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ENHANCEMENT MODEとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エンハンスメント形
「ENHANCEMENT MODE」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
ENHANCEMENT/DEPLETION MODE PSEUDO-FORM HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加
増強/空乏モード擬似形態高電子移動度トランジスタデバイス - 特許庁
ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
エンハンスメントモードの高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
エンハンスモード電界効果デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
To easily integrate an enhancement-mode FET and a depletion-mode FET.例文帳に追加
エンハンスメントモードFETおよびデプリーションモードFETを容易に集積化すること。 - 特許庁
This constitution enables the payment according to the money payment mode of the enhancement unit by just connecting the enhancement unit to the game medium dispenser body.例文帳に追加
拡張ユニットを遊技媒体貸出装置本体に接続するだけで、その拡張ユニットの入金態様による入金を可能にする。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「ENHANCEMENT MODE」に類似した例文 |
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enhancement mode
the mode of a proposition
進行形.
the progressive form
the prevailing fashion
the ultimate in fashion
はやらなくなる
すたれている.
増すこと
「ENHANCEMENT MODE」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING E-PHEMT (ENHANCEMENT MODE PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) HAVING PROTECTIVE FUNCTION AGAINST ON-CHIP ELECTROSTATIC DISCHARGE例文帳に追加
オンチップの静電放電に対する保護機能を具備するE−pHEMT(EnhancementModePseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)を有する集積回路 - 特許庁
To provide a method for imparting a gate bias to an enhancement mode field effect transistor.例文帳に追加
エンハンスメントモード電界効果トランジスタにゲートバイアスを与える方法を提供する。 - 特許庁
To provide a PHEMT device containing both of an enhancement mode transistor and depletion mode transistor.例文帳に追加
増強モードトランジスタ及び空乏モードトランジスタの両方を含むPHEMTデバイスの提供。 - 特許庁
To provide a PHEMT device including both of an enhancement-mode transistor and a depletion-mode transistor.例文帳に追加
増強モードトランジスタ及び空乏モードトランジスタの両方を含むPHEMTデバイスの提供。 - 特許庁
To provide an amplifying circuit which does not easily generate electrostatic damage and operates by low current of electricity by constituting a quasi- enhancement mode hetero junction FET.例文帳に追加
疑似エンハンスメントモード・ヘテロ接合FETで構成され、静電気破壊が起こりにくく、低電流で動作する増幅回路を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a nominally off, or an enhancement mode, device with a III-nitride switch including a recessed gate contact.例文帳に追加
III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an easy-to-fabricate HEMT capable of performing an enhancement-mode operation, and also to provide a method of fabricating the device.例文帳に追加
容易に製造することができ、エンハンスメント動作をすることができるHEMTを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a group III nitride enhancement mode field effect device, which includes a composition and manufacturing process of the device.例文帳に追加
III族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスについての構造および製造工程がある製造方法を提供する。 - 特許庁
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