「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(196ページ目) - Weblio英語例文検索

The balloon transformer includes first and second ground potential layers 20, 40 formed on a silicon substrate 10, an unbalanced signal first transmission line 50 having a dielectric layer 30 interposed between the layers 20 and 40 and provided in the layer 30, and a second transmission line 60 and a third transmission line 70 vertically arranged in parallel with the layers 20 and 40.例文帳に追加

バルントランスは、シリコン基板１０上に形成された第１、第２アース電位層２０、４０と、それに挟まれた誘電体層３０を有し、誘電体層３０内部には不平衡信号第１伝送線路５０と、第２伝送線路６０および第３伝送線路７０が第１、第２アース電位層２０、４０と平行に上下に配される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The temperature of the substrate 12 becomes high at a position that is irradiated with the laser beam 13 for depositing a deposition material 11C, the crystallization of the deposited deposition material 11C advances since a low temperature suitable for crystallization is achieved at a prior irradiation position when the laser beam 13 moves to the other position, and a thin film 20 made of polycrystalline silicon remains.例文帳に追加

レーザビーム１３が照射された位置で基板１２が高温となって蒸着材料１１Ｃが堆積し、レーザビーム１３が他の位置へ移動すると、以前の照射位置では結晶化に適した低温となるので堆積した蒸着材料１１Ｃの結晶化が進行し、多結晶シリコンからなる薄膜２０が残る。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 31 having a planar active region 201 and an active region consisting of a prominent active region 202B on the planar active region 201, a gate insulating film 39 formed on the active region, and a gate 400 located on the gate insulating film 39 and including a gate wiring films 40, 41 covering the prominent active region 202B.例文帳に追加

プレーナ活性領域２０１及びプレーナ活性領域２０１上のプロミネンス活性領域２０２Ｂで構成された活性領域を有するシリコン基板３１、活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３９と、ゲート絶縁膜３９上に位置し、プロミネンス活性領域２０２Ｂを覆うゲート配線膜４０、４１を含むゲート４００を備えている。 - 特許庁

A formation method of a silicone oxide film comprises a step of depositing a polysilicon film on a substrate and a step of forming the silicon oxide film on the surface of the polysilicon film by exposing the surface of the polysilicon film to an atomic oxygen O* formed by exciting a plasma with a microwave to a mixed gas composed of a gas including oxygen and an inert gas mainly composed of a Kr gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、 前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 - 特許庁

An acid and water are contained in a coating liquid so as that the acid/water weight ratio is ≥0.58 and the acid is obtained by dissolving a hydrogen halide in an alcohol solvent in a method for producing a siliceous film-coated article comprising coating a substrate with the coating liquid containing a silicon alkoxide and the acid in the alcohol solvent.例文帳に追加

アルコール溶媒中にシリコンアルコキシドおよび酸を含むコーティング液を基材に塗布するシリカ系膜被覆物品を製造する方法において、前記コーティング液は、前記酸および水を酸／水の重量比が０．５８以上であるように含有し、そして前記酸はハロゲン化水素を前記アルコール溶媒に溶解させたものであることを特徴とするシリカ系膜被覆物品を製造する方法である。 - 特許庁

A semiconductor wafer before a dicing comprises a silicon substrate 50 with its surface divided into a element forming region 42 and a scribing line region 43, with a passivation film 55 and a polyimide film 56 covering the element forming region 42, and with the accessary pattern 53 comprising a top layer interconnection layer 52 exposing to the scribing line region 43.例文帳に追加

ダイシング前の半導体ウェーハは、シリコン基板５０上が素子形成領域４２とスクライブ線領域４３とに分けられ、パッシベーション膜５５及びポリイミド膜５６が素子形成領域４２を覆い、最上層配線層５２からなるアクセサリパターン５３がスクライブ線領域４３に露出しているものである。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

A p-type doped silicon wafer 50 is employed as a semiconductor substrate, an aqueous solution 20 of potassium hydroxide is employed as an etching liquid and etching is performed by conditioning the concentration of KOH in the aqueous solution 20 of potassium hydroxide in the range of 40-50 wt% and the liquid temperature at 110°C or above.例文帳に追加

