mrdを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
The wiring BL is located above the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
配線BLは、上記磁気抵抗素子MRDの上部に位置する。 - 特許庁
An energy width of 0.7 eV and an illumination angle of 0.2 mrd were assumed in obtaining a contrast-transfer function. 例文帳に追加
コントラスト伝達関数を求めるにあたり、エネルギー幅0.7eVおよび照射角0.2mrdと仮定された。 - 科学技術論文動詞集
The magnetoresistive element MRD contains a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a tunnel insulation layer.例文帳に追加
磁気抵抗素子MRDは、磁化固定層と磁化自由層とトンネル絶縁層とを含んでいる。 - 特許庁
The protective layer III is arranged in a manner to cover sides of the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
保護層IIIは、磁気抵抗素子MRDの側面を覆うように配置されている。 - 特許庁
An aspect ratio of the magnetoresistive element MRD when viewed from above has a value other than 1.例文帳に追加
上記磁気抵抗素子MRDは平面視におけるアスペクト比が1以外の値である。 - 特許庁
The first upper electrode UEL1 is arranged on the magnetoresistive element MRD in the same size in a plan view substantially with the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
第1上部電極UEL1は、上記磁気抵抗素子MRD上に、平面視における大きさが磁気抵抗素子MRDと実質的に同じであるものが配置されている。 - 特許庁
Above the magnetoresistive element MRD, a plurality of first wiring BL extending in the direction along a main surface are provided.例文帳に追加
磁気抵抗素子MRDの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第1の配線BLを有している。 - 特許庁
A semiconductor device comprises an in-plane magnetization type magnetoresistive element MRD using a spin-transfer torque writing method arranged on a principal surface of a semiconductor substrate, which can change a magnetization state depending on a current flow direction, and first wiring BL electrically connected with the magnetoresistive element MRD and extending in a direction along the principal surface.例文帳に追加
半導体基板の主表面上に配置された、電流の流れる向きに応じて磁化状態を変化させることが可能な、スピントルク書き込み方式の面内磁化型の磁気抵抗素子MRDと、磁気抵抗素子MRDと電気的に接続され、主表面に沿った方向に向けて延びる第1配線BLとを備える。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate SUB having a main surface and a magnetoresistive element MRD located on the main surface of the semiconductor substrate SUB.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、主表面を有する半導体基板SUBと、半導体基板SUBの主表面上に位置する磁気抵抗素子MRDとを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device includes a memory cell region in which a plurality of magnetoresistive elements MRD are arranged, and a peripheral circuit region arranged around the memory cell region in top view.例文帳に追加
磁気抵抗素子MRDが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。 - 特許庁
Main block selection lines MBS0 and MBS1 connecting a main row decoder MRD and a sub row decoder SRD are composed by using memory cells in a cell block, a metal line CI used between the memory cells and the distribution layer that is the same as plate lines PL, /PL.例文帳に追加
セルブロック内のメモリセル、メモリセル間に使用する金属配線CIや、プレート線PL,/PLと同じ配線層を用いて、メインローデコーダMRDとサブローデコーダSRDを接続するメインブロック選択線MBS0,MBS1を構成することを特徴としている。 - 特許庁
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