「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(201ページ目) - Weblio英語例文検索

In the magneto-optical recording medium D having at least enhance layers 6, 10, a magneto-optical recording layer 8 and a protective layer 12 formed on a transparent substrate 2, the protective layer consists of a lubricating base film 12A containing at least one of tin oxide, zinc sulfide and zinc oxide and a silicon-based polymer lubricating film 12B.例文帳に追加

透明基板２上に、エハンス層６，１０と、光磁気記録層８と、保護層１２とが少なくとも形成された光磁気記録媒体Ｄにおいて、前記保護層を、粒径が所定の値になされた酸化チタン、酸化スズ、硫化亜鉛、酸化亜鉛の内、少なくとも１つを含んだ潤滑ベース膜１２Ａと、シリコン系高分子の潤滑膜１２Ｂとにより形成する。 - 特許庁

A titanium silicide film 22 is formed through a silicon film 21 on an impurity semiconductor region 11 of a memory cell selecting MISFETQs where a bit line BL is formed, and a plug 20 formed inside a connection hole 19 is made of a metal film, so that the bulk resistance and contact resistance of a plug 20 are reduce with no erosion of a semiconductor substrate 1 by the titanium silicide film 22.例文帳に追加

ビット線ＢＬが形成されるメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓの不純物半導体領域１１上にシリコン膜２１を介してチタンシリサイド膜２２を形成し、接続孔１９の内部に形成されるプラグ２０を金属膜で構成することによって、半導体基板１をチタンシリサイド膜２２で侵食することなく、プラグ２０のバルク抵抗およびコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

A photoelectric converter comprises: a silicon substrate 1; a photoelectric converting element 5; an antireflection film 9 for preventing incident light from being reflected by a light receiving surface of the photoelectric converting element 5; an element isolation region 2 including an insulator for isolating the photoelectric converting element 5; an interlayer insulating film; multiple transistors; and conductive members electrically connected to active regions of the transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。 - 特許庁

With respect to the semiconductor device in which element regions 107 and 108 are isolated and formed by element isolation regions 106 which are formed in a given patter on a silicon substrate and gates 115 and 116 of MOSFET are placed in the element regions 107 and 108, dummy element regions 109 are formed in the element isolation regions 106 and dummy gates 117 are formed in the dummy element regions 109.例文帳に追加

シリコン基板に所要のパターンに形成された素子分離領域１０６により素子領域１０７，１０８が区画形成され、その素子領域１０７，１０８にＭＯＳＦＥＴのゲート１１５，１１６が配設されている半導体装置において、素子分離領域１０６にはダミー素子領域１０９が形成され、かつダミー素子領域１０９にダミーゲート１１７が形成される。 - 特許庁

This resistance variation type infrared sensor has a membrane structure 2 provided on a silicon semiconductor substrate 1 and a gap 3 formed below the membrane structure 2, which is formed by stacking and forming a base film 4, a resistance film 5, a protection film 6, and an infrared-ray absorption film 7 in order; and the infrared-ray absorption film is formed of alloy consisting principally of nickel and zinc.例文帳に追加

シリコン半導体基板１上に設けられたメンブレン構造２と該メンブレン構造２の下に形成された空隙３を備え、前記メンブレン構造２は支持膜４，抵抗膜５，保護膜６，赤外線吸収膜７が順次積層・形成された抵抗変化型赤外線センサにおいて、前記赤外線吸収膜がニッケルと亜鉛を主成分とする合金からなる抵抗変化型赤外線センサ。 - 特許庁

The optical element 1 is constituted by laminating, on a substrate 2, a high refraction layer 3 formed by ditantalum pentaoxide or hafnium dioxide, a low refractive index layer 4 formed by silicon oxide, and a high refractive index layer 5 formed by ditantalum pentaoxide or halnium dioxide and by laminating a contamination-resisting coating (fluorine compound) 6 having such thickness that does not affect the optical characteristics adversely on them.例文帳に追加

本発明の光学素子１は、基板２に、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折層３と、酸化ケイ素からなる低屈折率層４と、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折率層５とを積層し、その上に光学特性に影響を与えない程度の厚さの防汚コート（フッ素化合物）６を積層してなる。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

