「piezoelectric stress constant」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When a film is formed by heat treating piezoelectric ceramic at high temperature, inclination (piezoelectric constant d31) of the field vs displacement characteristic curve A increase in the intermediate field region due to tensile stress in the film and a piezoelectric thin film element excellent in piezoelectric characteristics can be obtained.例文帳に追加

圧電性セラミックスを高温熱処理して成膜すると、膜内部の引張応力のために中電界領域における電界対変位特性曲線Ａの傾き（圧電定数ｄ_31）が大きくなり、圧電特性に優れた圧電体薄膜素子を提供することができる。 - 特許庁

The piezoelectric layer 11 consists of stress relaxing piezoelectric layers 111 having a stress relaxing layer 18 consisting of gaps formed by baking a burning material into burn-away and provided in a circumferential direction over the entire circumferential surface 103 of the ceramic laminate 10, and a constant piezoelectric layer 112 having no stress relaxing layer 18.例文帳に追加

圧電層１１は、焼失材料を焼成によって焼失させて形成した空隙よりなり、セラミック積層体１０の外周面１０３全周に渡って周方向に設けられた応力緩和層１８を有する応力緩和圧電層１１１と、応力緩和層１８を有しない定常圧電層１１２とにより構成されている。 - 特許庁

By making voltage, generated when stress is applied to the piezoelectric element, and changing into a constant voltage by a Zener diode, the objective of reliable light-emitting device is realized.例文帳に追加

圧電素子に応力を加えた時に発生する電圧をツェナーダイオードにより、定電圧化することにより、目的を達成しようとするものである。 - 特許庁

The lattice constant of GaN16 is larger than that of Al_0.3Ga_0.7N15, so compressive stress is applied to GaN16 to strain the layer of GaN16, thereby producing a piezoelectric polarizing electric field directed from the side of Al_0.3Ga_0.7N15 to the side of GaN16.例文帳に追加

上述のように、ＧａＮ１６の格子定数はＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ１５の格子定数よりも大きいので、ＧａＮ１６には圧縮応力がかかりＧａＮ１６層を歪ませることにより、Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ１５側からＧａＮ１６側へと向かうピエゾ分極電界が生じる。 - 特許庁