半導体基板としてｐ型にドープされたシリコンウェハ５０を用い、エッチング液として水酸化カリウム水溶液２０を用い、水酸化カリウム水溶液２０のＫＯＨ濃度を４０重量％以上５０重量％以下の範囲とし、液温度を１１０℃以上にて調整することにより、エッチング処理を行う。 - 特許庁

The semiconductor device comprises lower storage nodes 10a-10d provided on a main surface 1a of a silicon substrate 1; a dielectric film 15 provided on the lower storage nodes 10a-10d; an upper cell plate electrode 11 provided on the dielectric film 15; and an interlayer insulating film 3 for covering the upper cell plate electrode 11.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１の主表面１ａ上に設けられた下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄと、下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄ上に設けられた誘電体膜１５と、誘電体膜１５上に設けられた上部セルプレート電極１１と、上部セルプレート電極１１を覆う層間絶縁膜３とを備える。 - 特許庁

The information recording medium 10 is composed of an information recording film 13 which is formed on an oxidized film 12 on the silicon (Si) substrate using iron (Fe) as a ground surface layer and consists of an iron-platinum (FePt) ordered alloy containing isolated iron-platinum (FePt) ordered alloy particles below 40 nm in crystal grain size.例文帳に追加

表面に酸化膜１２が形成されたシリコン（Ｓｉ）基板１１と、上記シリコン（Ｓｉ）基板１１の酸化膜１２上に鉄（Ｆｅ）を下地層として形成された結晶粒径が４０ｎｍ以下の孤立した鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子を含む鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金による情報記録膜１３にて情報記録媒体１０を構成する。 - 特許庁

The light transmitting carbon thin film which has a refractive index of 1.98 and to which nitrogen or nitrogen and hydrogen are added is obtained by depositing a carbon thin film on a silicon substrate, adding nitrogen to the carbon thin film at the same time, and adjusting the refractive index and the absorption coefficient by reducing the content of nitrogen by performing heat treatment.例文帳に追加

シリコン基板上にカーボン薄膜を成膜すると同時にカーボン薄膜に窒素を添加し、その後熱処理を行うことで窒素の含有量を減少させて屈折率および吸収係数を調整し、窒素あるいは窒素と水素が添加された屈折率が１．９８の光透過性カーボン系薄膜を得る。 - 特許庁

In the dry etching of an insulating film 10 containing silicon and carbon formed on a wafer 4 (substrate 9), a plasma 3 is generated from a gas mixture containing a first molecule gas containing carbon and fluorine and a second gas containing nitrogen, and RF bias of 2 MHz or lower is applied to an electrode 5 which installs the wafer 4.例文帳に追加

ウエハ４（基板９）上に形成された、シリコンと炭素とを含む絶縁膜１０のドライエッチングにおいて、炭素と弗素とを含む第１の分子ガスと窒素を含む第２の分子ガスとを含む混合ガスからプラズマ３を生成し、且つ、ウエハ４を設置する電極５に２ＭＨｚ以下のＲＦバイアスを印加する。 - 特許庁

A methyl methacrylate resin in which fine particles of a cesium tungstate compound are dispersed is applied and cured on a surface of a polycarbonate substrate 1 to form an acrylic primer layer 2, and siloxane-based coating is applied and cured on a cured surface of the acrylic primer layer 2 to form a silicon-based hard coat film 3.例文帳に追加

ポリカーボネイト基板１の表面にタングステン酸セシウム化合物の微粒子を分散したメタクリル酸メチル樹脂を塗布硬化させてアクリル系プライマー層２を成膜し、アクリル系プライマー層２の硬化表面にシロキサン系塗料を塗布硬化させてシリコン系ハードコート膜３を成膜する。 - 特許庁

The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、微結晶シリコンから形成された半導体層（チャンネル領域）１１４と、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７と、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９と、ドレイン電極１２０と、ソース電極１２１と、を備える。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming a first insulating film 25 on the upper side of a silicon substrate 10, forming an impurity layer 22 to the first insulating film 25 by implanting impurity ion in the predetermined depth of the first insulating film 25, and thereafter reforming the impurity layer 22 to a barrier insulating film 23 by annealing the first insulating film.例文帳に追加

