「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(194ページ目) - Weblio英語例文検索

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

The method for measuring the dopant concentration of epitaxial layer measures the dopant concentration of epitaxial layer which is formed on a silicon substrate and is of the same conductive type to the substrate, by using a C-V method, in which an electrode of 1.5 mm or smaller in diameter is formed on the epitaxial layer, and a C-V characteristic is obtained using the electrode, then the dopant concentration is measured.例文帳に追加

シリコン基板上に形成され、該シリコン基板と同じ導電型を有するエピタキシャル層のドーパント濃度をＣ−Ｖ法により測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法であって、少なくとも、前記エピタキシャル層上に直径１．５ｍｍ以下の電極を形成し、該電極を用いてＣ−Ｖ特性を求めてドーパント濃度を測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法。 - 特許庁

The acoustic sensor 1 includes a diaphragm 3 formed on a silicon substrate 2 and vibrated by sound; and a back plate 4 opposite to the diaphragm 3 and detects sound, by detecting a capacitance change between the diaphragm and the back plate, wherein a capacitive component 10, that is referenced by an amplifier section that receives and amplifies a signal denoting the capacitance change, is provided on the substrate 2.例文帳に追加

本実施形態の音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、容量変化の信号を受信して増幅する増幅部が参照するための容量成分１０を基板２上に備えている。 - 特許庁

A surface silicon layer and a buried oxide film are removed, an opening is formed so that a supporting substrate can be exposed, the supporting substrate in the opening is provided with low concentration diffuse layers whose conductive types are opposite and identical to that of the supporting board, and a pn junction diode is formed in the low concentration diffuse layers so that a semiconductor device can be constituted.例文帳に追加

表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に支持基板と逆導電型と同導電型の低濃度拡散層を設け、低濃度拡散層内にＰＮ接合ダイオードを形成することを特徴とする半導体装置を使用する。 - 特許庁

A hole 5 that contains a groove cut on the surface of a silicon substrate W as an object of processing is filled through a filling method comprising a titanium film forming process in which a titanium metal film 6 is formed on the surface of the substrate, an etching process in which the surface of the titanium metal film 6 is uniformly removed as thick as prescribed excluding its part that combines with the ground material.例文帳に追加

シリコン基板Ｗよりなる被処理体の表面に形成されている溝を含むホール５を埋め込む埋め込み方法において、前記被処理体の表面にチタン金属膜６を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン金属膜の表面を、チタン塩化物ガスをエッチングガスとして下地と化合した部分を除いて所定の厚さだけ略均一に除去するエッチング工程とを有する。 - 特許庁

The method for sealing the gas jet port comprises attaching a pressure-sensitive adhesive tape containing a metal substrate and a layer of a silicon-based pressure-sensitive adhesive composition on the metal substrate, to the gas jet port of an air bag inflator, wherein the pressure-sensitive adhesive composition contains a silicone-based pressure-sensitive adhesive and aluminum hydroxide dispersed into the silicone-based pressure-sensitive adhesive.例文帳に追加

金属基材、及び、該金属基材上のシリコーン系粘着剤組成物の層を含み、該粘着剤組成物がシリコーン系粘着剤と、該シリコーン系粘着剤中に分散した水酸化アルミニウムを含む粘着テープをエアバッグインフレータのガス噴出口に貼り付け、該ガス噴出口を封止する方法。 - 特許庁

When etching to form a side wall spacer 19 consisting of a silicon oxide film on the side wall of a gate electrode 16, over-etching is applied more than normal to etch an SOI substrate 1, so that a forward taper (t_2) of at least preferably 40 nm, 70 nm or more is formed on the SOI substrate 1 at the upper end of an element separation groove 10.例文帳に追加

ゲート電極１６の側壁に酸化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサ１９を形成するためのエッチングを行う際、オーバーエッチング量を通常よりも多めに実施することによって、ＳＯＩ基板１をエッチングし、素子分離溝１０の上端部のＳＯＩ基板１に４０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上の順方向テーパ（ｔ_２）を形成する。 - 特許庁

This integrated surface plasmon resonance sensor can sequentially analyze the presence of occurrence of biochemical reactions in plural samples while relatively moving a transparent substrate and a silicon substrate by entering a laser beam emitted from the minute optical element into the transparent substrate through a diffraction grating and by detecting the intensity of reflected light emitted from the transparent substrate through another diffraction grating adjacent to the diffraction grating by the minute optical element.例文帳に追加

本発明の集積型表面プラズモン共鳴センサは、微細光学素子から出射されるレーザ光を回折格子を介して透明基板内に入射させると共に金属薄膜の試料搭載領域に照射し、回折格子に隣接する他の回折格子を介して透明基板から出射される反射光の強度を微細光学素子で検出することにより、透明基板とシリコン基板とを相対移動させながら、複数の試料における生化学反応の発生の有無を順次分析できる。 - 特許庁

