| 例文 (7件) |
si酸化を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加
Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁
The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁
In the solid state image sensing element, a metal light screen film 20 is formed through an Si oxide film 7 at least on upper layers of the photodetectors 12, 13, 14 and the vertical CCD electrodes 18, and permeable windows 21 on the photodetectors are formed as an oxide of the metal light screen film 20.例文帳に追加
この固体撮像素子では、少なくとも光検出素子（１２、１３、１４）及び垂直CCD電極１８の上層にSi酸化膜１７を介して金属遮光膜２０が形成され、光検出素子上の透過窓（２１）が金属遮光膜２０の酸化物として形成されている。 - 特許庁
In the non-linear voltage resistor porcelain composition comprising a main component containing zinc oxide, a 1st sub-component containing a rare earth element, and a 2nd sub-component containing silicon oxide; the ratio of the 2nd sub-component to 100 mol of the main component is 1 atomic %<2nd sub-component<30 atomic % in the conversion of Si.例文帳に追加
酸化亜鉛を含む主成分と、希土類元素の酸化物を含む第１副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第２副成分とを、有する電圧非直線性抵抗体磁器組成物であって、前記主成分１００モルに対する前記第２副成分の比率が、Ｓｉ換算で、１原子％＜第２副成分＜３０原子％である。 - 特許庁
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