シリコン基板１０の上方に第１絶縁膜２５を形成する工程と、第１絶縁膜２５の所定の深さに不純物をイオン注入することにより、第１絶縁膜２５に不純物層２２を形成する工程と、不純物層２２を形成した後、第１絶縁膜をアニールすることにより、不純物層２２をバリア絶縁膜２３に改質する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

The semiconductor photodetector SP includes: a silicon substrate 21 that includes a first conductivity type semiconductor and has first and second main surfaces 21a, 21b opposing to each other and a second conductivity type semiconductor layer 23 formed at the side of the first main surface 21a; and a charge transfer electrode 25 that is provided on the first main surface 21a and transfers generated charges.例文帳に追加

半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode of the gate insulating film 3 is ≥1×10^17 cm^-3 and that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the silicon substrate of the gate insulating film is larger than the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３のゲート電極との界面近傍における重水素濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、かつゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍における重水素濃度はゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

The electron emission element using a nanocarbon material composite comprises an electrically conductive layer disposed on a substrate and a nanocarbon material composite obtained by forming a nanocarbon material having a spiral structure and a fibrous nanocarbon material on a silicon oxide particle directly or through a metal or metal compound, wherein the nanocarbon material composite is disposed on the electrically conductive layer and emits electrons under a strong electric field.例文帳に追加

ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。 - 特許庁

The optical switch has movable micromirrors 1a to 1d which are supported through the beam 11 formed integrally with the silicon substrate and enabled to move to projection positions and sinking positions by the beam 11 and performs switching for selecting a waveguide for a light signal by the movement of the movable micromirrors 1a to 1d; and the movable micromirrors 1a to 1d are formed of photosensitive material.例文帳に追加

シリコン基板に一体に形成された梁１１を介して支持されその梁１１により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを有し、その可動マイクロミラー１ａ〜１ｄの移動により光信号の導波路選択のスイッチングを行うようにした光スイッチにおいて、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを感光性材料で形成する。 - 特許庁

While forming a sidewall 107 for covering the sidewall of the gate electrode 105 by etching back the insulating film, an almost horizontal engraved surface is formed to the element formation surface in a region for forming the source and drain regions 109 of the side of the sidewall 107 by carrying out the etching removal of the element formation side of the silicon substrate 101.例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１０５の側壁を覆うサイドウォール１０７を形成するとともに、サイドウォール１０７の側方のソース・ドレイン領域１０９が形成される領域において、シリコン基板１０１の素子形成面をエッチング除去し、素子形成面に略水平な掘り下げ面を形成する。 - 特許庁

The method is constituted of a step of forming a storage-node electrode on a semiconductor substrate, a step of forming a dielectric film composed of a cycle silicon nitride film (cycle Si_3N_4 or SiO_xN_y) on the surface of the storage-node electrode, and a step of forming an upper electrode on the dielectric film.例文帳に追加

半導体ウェハ上にストレージノード電極を形成する段階と、前記ストレージノード電極の表面上にサイクルシリコン窒化膜（サイクルＳｉ_３Ｎ_４またはＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁

The composite material has the fingerprint adhesion-resistant coating film, which contains silicon compound and hydrophilic metal oxide fine particles having the average particle size of 1-100 nm and is formed on the surface of a substrate, wherein the glossiness of the coating film is defined as ≤8 and the color difference is defined as <4.6.例文帳に追加

基板の表面に珪素化合物と平均粒子径１〜１００ｎｍの親水性金属酸化物微粒子を含む耐指紋付着性コーティング被膜が形成された複合材であって、前記コーティング被膜の光沢度が８以下、色差が４．６未満とすることで、耐指紋付着性コーティング被膜が形成された複合材。 - 特許庁

To provide a solar cell of high photoelectric conversion efficiency at low cost without deteriorating a back passivation effect and a back electric field effect in a process of forming a backside structure when the solar cell is manufactured using a sheet-like silicon substrate whose either surface is at least rugged and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

少なくとも一方の面が表面に凹凸を有する凹凸面であるシート状シリコン基板を用いた太陽電池を作製する際に、裏面構造の形成過程において裏面パッシベーション効果と裏面電界効果を損なうことがなく、低コストで光電変換効率の高い太陽電池およびその製造方法を提供する - 特許庁