To provide a cleaning solution capable of efficiently removing particles, such as an impurity metal, an Impurity inorganic material, an abrasive grain, and the like, in surfaces of a metal film or the like formed on a substrate, such as a silicon wafer or the like; and to provide a cleaning method using it.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、シリコンウエハなどの基材上に形成された金属膜などの表面に存在する不純物金属、不純物無機材料、砥粒などのパーティクル等を効率的に除去することができる洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element 1, in which a base film 3 and a silicon film 4 are stacked in this order on a transparent substrate 2, is characterized in that the base film 3 has a higher thermal conductivity than that of the semiconductor film 4, and the semiconductor film 4 is a layer of semiconductor that is melted by irradiating the semiconductor element 1 with laser and then crystallized.例文帳に追加

透明基板２上に、下地膜３、シリコン膜４の順に積み重ねられた半導体素子１であって、下地膜３は、半導体膜４よりも熱伝導度が高く、半導体膜４は、半導体素子１をレーザ照射することにより溶融された半導体が結晶化された層であることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

The article 10 comprises a substrate 12 formed of a silicon-comprising material, and further comprises an environmental barrier layer 16, e.g., an alkaline earth metal aluminosilicate, and a top coat 18 comprising zirconia or hafnia stabilized with up to about 10 mol% of an oxide of a metal selected from the group consisting of magnesium, calcium, scandium, yttrium, and lanthanide metals, and mixtures thereof.例文帳に追加

ケイ素含有材料からなる基材１２を含み、さらに、環境バリヤー層１６（例えば、アルカリ土類金属アルミノケイ酸塩）と、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、イットリウム及びランタニド金属及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の酸化物１０モル％以下で安定化したジルコニア又はハフニアを含むトップコート１８とを含む物品１０。 - 特許庁

An interlayer dielectric 11 with the copper wire 14 filled in is formed on the semiconductor base material with an electronic component including a transistor and a magnetic tunnel junction element formed on the semiconductor substrate, and a silicon nitride film having a film density of not less than 2.5 g/cm^3 as the liner film 15 is formed on the interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタと磁気トンネル接合素子とを含む電子部品を形成した半導体基材上に、銅配線１４を埋め込んだ層間絶縁膜１１を形成し、この層間絶縁膜１１上にライナ膜１５として２．５ｇ／ｃｍ^3以上の膜密度を有するシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device employing a silicon film having crystallinity formed on a glass substrate as an active region, the active region 109 comprises a group of grains arranged linearly substantially in one direction (a region delimited by grain boundary GB) wherein the shift of face orientation between the linear group of grains and an adjacent linear group of grains is set within 10°.例文帳に追加

ガラス基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜を活性領域として用いた半導体装置において、活性領域１０９は、略一方向に沿って並んだライン状の結晶粒群(結晶粒界ＧＢにより境界が示された領域)により構成されており、かつ、そのライン状の結晶粒群とそれに隣接するライン状の結晶粒群との間の面方位のずれは１０゜以内である。 - 特許庁

Both the concentration of arsenic at a maximum concentration portion and that of phosphorus at a maximum concentration portion are at least 1026 atom/m^3 and up to 1027 atom/m^3, and the depth of the maximum concentration portion of phosphorus from the surface of the silicon substrate is up to that of the maximum concentration portion of arsenic.例文帳に追加

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたゲート電極と、ひ素およびリンを含有する拡散層とを備え、ひ素の最高濃度部の濃度とリンの最高濃度部の濃度がともに1026原子/m3以上1027原子/m3以下であり、なおかつリンの最高濃度部の前記シリコン基板表面からの深さがひ素の最高濃度部の深さ以下であるようにする。 - 特許庁

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁

A polycrystalline silicon layer 150d having a source region 153d, drain region 155d, channel region 154d and lightly doped region 152d is formed in a pixel area on an insulating substrate, then two-layered gate insulating films 401, 402 are formed thereon, and then a gate electrode 124d is formed via the insulating film 401 thereon.例文帳に追加

絶縁基板上の画素部にソース領域１５３ｄ、ドレイン領域１５５ｄ、チャネル領域１５４ｄ及び低濃度ドーピング領域１５２ｄを有する多結晶シリコン層１５０ｄが形成され、その上に２層のゲート絶縁膜４０１、４０２が形成され、その上に絶縁膜４０１を介してゲート電極１２４ｄが形成される。 - 特許庁

