「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(204ページ目)

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > silicon substrateの意味・解説 > silicon substrateに関連した英語例文

>"silicon substrate"に完全一致する例文のみを検索する

セーフサーチ：オフ

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

意味

例文 (999件)

silicon substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10158件

＜前へ 1 2 .... 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204

例文

The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

The method for positioning the die module array includes forming a physical reference surface directly on an individual silicon die module, providing a temporary holder including an alignment tool, arranging a die on the temporary holder by abutting the physical reference surface against the alignment tool, temporarily fixing the die arranged on the temporary holder, and bonding a permanent substrate to the die arranged on the temporary holder.例文帳に追加

個別のシリコンダイモジュール上に物理的な参照基準面を直接形成するステップと、アライメントツールを含む仮ホールダを提供するステップと、前記アライメントツールに対して前記物理的な参照基準面を突合わせることによって、前記仮ホールダ上にダイを配置するステップと、前記仮ホールダ上に配置された前記ダイを仮固定するステップと、前記仮ホールダ上に配置された前記ダイに、永久基板を接着するステップと、を含むことを特徴とするダイモジュールアレイの位置決め方法が提供される。 - 特許庁

The positively chargeable electrophotographic photo-receptor is provided on a conductive substrate 1 with a single layer type photosensitive layer 2 containing a phthalocyanine compound and a positive hole transfer compound and an electron transfer compound, and this phthalocyanine compound has at least one of titanium, gallium, and silicon as a central metal and it is contained in this photoreceptor in an amount of 2-20 weight % of the binder resin.例文帳に追加

導電性基体上に、フタロシアニン化合物、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物を含む単層型感光層において、該フタロシアニン化合物がチタン、ガリウム、珪素のうち少なくともいずれか一つの元素を中心金属として含有するフタロシアニンであり、かつ該フタロシアニン化合物が、バインダー樹脂１００重量部に対して２重量部以上２０重量部以下含まれる正帯電型電子写真感光体。 - 特許庁

The fuel battery system is provided with a fuel battery cell 110 generating power with hydrogen as fuel, a hydrogen storage vessel 100 supplying the fuel battery cell 110 with hydrogen, piping channels fitted at the hydrogen storage alloy vessel 100, a detection-use pressure sensor 103 formed on a silicon substrate 101 arranged between the piping channels fitted to the fuel battery cell 110, and a pressure regulating valve 104 as well as a safety valve.例文帳に追加

燃料電池システムは、水素を燃料として電力を発電する燃料電池セル１１０と、該燃料電池セル１１０に水素を供給する水素吸蔵容器１００と、該水素吸蔵合容器１００に配置された配管経路と、上記燃料電池セル１１０に配置された配管経路との間に配設されたシリコン基板１０１に形成された検出用圧力センサ１０３と、圧力調整弁１０４と安全弁とを備えている。 - 特許庁

例文

The wiring forming method is the one wherein a formed polysilicon film 13 and a formed WS film 15 on a silicon substrate 1 are so patterned into a wiring shape as to form a gate wiring 10 comprising the polysilicon film 13 and the WS film 15.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５からなるゲート配線１０を形成する方法であって、ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５の上方にＢＡＲＣ膜２１を形成し、このＢＡＲＣ膜２１上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン３２を形成し、このレジストパターン３２をマスクにＢＡＲＣ膜２１をＣＨＦ_３ガスとＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとからなる第１混合ガスでドライエッチングする。 - 特許庁

例文

A method of fabricating a raised source/drain CMOS device, includes preparing a silicon substrate; depositing a layer of gate oxide; forming a gate placeholder; forming a raised source/drain region; implanting, activating and diffusing ions in the raised source/drain region to form a source region and a drain region; and replacing the gate placeholder with gate material.例文帳に追加

積み上げソース／ドレインＣＭＯＳデバイスを製造する方法は、シリコン基板を準備する工程と、ゲート酸化物層を堆積させる工程と、ゲートプレースホルダーを形成する工程と、積み上げソース／ドレイン領域を形成する工程と、上記積み上げソース／ドレイン領域中でイオンの注入、活性化および拡散を行なって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と；上記ゲートプレースホルダーとゲート材料とを取り換える工程とを含む。 - 特許庁

An underlayer 12 which is an inorganic compound film containing grains based on at least one oxide selected from among cobalt oxide, chromium oxide, iron oxide and nickel oxide and at least one oxide present in an amorphous state on the grain boundaries of the grains and selected from among silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, tantalum oxide and zinc oxide is formed on a substrate 11 and a magnetic film 13 is formed on the underlayer 12.例文帳に追加

基板上１１に、酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を主体とする結晶粒と、該結晶粒の粒界に非晶質として存在する酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を含む無機化合物膜の下地膜１２を形成し、その上に磁性膜１３を形成する。 - 特許庁

例文

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