In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁

The invention also provides a device for measuring deformation, which device comprises the first alumina coating 30 obtained by atmospheric thermal spraying onto the silicon carbide layer covering the substrate of the part after it has been treated by superposing laser impacts, a free filament strain gauge 40 placed on the coating 30, and an additional alumina coating obtained by atmospheric thermal spraying onto the strain gauge.例文帳に追加

本発明はまた、変形を測定する装置を提供し、装置は、レーザー衝突を重ねることによって処理された後、部品の基材を被覆する炭化ケイ素層上の、常圧溶射によって得られた第１のアルミナコーティング（３０）と、コーティング（３０）上に置かれたフリーフィラメントひずみゲージ（４０）と、ひずみゲージ上への常圧溶射によって得られたさらなるアルミナコーティングと、を含む。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are successively deposited on a silicon substrate 1 through an insulating film 2, and an upper electrode 5 is patterned by successively etching the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 while using a mask 103.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

In the fabricating method for the cold cathode device having a field emission cold cathode comprising a cathodic bus bar formed on a substrate and silicon electrically connected to the cathodic bus bar and a gate electrode arranged away from the electron emission cold cathode, a process is provided of adding an n-type impurity in an electron emitting area of the field emission cold cathode.例文帳に追加

基板に形成された陰極母線及び該陰極母線に電気的に接続されるシリコンからなる電界放出冷陰極を有すると共に、前記電界放出冷陰極から離間して配設されるゲート電極を有する冷陰極装置の作製方法において、前記電界放出冷陰極の電子放出領域にｎ型の不純物を添加する工程を備える。 - 特許庁

In this field emission electron source 10, an electron injected from the n-type silicon substrate 1 is drift in the strong electric field drift part 6 and is emitted through the surface electrode 7 by disposing the surface electrode 7 in a vacuum and applying a direct current voltage to the surface electrode 7 treated as a positive electrode relative to the ohmic electrode 2.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、表面電極７を真空中に配置し、表面電極７をオーミック電極２に対して正極として直流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

In the semiconductor device having a gate insulation film 6 formed on a silicon substrate 1 and a gate electrode 7 formed on the gate insulation film 6, the gate insulation film 6 comprises a first insulation film 9, a second insulation film 10 formed on the first insulation film 9, and a metal nitride film 11 formed on the second insulation film 10.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上に形成されたゲート電極７とを有する半導体装置において、ゲート絶縁膜６が第１の絶縁膜９と、第１の絶縁膜９の上に形成された第２の絶縁膜１０と、第２の絶縁膜１０の上に形成された金属窒化膜１１とからなる。 - 特許庁

The planar optical waveguide is manufactured by depositing an under clad layer 20 on a silicon substrate 10, depositing a core layer on the under clad layer 20 by using an aerosol process, etching the core layer to produce the core 30, and forming the over clad layer 40 on the under clad layer 20 and on the core 30 in an aerosol process.例文帳に追加

シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a plug formation method, with which deposition of a foreign matter to a copper or a failure in shape caused by production of copper sulfide, in plasma etching using sulfur hexafluoride as plasma generation gas on a substrate with copper and silicon present on its front layer.例文帳に追加

表層部に銅とシリコンが存在する基板を対象として、六フッ化硫黄をプラズマ発生用ガスとして用いたプラズマエッチングにおいて、硫化銅の生成に起因して生じる銅部分への異物付着や形状不良を防止することができるプラズマエッチング方法およびプラグ形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device, which is provided with an integrated injection logic (IIL1) formed on a semiconductor substrate 11 and has the PNP bipolar transistor construction, has a layer at least of insulating films 17 formed on the base region 20 of the PNP bipolar transistor structure being made of a silicon film 16.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたものでＰＮＰバイポーラトランジスタ構造を有してなるインテグレーテッド・インジェクション・ロジック（ＩＩＬ１）を備えた半導体装置において、ＰＮＰバイポーラトランジスタ構造のベース領域２０上に形成された絶縁膜１７のうちの少なくとも１層は窒化シリコン膜１６からなるものである。 - 特許庁

In drilling a silicon substrate by irradiating it with a pulsed laser beam more than one time under a plurality of irradiation conditions, the laser output of the second irradiation condition is made larger than that of the first, thereby enabling a small bore to be efficiently secured by the device and method.例文帳に追加