To provide a physical quantity sensor that reduces stress caused by a difference in thermal expansion from a circuit board which operates, particularly, on a silicon substrate and makes it attainable to easily and suitably confirm that a pressure sensor is soldered on the circuit board, a method of manufacturing the same, and a physical quantity sensor mounting structure.例文帳に追加

特に、シリコン基板に作用する回路基板との熱膨張差に起因した応力を低減でき、さらに、簡単且つ適切に、圧力センサが回路基板上に半田付けされていることを確認できる物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a plurality of fuse wires 2 are formed on an interlayer insulating film 3 in an upper layer on a semiconductor substrate 1, grooves 7 are formed on the interlayer insulating film 3 between adjacent fuse wires 2, and a silicon nitride film 8 of a specified thickness is so formed as to cover the sides and the upper face of each fuse wire 2.例文帳に追加

半導体基板１の上層において層間絶縁膜３上に形成された複数のヒューズ用配線２を備えた半導体装置であって、層間絶縁膜３には、隣接するヒューズ用配線２間において溝７が形成されており、ヒューズ用配線２の側面から上面にかけてを覆うように所定の膜厚のシリコン窒化膜８が形成されている。 - 特許庁

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

The trench isolation structure 20 has structures that an insulation film 4 is disposed on the inner surface of a trench provided inside a silicon substrate 1, and that doped polysilicon for which phosphorus is doped to the density of about 1×1020/cm3 for instance as the conductor 3 is buried on a lower part side inside a trench space stipulated by the insulation film 4.例文帳に追加

トレンチ分離構造２０はシリコン基板１内に設けられたトレンチの内面に絶縁膜４を配設し、絶縁膜４で規定されるトレンチ空間内の下部側に、導電体３として、例えばリンを１×１０^20／ｃｍ^3程度の濃度にドープしたドープトポリシリコンが埋め込まれた構成を有している。 - 特許庁

To provide a deposition apparatus and a deposition method which can reduce the quantity of the electric power to be used by utilizing chemical energy accompanying catalyst reaction, and can efficiently deposit a thin film of metal oxide such as zinc oxide, a thin film of metal nitride such as gallium nitride and aluminum nitride, a thin film of silicon nitride or the like on a substrate at low cost.例文帳に追加

触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。 - 特許庁

In a junction FET using silicon carbide as a substrate material, impurities are doped to a vicinity of a p-n junction between a gate region GR and a channel-formed region, the impurities having a conductive type which is reverse to that of impurities doped in the gate region GR and same as that of impurities doped in the channel-formed region.例文帳に追加

炭化シリコンを基板材料として使用した接合ＦＥＴにおいて、ゲート領域ＧＲとチャネル形成領域との間のｐｎ接合近傍に、ゲート領域ＧＲに導入されている不純物とは逆導電型であり、チャネル形成領域に導入されている不純物と同じ導電型の不純物を導入する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device comprises the steps of adhering a silicon wafer 10 to a supporting substrate 8 through an oxide film 20, forming a drain layer 11 by grinding the wafer 10, forming a buffer layer 12 and a high resistance layer 13 on the layer 11 by an epitaxial growth, and forming a MOS gate structure on the surface of the layer 13.例文帳に追加

シリコンウェハ１０を支持基板８と酸化膜２０を介して接着する工程と、上記シリコンウェハ１０を研削してドレイン層１１を形成する工程と、ドレイン層１１の上にバッファ層１２及び高抵抗層１３をエピタキシャル成長で形成する工程と、高抵抗層１３の表面にＭＯＳゲート構造を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing the ferroelectric capacitor according to this invention comprises the steps of: forming a platinum film, an electrode material, on the whole surface of a silicon substrate; forming facing electrodes which are a pair of capacitor electrodes obtained by collectively etching the platinum film; and embedding the ferroelectric film, a dielectric film of the capacitor, into a portion pinched between a pair of the facing electrodes.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。 - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

To solve the problem that when a thin film transistor on the TFT substrate side of a liquid crystal display device is irradiated with back light, the light is repeatedly reflected between the source-drain electrode and gate electrode of a TFT while transmitted through an amorphous silicon semiconductor area to impinge on a front channel, thereby generating a light off-leak current in the TFT.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ基板側の薄膜トランジスタにバックライト光が照射されると、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極との間で、アモルファスシリコン半導体領域を透過しながら多重反射し、フロントチャネルに光が入射され、ＴＦＴに光オフリーク電流が発生する。 - 特許庁

