| 例文 (8件) |
induced crystallizationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
The amorphous silicon film 104 is then annealed so that a crystallization region (polysilicon film) is formed by pure metal induced crystallization.例文帳に追加
次いで、純粋な金属誘導結晶化によって結晶化領域（ポリシリコン膜）が形成されるように、非晶質シリコン膜１０４をアニールする。 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスター及びその製造方法 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To inhibit the heat-induced crystallization of an organic polymer film or an organic electroluminescence element having the organic polymer thin film.例文帳に追加
有機高分子薄膜又は有機高分子薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の熱による結晶化を抑制するものである。 - 特許庁
To provide a thin film transistor shortening a crystallization process in the case of using a metal induced lateral crystallization (MILC) method, and its manufacturing method.例文帳に追加
金属誘導化側面結晶化（ＭＩＬＣ）法を用いた場合の結晶化工程の時間を短縮する薄膜トランジスター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The amount of metal adsorbed on a thin film in the amorphous silicon can be adjusted appropriately and finely, and contamination due to metal can be prevented although crystallization temperature is lowered in crystallizing silicon by a metal induced crystallization system.例文帳に追加
本発明によれば、非晶質シリコンの薄膜上に吸着される金属の量を適切に且つ微細に調節でき、金属誘導結晶化方式によるシリコンの結晶化時,結晶化温度を下げながらも金属による汚染が防止される。 - 特許庁
To form a polycrystalline silicon film formed of crystal grains having a specially uniform distribution, concerning a manufacturing method for a thin-film transistor using an electric field-metal induced crystallization (FE-MIC) method.例文帳に追加
電界−金属誘導結晶化（ＦＥ−ＭＩＣ）方法を利用した薄膜トランジスタを製造する方法に係り、特に均等した分布の結晶粒でなる多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for improving significantly electric characteristics such as electronic mobility, a leakage current or the like of a thin film transistor by a metal induced lateral crystallization(MILC) method.例文帳に追加
ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法による薄膜トランジスタの電子移動度、漏れ電流などの電気特性を画期的に改善する製造方法を提供する。 - 特許庁
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