pseudomorphicを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
PSEUDOMORPHIC QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
歪量子井戸構造及びその製造方法 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING E-PHEMT (ENHANCEMENT MODE PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) HAVING PROTECTIVE FUNCTION AGAINST ON-CHIP ELECTROSTATIC DISCHARGE例文帳に追加
オンチップの静電放電に対する保護機能を具備するE−pHEMT(EnhancementModePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)を有する集積回路 - 特許庁
The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.例文帳に追加
擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、GaAs BiFET技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁
To provide an IC including E-pHEMTs (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) having a ptotective function against on-chip electrostatic discharge without inviting enlargement of the size of the IC.例文帳に追加
ICのサイズの大型化を招くことなく、静電放電に対する保護機能をオンチップで有するE−pHEMTのICを実現する。 - 特許庁
To provide a structure of a MOS-PHEMT (Metal Oxide Semiconductor Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) suitable for use as a semiconductor device such as an SPDT switch of an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit), and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
MMICのSPDTスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したMOS−PHEMTの構造及びその製造方法を開示する。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a sacrificial layer 42 which is pseudomorphic to InP after joining or bonding a support substrate 10 to a flat surface 35A of a protection film 35, and then selectively removing it using hydrofluoric acid to separate the InP substrate 41 from the support substrate 10 including an InP-based device layer 21.例文帳に追加
保護膜35の平坦面35Aに支持基板10を接合もしくは接着したのち、InPと疑似格子整合するInAlAsからなる犠牲層42を、フッ酸を用いて選択的に除去することにより、InP基板41を、InP系のデバイス層21を含む支持基板10から剥離する。 - 特許庁
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