On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁

The silicon substrate is tilted so that the side surface opposite to the former points upward, a converged ion beam is radiated to the upward pointing side surface from the perpendicular direction to cut it into a thin-film-like thin piece including the fault place, thereby preparing the flat TEM sample including the fault place from the semiconductor integrated circuit having the wiring layer on its surface.例文帳に追加

そして、前記側面とは反対側の側面が上を向くようにシリコン基板を傾け、上を向いた側面に対し垂直方向から収束イオンビームを照射して不良箇所を含む薄膜状の薄片に切り出すことにより、表面に配線層が形成された半導体集積回路から不良箇所を含む平面ＴＥＭサンプルを作製する。 - 特許庁

By irradiating the peripheral part of the laminated film of the thin-film solar cell panel having the laminated film having a transparent electrode film, a silicon film and a metal film on a transparent substrate formed on the base layer with a laser beam oscillated from a CW laser of output power ≥200W, the laminated film is removed over the whole circumference of the peripheral part including the base layer.例文帳に追加

下地層の形成された透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及び金属膜からなる積層膜を有している薄膜太陽電池パネルの積層膜の周縁部に、出力２００Ｗ以上のＣＷレーザーから発振せしめたレーザービームを照射し、周縁部の全周に亘って積層膜をその下地層を含めて除去すること。 - 特許庁

A two-layered mask layer is formed on a single crystal silicon substrate, anisotropic etching and isotropic etching are performed by using a first mask layer to form a concave part having a diameter a little smaller than that of a desired microlens mold and, thereafter, isotropic etching is performed and the concave part is magnified by using a second mask layer to provide the microlens mold having a desired dimensions.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、２層のマスク層を形成し、第１のマスク層を用いて異方性エッチング及び等方性エッチングを行い所望のマイクロレンズ用型よりもやや径の小さい凹部を形成した後に、第２のマスク層を用いて等方性エッチングを行ってその凹部を拡大することにより、所望の寸法のマイクロレンズ用型を得る。 - 特許庁

A semiconductor device includes a plurality of source diffusion layers 110 and a plurality of drain diffusion layers 111 (Fins) in the shape of rectangular parallelepiped which are formed on a substrate 100 consisting of silicon and arranged in parallel with a space therebetween, and a gate electrode 106 formed on the plurality of Fins while intersecting each Fin with a gate insulating film 105 therebetween.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンからなる基板１００の上に形成され、それぞれ互いに間隔をおき且つ並列に配置された直方体状の複数のソース拡散層１１０及び複数のドレイン拡散層１１１（Ｆｉｎ部）と、複数のＦｉｎ部の上に、各Ｆｉｎ部と交差すると共にそれぞれゲート絶縁膜１０５を介在させて形成されたゲート電極１０６とを有している。 - 特許庁

Since openings 10c and 10d are formed at an embedded silicon oxide film 10b by dry etching and the SOI layer 10A is connected partially with a wafer 20 for a supporting substrate at a connection area part X, iron and nickel in the SOI layer 10A can be captured to the gettering site of the wafer 20 via the connection area part X.例文帳に追加

ドライエッチングにより埋め込みシリコン酸化膜１０ｂに開口部１０ｃ，１０ｄを形成し、ＳＯＩ層１０Ａと支持基板用ウェーハ２０とを連結領域部Ｘで部分的に連結したので、ＳＯＩ層１０Ａ中の鉄、ニッケルを連結領域部Ｘを介して支持基板用ウェーハ２０のゲッタリングサイトに捕獲できる。 - 特許庁

The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。 - 特許庁

Concerning the electromigration evaluating device having evaluation wiring for electromigration evaluation composed of a metal film formed on a silicon substrate and a pad composed of the same metal as evaluation wiring formed at both the terminals of test wiring, the pad is covered with the metal film of a small thermal expansion coefficient.例文帳に追加

本発明のエレクトロマイグレーション評価装置は、シリコン基板上に形成された金属膜からなるエレクトロマイグレーション評価用の評価配線と、この試験配線の両端部に形成された評価配線と同一金属からなるパッドとを有するエレクトロマイグレーション評価装置に関して、前記パッドを熱膨張係数の小さい金属膜で被覆する。 - 特許庁