The coating liquid forms a coating film for diffusing a phosphor dopant for forming a phosphor diffusion layer on a silicon crystal substrate by the ink jet coating method in a manufacturing process of a crystalline solar cell contains a phosphorus compound and a silicon compound as solutes, and contains an alcohol of which the number of carbon atoms is ≥6 as a solvent in a rate of ≥50 wt.% of the whole solvent amount in the coating liquid.例文帳に追加

結晶系太陽電池の製造工程において、リン拡散層形成用のリンドーパント拡散用塗布膜をインクジェット塗布法によりシリコン結晶基板に形成するための塗布液であり、溶質としてリン化合物およびケイ素化合物を含有し、かつ溶媒として炭素数６以上のアルコールを前記塗布液中の全溶媒量に対して５０重量％以上含有することを特徴とするリンドーパント拡散用塗布液により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer for a CMOS device having the optimal characteristics even for a small transistor having a p-MOS transistor and an n-MOS transistor with the same characteristics and equipped with a SiGe film providing a strain characteristic by an optimal stress for the n-MOS transistor and a SiC film providing a strain characteristic by an optimal stress for the p-MOS transistor on the same silicon substrate.例文帳に追加

同じ特性のｎ−ＭＯＳトランジスタとｐ−ＭＯＳトランジスタとを有し、ｎ−ＭＯＳトランジスタに最適な応力による歪特性をもたらすＳｉＧｅ膜と、ｐ−ＭＯＳトランジスタに最適な応力による歪特性をもたらすＳｉＣ膜とを同一シリコン基材上に備えた、小さいサイズのトランジスタに対しても、最適な特性を持つＣＭＯＳデバイス用のシリコンウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

The optical member has the plastic substrate and the multilayer antireflection film formed by vacuum deposition, wherein at least one layer in the antireflection film is a hybrid layer formed using at least one inorganic material selected from silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, yttrium oxide and niobium oxide and a silicon-free organic compound which is liquid at normal temperature and normal pressure as materials for vacuum deposition.例文帳に追加

プラスチック基材と、真空蒸着で形成された多層反射防止膜とを有する光学部材であって、反射防止膜中の少なくとも１層が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも１種の無機物質と、常温、常圧下で液体であるケイ素非含有有機化合物とを蒸着原料として、形成されるハイブリッド層である光学部材である。 - 特許庁

A capacitive ultrasonic transducer device includes: a capacitive ultrasonic transducer (cMUT) obtained by processing a silicon substrate by using a silicon micromachining technique; and an oscillator circuit having the cMUT as a capacitor, and outputting a frequency modulation signal by modulating a frequency of an oscillation signal to be output on the basis of a change of capacitance of the cMUT.例文帳に追加

本発明にかかる静電容量型超音波トランスデューサ装置は、シリコンマイクロマシーニング技術を用いてシリコン基板を加工した静電容量型超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）と、キャパシタとして前記ｃＭＵＴを構成要素とし、該ｃＭＵＴの静電容量の変化に基づいて、出力する発振信号の周波数を変調させて周波数変調信号を出力する発振回路と、を備えることにより、上記課題の解決を図る。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.例文帳に追加

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 0.93-1.0, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３を越え１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

In the horizontal insulated gate bipolar transistor, there are four or above stripe-like collectors which are insulated and separated from a semiconductor substrate, are formed by straddling a plurality of adjacent single crystal silicon regions, are formed on main surfaces of a plurality of the single crystal silicon regions, and are arranged in end parts of the single crystal silicone regions interposing stripe-like emitters arranged by making them face the collectors.例文帳に追加

本発明の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、半導体基板から互いに絶縁分離されていて隣接した複数の単結晶シリコン領域に跨って形成されており、前記複数の単結晶シリコン領域の各主表面に形成した、ストライプ形状のコレクタが、該コレクタに対向して配置したストライプ形状のエミッタを挟み、単結晶シリコン領域の端部に配置したコレクタの数が４つ以上ある。 - 特許庁

The substrate 1 is composed of aluminum and the granular crystalline semiconductor 2 is composed of silicon and the granular crystalline semiconductor 2 can be bonded well to the substrate 1 by heating them at 577°C or above while touching each other thereby bonding them through the complex 20 produced by diffusing particles 22 composed of the material of the granular crystalline semiconductor 2 into the alloy 21 of the granular crystalline semiconductor 2 and the substrate 1.例文帳に追加

また、その製造方法として、上記基板１がアルミニウムから成り、上記粒状結晶半導体２がシリコンから成り、上記粒状結晶半導体２と基板１とを接触させた状態で５７７℃以上の温度で加熱することによって上記粒状結晶半導体２と基板１とを、上記粒状結晶半導体２と基板１の合金２１中に上記粒状結晶半導体２の材料からなる粒子２２が分散された複合体２０で接合することにより、基板１と粒状結晶半導体２の良好な接合を形成することを可能とする。 - 特許庁

