-LIKE ELECTROCONDUCTIVE TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE FINE POWDER例文帳に追加
棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法、及び棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末 - 特許庁
To provide a tin oxide powder excellent in homogeneous miscibility for indium oxide powder as a starting material of ITO (Indium Tin Oxide) sintered body.例文帳に追加
ITO焼結体の原料として、酸化インジウム粉末に対する均一混合性に優れた酸化スズ粉末を提供する。 - 特許庁
This dummy signal line 36 has a three-layered structure of a silicon lower layer, an ITO(Indium Tin Oxide) intermediate layer, and an aluminum(Al) upper layer from below.例文帳に追加
このダミー信号線36は、下層から、シリコン下層、ITO(Indium Tin Oxide)中間層、そして、アルミニウム(Al)上層の3層構造を有している。 - 特許庁
INDIUM TIN OXIDE TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM OF INDIUM TIN OXIDE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法 - 特許庁
This organic EL rod 10 has an anode 11 (formed of, for instance, ITO: Indium Tin Oxide) formed into a rod-like shape in its center.例文帳に追加
本発明の有機EL棒10は、その中心に、棒状の形を呈したアノード11(例えばITO;Indium Tin Oxideから成る)を有している。 - 特許庁
For an electrode component, that formed of ITO(indium-tin- oxide), for example, transparent, and of a resistance value of 100 MΩ or less after baking is used.例文帳に追加
電極成分は、例えばITO(Indium-Tin Oxide)により形成され、透明で抵抗値が焼成後100MΩ以下のものが用いられる。 - 特許庁
The conductive layer 109 may be structured of a conductive material such as aluminum, and ITO (Indium-Tin-Oxide).例文帳に追加
導電層109は、例えば、アルミニウム,ITO(Indium-Tin-Oxide)などの導電材料から構成されていれば良い。 - 特許庁
The method of recovering high purity indium and crude tin is carried out by reducing the block object containing indium oxide and tin oxide at 730-1,250°C in a reducing atmosphere to produce an indium, tin alloy anode, primarily indium electric refining to obtain an indium electrodeposition object, melting the indium electrodeposition object at 180-300°C to cast the indium anode and secondarily indium electric refining.例文帳に追加
酸化インジウム、酸化錫を含有する塊状物を730〜1250℃で還元雰囲気にて還元し、インジウム・錫合金アノードを製造した後、1次インジウム電解精製し、インジウム電着物を得て、このインジウム電着物を180〜300℃の範囲にて溶融し、インジウムアノードを鋳造して、2次インジウム電解精製する高純度インジウム、及び粗錫の回収方法。 - 特許庁
The gas or vapor may comprise xenon, indium, lithium, and tin.例文帳に追加
ガスまたは蒸気は、キセノン、インジウム、リチウム、およびスズを含む。 - 特許庁
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