The superconductor three-terminal element is constituted with a superconductor source electrode 102a and a superconductor drain electrode 102b, formed of cobalt silicates provided at predetermined intervals kept on a substrate 101 formed of silicon, a carbon nanotube 103 formed to bridge between the electrodes 102a, 102b, and a gate electrode 105 allocated on the carbon nanotube.例文帳に追加

シリコンからなる基板１０１の上に所定の間隔をあけて設けられたコバルト珪化物から構成された超伝導ソース電極１０２ａ及び超伝導ドレイン電極１０２ｂと、これらの間に架橋するように形成されたカーボンナノチューブ１０３と、この上に配置されたゲート電極１０５とにより、超伝導三端子素子を構成する。 - 特許庁

Concerning the memory device having plural memory cells formed above a substrate and a driving circuit for driving the memory cells, each of memory cells has a membrane-like insulated gate type transistor, and the channel forming area of the membrane-like insulated gate type transistor has a monocrystal silicon.例文帳に追加

基板上方に形成された複数のメモリー素子と、前記メモリー素子を駆動する駆動回路とを有するメモリー装置において、前記メモリー素子は、薄膜状絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記薄膜状絶縁ゲート型トランジスタのチャネル形成領域は、単結晶シリコンを有することを特徴とするメモリー装置である。 - 特許庁

To make a metal film for absorbing oxygen absorb sufficient oxygen in a closed space, and form a closed space of high vacuum by preventing the metal film from combining with oxygen which exists in a part except for the closed space, in a semiconductor device having the closed space between a silicon substrate and a glass lid.例文帳に追加

シリコン基板とガラス蓋との間に密閉空間を有する半導体装置において、酸素吸収用金属膜と密閉空間以外に存在する酸素との結合を防止することにより、酸素吸収用金属膜に密閉空間内の酸素を十分吸収させて、真空度の高い密閉空間を形成する - 特許庁

A prescribed portion of a silicon nitride film formed on the conductive layer on a semiconductor substrate is exposed to fluorine radical generated from a gas containing NF3 introduced into a plasma to expose the prescribed portion of the conductive layer and then an upper conductive layer electrically connected to the exposed conductive layer is formed thereon.例文帳に追加

導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したＮＦ_3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor device, logic circuits (representatively, a driving circuit driving pixels, an image processing circuit, etc.) which are conventionally mounted as a silicon chip are formed on a substrate where pixels are formed and a problem of power consumption at this time is solved by making nonvolatile registers and a latches circuit that logic circuits have.例文帳に追加

本発明は半導体装置において、従来はシリコンチップで実装される論理回路（代表的には、画素を駆動する駆動回路、画像処理回路等）を、画素を形成する基板上に形成すると共に、その際に問題となる消費電力の課題に対しては、論理回路が有するレジスタ及びラッチ回路に不揮発性を持たせることで解決する。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A barrier film has at least one layer of organic layer on a resin substrate, wherein a first SiO_x (x>2) layer having a thickness of 5 to 150 nm on the organic layer and at least two layers of inorganic layers which contain silicon atoms and oxygen atoms are formed on the SiO_x (x>2) layer.例文帳に追加

樹脂基材上に少なくとも１層の有機層を有するバリア性フィルムにおいて、該有機層上に厚み５〜１５０ｎｍの第１のＳｉＯ_ｘ（ｘ＞２）層が積層され、該ＳｉＯ_ｘ（ｘ＞２）層上にケイ素原子及び酸素原子を含有する無機層を少なくとも２層以上有することを特徴とするバリア性フィルム。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The ferroelectric memory is equipped with a plurality of capacitors 19 which are provided above a silicon substrate 1 comprising lower electrodes 13, ferroelectric films 14, and upper electrodes 15; and a poly silazane film 21 which is provided on the capacitors 19 and among a plurality of the capacitors 19, and in a gap between the capacitors 19 so as to fill it up.例文帳に追加

強誘電体メモリは、シリコン基板１の上方に設けられ、下部電極１３、強誘電体膜１４および上部電極１５を含む複数のキャパシタ１９と、複数のキャパシタ１９上および複数のキャパシタ１９間に設けられ、かつ、複数のキャパシタ１９間の隙間を埋め込む、ポリシラザン膜２１とを備えている。 - 特許庁