The substrate with a photosensitive coat is obtained by forming a photosensitive coat which is colored by irradiation with UV of ≤300 nm wavelength but not colored under light of >300 nm wavelength on a substrate, e.g. a photosensitive coat comprising silicon oxide as a matrix component and silver ions stabilized as a complex by a compound having an amino group on a substrate.例文帳に追加

基体上に、３００ｎｍ以下の波長の紫外線を照射することによって着色し、３００ｎｍを超える波長の光では着色しない感光性被膜、例えば、酸化ケイ素をマトリックス成分とし、アミノ基を有する化合物によって錯体安定化された銀イオンを含むことを特徴とする感光性被膜、が形成された感光性被膜付き基体とその製造方法、および感光性被膜付き基体を用いた着色膜付き基体の製造方法。 - 特許庁

In a nonvolatile memory such as an EEPROM for writing/erasing data electrically, each memory cell constituting the memory has source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b formed on a semiconductor substrate, a gate electrode 27 formed on the channel region of the semiconductor substrate, and a gate insulating film 26 of three layers including a silicon nitride film formed between the semiconductor substrate and the gate electrode 27.例文帳に追加

データを電気的に書き込み・消去可能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリにおいて、前記メモリを構成する各メモリセルが、半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂと、前記半導体基板のチャネル領域上に形成されるゲート電極２７と、前記半導体基板と前記ゲート電極２７との間に形成されるシリコン窒化膜を含む３層のゲート絶縁膜２６とを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing an inkjet recording head includes a metal mask formation step of forming a metal mask 19 having a predetermined shape containing a silicide film 16 formed by silicidation of the surface of a flow path forming substrate wafer 110 containing a silicon substrate and a liquid flow path formation step of forming a liquid flow path by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 using the metal mask 19 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０の表面をシリサイド化させて形成したシリサイド膜１６を含む所定形状のメタルマスク１９を形成するメタルマスク形成工程と、メタルマスク１９をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより液体流路を形成する液体流路形成工程と、を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法を採用する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, a diode bridge circuit having Schottky barrier diodes and a peripheral circuit having MOS transistors are formed on an identical silicon substrate, and a Schottky barrier as an constituent element of the Schottky barrier diode is made of a silicide layer.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードで構成されるダイオードブリッジ回路と、ＭＯＳ型トランジスタで構成される周辺回路とが、同一のシリコン基板上に形成され、ショットキーバリアダイオードの構成要素であるショットキーバリアがシリサイド層からなることを特徴とする半導体集積回路装置により上記課題を解決する。 - 特許庁

A transparent electrode formed on a substrate includes transparent conductive oxide mainly comprising zinc oxide, and the transparent conductive oxide further contains 1-4% by weight of silicon oxide and Group 13 element oxide, respectively, relative to the transparent conductive oxide.例文帳に追加

基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。 - 特許庁

In this electrophotographic photosensitive body having a photosensitive layer on a conductive substrate, a layer which forms the surface of the electrophotographic photosensitive body comprises siloxane curable resin which contains a structural unit having charge transport power and organohydrodiene polysiloxane which has at least two hydrogen atoms bonded with silicon atom in one molecule.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面を形成する層が、電荷輸送能を有する構造単位を含むシロキサン硬化樹脂と、１分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the semiconductor chip such that a multilayer interconnection structure, having an interlayer insulation film of a low dielectric constant, is formed on a silicon substrate, and the sealing resin layer for sealing the semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板上に低比誘電率の層間絶縁膜を有する多層配線構造が形成された半導体チップと、この半導体チップを覆う封止樹脂層とを備えた半導体装置において、前記封止樹脂層は、室温での線膨張係数（α）、室温でのヤング率（Ｅ）および膜厚（ｈ）が下記（１）式の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This method for production of the carbon nanotube comprises producing a composite cluster using a metal-carbon composite cluster by DC arc discharge in a gas atmosphere, collecting the obtained composite cluster, vapor-depositing the composite cluster on a silicon substrate and synthesizing the carbon nanotube in a microwave plasma.例文帳に追加

カーボンナノチューブの製造方法において、金属炭素複合クラスターを用いて、ガス雰囲気中で、直流アーク放電により複合クラスターを製造し、得られた複合クラスターを回収し、該複合クラスターをシリコン基板に蒸着堆積させるとともにマイクロ波プラズマ中で、カーボンナノチューブを合成する。 - 特許庁

A method of lubricating substrates with silicone includes the steps of: applying an aqueous silicone coating composition, which is aqueous silicon polymer and an effective amount of at least one dispersing agent to disperse the siloxanes throughout the aqueous solution, to the substrate surface; and curing the silicone on the surface.例文帳に追加

