mrdとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 微小残存病変
「mrd」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
The wiring BL is located above the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
配線ＢＬは、上記磁気抵抗素子ＭＲＤの上部に位置する。 - 特許庁
An energy width of 0.7 eV and an illumination angle of 0.2 mrd were assumed in obtaining a contrast-transfer function.発音を聞く 例文帳に追加
コントラスト伝達関数を求めるにあたり、エネルギー幅0.7eVおよび照射角0.2mrdと仮定された。 - 科学技術論文動詞集
The magnetoresistive element MRD contains a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a tunnel insulation layer.例文帳に追加
磁気抵抗素子ＭＲＤは、磁化固定層と磁化自由層とトンネル絶縁層とを含んでいる。 - 特許庁
The protective layer III is arranged in a manner to cover sides of the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
保護層ＩＩＩは、磁気抵抗素子ＭＲＤの側面を覆うように配置されている。 - 特許庁
An aspect ratio of the magnetoresistive element MRD when viewed from above has a value other than 1.例文帳に追加
上記磁気抵抗素子ＭＲＤは平面視におけるアスペクト比が１以外の値である。 - 特許庁
The first upper electrode UEL1 is arranged on the magnetoresistive element MRD in the same size in a plan view substantially with the magnetoresistive element MRD.例文帳に追加
第１上部電極ＵＥＬ１は、上記磁気抵抗素子ＭＲＤ上に、平面視における大きさが磁気抵抗素子ＭＲＤと実質的に同じであるものが配置されている。 - 特許庁
Above the magnetoresistive element MRD, a plurality of first wiring BL extending in the direction along a main surface are provided.例文帳に追加
磁気抵抗素子ＭＲＤの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第１の配線ＢＬを有している。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「mrd」の意味 |
MRD
名詞
MRD (countable かつ uncountable, 複数形 MRDs)
- (oncology) Initialism of minimal residual disease.
- (management) Initialism of market requirements document.
Weblio例文辞書での「mrd」に類似した例文 |
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「mrd」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
A semiconductor device comprises an in-plane magnetization type magnetoresistive element MRD using a spin-transfer torque writing method arranged on a principal surface of a semiconductor substrate, which can change a magnetization state depending on a current flow direction, and first wiring BL electrically connected with the magnetoresistive element MRD and extending in a direction along the principal surface.例文帳に追加
半導体基板の主表面上に配置された、電流の流れる向きに応じて磁化状態を変化させることが可能な、スピントルク書き込み方式の面内磁化型の磁気抵抗素子ＭＲＤと、磁気抵抗素子ＭＲＤと電気的に接続され、主表面に沿った方向に向けて延びる第１配線ＢＬとを備える。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate SUB having a main surface and a magnetoresistive element MRD located on the main surface of the semiconductor substrate SUB.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に位置する磁気抵抗素子ＭＲＤとを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device includes a memory cell region in which a plurality of magnetoresistive elements MRD are arranged, and a peripheral circuit region arranged around the memory cell region in top view.例文帳に追加
磁気抵抗素子ＭＲＤが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。 - 特許庁
Main block selection lines MBS0 and MBS1 connecting a main row decoder MRD and a sub row decoder SRD are composed by using memory cells in a cell block, a metal line CI used between the memory cells and the distribution layer that is the same as plate lines PL, /PL.例文帳に追加
セルブロック内のメモリセル、メモリセル間に使用する金属配線ＣＩや、プレート線ＰＬ，／ＰＬと同じ配線層を用いて、メインローデコーダＭＲＤとサブローデコーダＳＲＤを接続するメインブロック選択線ＭＢＳ０，ＭＢＳ１を構成することを特徴としている。 - 特許庁
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