パルス発振するレーザを用いて複数回照射して複数の照射条件にてシリコン基板に穴あけ加工する際に、第一の照射条件におけるレーザ出力よりも第二の照射条件におけるレーザ出力を大きくすることで、効率よくかつ小さい穴径を確保する装置および方法を提供する。 - 特許庁

The method is characterized by mixing a solution containing titanium with a solution containing at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, nickel, iron, zirconium, phosphorus and boron, hydrolyzing the resultant mixture at a temperature range of 40-90°C to produce the composite oxide slurry and supporting the slurry on the substrate.例文帳に追加

チタンが存在する溶液と、ケイ素、アルミニウム、ニッケル、鉄、ジルコニウム、リン及びホウ素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が存在する溶液とを混合し、これを温度４０〜９０℃の範囲で加水分解することにより得られた複合酸化物スラリーを、基材に担持させることを特徴とする。 - 特許庁

A metal deposited film 4 formed in a single layer or a multi- layer of silicon oxide, magnesium fluoride, or the like is formed on a recessed stage part 2b formed on a surface of a transparent dial substrate 2 made of a plastic material or the like.例文帳に追加

プラスチック材等よりなる透明文字板基板２の表面に形成した凹形状の段部２ｂに酸化シリコン又はフッ化マグネシウム等の一層又は多層に形成した金属蒸着膜４を形成し、この金属蒸着膜４を介して、塩化ビニール又はメタクリル樹脂からなる装飾模様を施した壁紙５（装飾部材）を接着剤６により貼付する。 - 特許庁

There is disclosed a solid-state image pickup apparatus 1, that includes a photoelectric converter 10 formed on a substrate 2; a wiring portion 40 formed above the photoelectric converter 10 and constituted of multilayer wirings 41; and an insulating portion 30, in which the multilayer wirings 41 of the wiring portion 40 are embedded, the insulating portion 30, having a refractive index larger than a silicon oxide.例文帳に追加

本発明は、基板２に形成される光電変換部１０と、光電変換部１０の上方に形成される複数層の配線４１から成る配線部４０と、配線部４０の複数層の配線４１を埋め込む材料であって、酸化シリコンより屈折率が大きい絶縁部３０とを有する固体撮像装置１である。 - 特許庁

As an initial manufacturing process of ink jet head, a drive circuit and the terminals thereof are formed on a silicon substrate followed by formation of an oxide film, wiring electrodes, fine resistors (heating elements 15) of Ta-Si-SiO, for example, and electrodes (common electrode 12, individual wiring electrodes 14) of Ni, for example, before determining the position and shape of the heating element 15.例文帳に追加

インクジェットヘッド製造の最初の工程としてシリコン基板に駆動回路とその端子を形成し、酸化膜と配線電極を形成し、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯなどの微細抵抗（発熱素子１５）、Ｎｉなどによる電極（共通電極１２、個別配線電極１４）を形成して発熱素子１５の位置と形状を決める。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

The method for producing carbon nanofibers 20 as the electrically conductive fiber material in a fibrous or tubular form includes film-forming an electrically conductive catalyst layer 12 having direct electrical conductivity on the surface of a substrate 11 made of silicon, heating the electrically conductive catalyst layer 12 and introducing a mixed gas around the layer 12 under a reduced-pressure atmosphere to generate a plasma so as to conduct a CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加

繊維状または管状を成す導電性繊維物質としてのカーボンナノファイバ２０の製造方法であって、シリコンからなる基板１１の表面に直接導電性を有する導電触媒層１２を成膜し、導電触媒層１２を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層１２の周囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてＣＶＤを行うことを特徴とする。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises: a step for adhering a plurality of first conductive-type spherical substrates 11 to a conductive module substrate 13; a step for coating the spherical substrates 11 with an insulating resin 14; and a step for disposing a second conductive-type silicon thin film 17 on the surfaces of the spherical substrates 11 and the surface of the insulating resin 14.例文帳に追加

複数の第１導電型の球状基板１１を導電性のモジュール基板１３に接着する工程と、この球状基板１１を絶縁性の樹脂１４により覆う工程と、球状基板１１の表面および絶縁性樹脂１４表面に第２導電型のシリコン薄膜１７を堆積する工程とを含んで構成されている。 - 特許庁