水性シリコーン被覆用組成物が水性シリコーン重合体、および上記のシロキサンを水溶液の全体にわたって分散させるのに効果的な量の少なくとも１種の分散剤であることを特徴とする、水性シリコーン被覆用組成物を基材の表面に適用し、この表面上でシリコーンを硬化させる段階を含む、シリコーンによる基材の潤滑方法。 - 特許庁

The silicon substrate on which the magnesium-silicide thin film is formed is exposed to a calcium vapor atmosphere in a closed space to cause substitution reaction between magnesium atoms and calcium atoms of the magnesium-silicide thin film, and thus growing the calcium-silicide thin film on the surface of the magnesium-silicide thin film.例文帳に追加

マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The etching amount of a silicon single crystal layer formed on the insulation layer of an SOIL wafer is evaluated using correlation with the etching amount of a monitor wafer where a polysilicon layer is formed on a substrate.例文帳に追加

ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用いる。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

A method for removing resist includes an irradiation step of irradiating ion-implanted resist with ultraviolet light to an extent such that the cured layer of the resist formed by implanting ions becomes alkali-soluble, and a removing step of bringing the resist into contact with an alkali solution to peel the resist from a silicon substrate.例文帳に追加

レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11.例文帳に追加

素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。 - 特許庁

The substrate for a microchip, which is used for fixating the biochemically active substance, is characterized in that on the surface of a saturated cyclic polyolefin resin using as the raw material various monomers including norbornene or a norbornene derivative there is formed a layer 500 Åthick or thinner consisting of a silicon compound.例文帳に追加

ノルボルネンまたはノルボルネン誘導物を始めとする種々のモノマーを原材料とする飽和した環状ポリオレフィン系樹脂の表面に、厚さ５００Å以下の珪素化合物からなる層が形成されていることを特徴とするマイクロチップ用基板を生化学的活性物質の固定化に用いる。 - 特許庁

METHOD FOR MACHINING SILICON, INK JET HEAD PRODUCTION SYSTEM, INK JET HEAD, INK JET RECORDER, INK JET RECORDING METHOD, SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING FIELD EMISSION SUBSTRATE, AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING MICROARRAY例文帳に追加

シリコン加工方法並びにインクジェットヘッド製造方法及びインクジェットヘッド及びインクジェット記録装置及びインクジェット記録方法、カラーフィルタ製造装置及びカラーフィルタ製造方法、電界発光基板製造装置及び電界発光基板製造方法並びにマイクロアレイ製造装置及びマイクロアレイ製造方法 - 特許庁

The semiconductor element has a porous thin film of a compound oxide semiconductor containing copper and further at least one element M selected from a group of bismuth, nickel, silicon, titanium, yttrium, alkali earth metal, and lanthanoid formed on a conductive substrate, and has visible light response showing a cathode photoelectric current and/or anode photoelectric current.例文帳に追加

銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも１つの元素Ｍを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および／またはアノード光電流を示す可視光応答性の半導体素子。 - 特許庁

By forming a structure wherein a cesium adsorption region 103 is formed on a flat part 102 on a silicon substrate with an atom step 101 formed at predetermined density, this stable electron emission material having a remarkably lowered work function can be provided by a synergistic effect of the atom step 101 and the adsorption structure.例文帳に追加

所定の密度で原子ステップ１０１が形成されたシリコン基板上の平坦部１０２上にセシウム吸着領域１０３が形成されている構成とすることで、原子ステップ１０１と吸着構造の相乗効果によって、仕事関数が著しく低下した安定な電子放出材料が得られる。 - 特許庁

A coating comprising a polyisocyanate, an amine donor and/or a hydroxyl donor, an isocyanatosilane adduct having terminal isocyanate groups and at least one hydrolyzable alkoxy group bonded to silicon, and optionally a polymer selected from the group consisting of polyethylene oxide, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, and polyacrylic acid is coated on a substrate.例文帳に追加

多価イソシアネート、アミン供与体及び／又はヒドロキシル供与体、末端イソシアネート基とケイ素に結合した少なくとも１つの加水分解性アルコキシ基とを有するイソシアナートシラン付加物、及び、任意成分である、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール及びポリアクリル酸からなる群から選択されるポリマーを含むコーティングが支持体に提供される。 - 特許庁

This method forms an inorganic membrane material 600 on a silicon substrate 604, forms a porous self-assembled material 606 on the inorganic membrane material 600, and forms the inorganic porous membrane which patterns the inorganic membrane material 600 by using the porous self-assembled material 606 as a mask.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板６０４の上に無機メンブレン材料６００を作成し、この無機メンブレン材料６００の上に多孔自己集合材料６０６を作成し、多孔自己集合材料６０６をマスクとして使用して無機メンブレン材料６００をパターン形成する無機多孔メンブレンを作成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.例文帳に追加

シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