「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SURFACE ROUGHENING METHOD OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板の粗面化法 - 特許庁

METHOD FOR MAKING SURFACE OF SILICON SUBSTRATE ROUGH例文帳に追加

シリコン基板の粗面化法 - 特許庁

METHOD FOR MACHINING SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板加工方法 - 特許庁

ETCHANT FOR SILICON SUBSTRATE, AND SURFACE PROCESSING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板のエッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRING SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭化珪素基板、半導体装置、配線基板及び炭化珪素の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE ETCHING METHOD AND SILICON SUBSTRATE ETCHING APPARATUS例文帳に追加

シリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE AND SILICON THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン貫通電極基板の製造方法及びシリコン貫通電極基板 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE AND ITS INSPECTING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板とその検査方法、及びシリコン基板の製造方法 - 特許庁

Then the silicon substrate 1 integrated with the silicon substrate 2 is made thin.例文帳に追加

次に、シリコン基板２と一体のままでシリコン基板１を薄肉化させる。 - 特許庁

METHOD OF CURING SILICON SUBSTRATE, AND SILICON SUBSTRATE CURED THEREBY例文帳に追加

シリコン基材の硬化方法及びその硬化したシリコン基材 - 特許庁

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE WAFER, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素基板、炭化珪素ウェハ、炭化珪素ウェハの製造方法及び炭化珪素半導体素子 - 特許庁

COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化珪素基板を有する複合基板 - 特許庁

Each substrate 68 comprises a silicon wafer or a quartz substrate.例文帳に追加

基板６８は、シリコンウェハ又は石英基板からなる。 - 特許庁

The substrate layer is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

下地層は、シリコン基板の上に形成される。 - 特許庁

COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素基板を有する複合基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素基板を有する複合基板の製造方法 - 特許庁

A silicon carbide substrate SB has a substrate surface 12B.例文帳に追加

炭化珪素基板ＳＢは基板面１２Ｂを有する。 - 特許庁

METHOD FOR MOLECULAR BONDING OF SILICON SUBSTRATE AND GLASS SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板とガラス基板とを分子接合する方法 - 特許庁

A 2nd substrate 40 is formed of a silicon substrate.例文帳に追加

第２の基板４０は、シリコン基板からなる。 - 特許庁

To prevent particles from being generated from the rear face of a silicon substrate caused by the lift-off of a silicon nitride film, in the silicon substrate in which a silicon oxide film and the silicon nitride film are formed on the rear face of the silicon substrate from the lower layer of the substrate in this order.例文帳に追加

シリコン基板裏面に下層から順にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜が形成されたシリコン基板において、シリコン窒化膜のリフトオフに起因するシリコン基板裏面からのパーティクル発生を抑制する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板と炭化珪素単結晶エピタキシャル基板及びその製造方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND SILICON NITRIDE SUBSTRATE HAVING THIN FILM OBTAINED BY USING THE SUBSTRATE例文帳に追加

窒化けい素基板、その製造方法およびその基板を用いた薄膜付き窒化けい素基板 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁

In this process, growth of the silicon dioxide film 15 occurs at the interface between the silicon substrate 1 and the silicon dioxide film 15 (that is, the surface of the silicon substrate 1).例文帳に追加

これにより、二酸化シリコン膜１５の成長は、シリコン基板１と二酸化シリコン膜１５との界面（シリコン基板１の表面）で起こる。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素半導体基板およびそれを用いた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

A first silicon nitride film 3 is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１のシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

The silicon of the silicon substrate 1 inside the groove 10 is eliminated mechanically.例文帳に追加

溝１０の内側のシリコン基板１のシリコンを機械的に除去する。 - 特許庁

An n^- silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶基板 - 特許庁

APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶基板 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 - 特許庁

SILICON PROCESSING METHOD AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK例文帳に追加

シリコンの加工方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE INGOT, AND METHODS FOR MANUFACTURING THOSE例文帳に追加

炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法 - 特許庁

An oxide film and a silicon nitride film are formed on a silicon substrate 21.例文帳に追加

シリコン基板２１上に酸化膜およびシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶基板 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY FLOAT ZONE METHOD, AND SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CUBIC SILICON CARBIDE CRYSTAL FILM ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

ケイ素基板上に立方晶炭化ケイ素結晶膜を形成する方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

炭化珪素単結晶、炭化珪素基板およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE PROVIDED WITH SILICON LAYER CONTAINING CRYSTAL GRAIN OF SILICON例文帳に追加

シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the silicon substrate through the silicon oxide film.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜を通してイオン注入を行う。 - 特許庁

The backside of a silicon substrate 12 is formed roughly along (110) face of silicon.例文帳に追加

シリコン基板１２の裏面を、シリコンのほぼ（１１０）面に沿って形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on the silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する。 - 特許庁