「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A first silicon carbide epitaxial layer 2 is laminated on a silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素基板１上に第１の炭化珪素エピタキシ層２を積層する。 - 特許庁

To provide a substrate for transferring a silicon layer having a silicon layer for transfer with few defects.例文帳に追加

欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。 - 特許庁

The insulating layer 140, gas diffusing layer 130 and silicon layer 120 are formed from the silicon substrate 170.例文帳に追加

絶縁膜１４０，ガス拡散層１３０，シリコン層１２０はシリコン基板１７０から作成される。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁

CRYSTALLINE SILICON DIE ARRAY AND METHOD FOR ASSEMBLING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON SUBSTRATE例文帳に追加

結晶シリコンダイアレイ、および、基板への結晶シリコン薄膜のアセンブル方法 - 特許庁

To provide a method of properly manufacturing silicon and silicon devices on a plastic substrate.例文帳に追加

シリコンおよびシリコンデバイスをプラスチック基板上に好適に製造する方法を提供する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM, SILICON-CONTAINING FILM-FORMED SUBSTRATE AND PATTERNING PROCESS例文帳に追加

ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法 - 特許庁

A silicon oxide film 14 is so formed as to cover a silicon substrate 1 in a box mark 102.例文帳に追加

ボックスマーク１０２内においてシリコン基板１を覆うようにシリコン酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

SILICON FINE-MACHINING METHOD AND SURFACE PROPERTY CONTROL MULTI-PURPOSE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor manufacturing apparatus that can uniformly heat the whole body of a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板全体を均一に熱せられる炭化珪素半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法 - 特許庁

Next, a silicon layer 16 is grown on the entire surface of the silicon substrate 11.例文帳に追加

次に、シリコン基板１１上の全面にシリコン層１６を成長させる。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 as the first insulating film is deposited on a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上に第１の絶縁膜であるシリコン酸化膜１２が堆積されている。 - 特許庁

Thus, a deposited silicon layer 102 is formed on the silicon substrate 101.例文帳に追加

このことにより、シリコン基板１０１の上に、堆積シリコン層１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

PLATE-LIKE SILICON AND ITS PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PLATE FOR PRODUCING PLATE-LIKE SILICON, AND SOLAR CELL例文帳に追加

板状シリコンおよびその製造方法ならびに板状シリコン製造用下地板、ならびに太陽電池 - 特許庁

A silicon oxide film is formed in a contact region of a silicon substrate by a LOCOS method first.例文帳に追加

まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

To modify a single-crystal silicon layer on the surface of a substrate to single-crystal silicon carbide quickly and uniformly.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

The optical thin film 6 of silicon nitride is provided on the surface and the back of a silicon substrate 5.例文帳に追加

シリコン基板５の表面および裏面に、窒化シリコンの光学薄膜６を設ける。 - 特許庁

The silicon oxide film 15 is partially protruded to one surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５は一部分がシリコン基板１の一表面に突出して形成されている。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 and a silicon oxide film 3 are formed on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。 - 特許庁

After the second silicon oxide film is removed, a second silicon nitride film that covers the semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

第２シリコン酸化膜を除去した後、半導体基板を覆う第２シリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

In the step S101, a circuit utilizing a silicon element is formed on a substrate including a silicon layer.例文帳に追加

ステップＳ１０１で、シリコン層を備えた基板の上にシリコン素子からなる回路を形成する。 - 特許庁

The method for reconstituting the surface of the silicon carbide substrate comprises: a silicon film forming process for forming a silicon film 2 on the surface of the silicon carbide substrate 1; and a heat treatment process for heat treating the silicon carbide substrate 1 and the silicon film 2 without providing a polycrystalline silicon carbide substrate on the surface of the silicon film 2.例文帳に追加

炭化ケイ素基板１の表面上にシリコン膜２を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜２の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板１およびシリコン膜２を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板の表面再構成方法である。 - 特許庁

The oxygen radical makes it possible to oxidize the silicon of the surface of the substrate so that a silicon oxide film can be formed.例文帳に追加

酸素ラジカルにより、基板表面のシリコンを酸化させてシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

SILICON OXIDE-BASED FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE MATERIAL ATTACHED WITH SILICON OXIDE-BASED FILM例文帳に追加

酸化ケイ素系被膜形成用組成物及び酸化ケイ素系被膜付き基体の製造方法 - 特許庁

A porous silicon layer is formed by applying a positive electrode conversion treatment on the silicon substrate.例文帳に追加

前記シリコン基板に対し陽極化成処理を施すことによりポーラスシリコン層を形成する。 - 特許庁

The silicon oxide film 12 is etched by the RIE treatment, and the silicon substrate 11 is made to be exposed (d).例文帳に追加

ＲＩＥ処理によりシリコン酸化膜１２をエッチングし、シリコン基板１１を露出させる（（ｄ））。 - 特許庁

HEAT PROCESSING METHOD OF SILICON SUBSTRATE AND THE SUBSTRATE, AND EPITAXIAL WAFER USING THE SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板の熱処理方法及びその基板、その基板を用いたエピタキシャルウエーハ - 特許庁

The silicon film 11 is provided on a base substrate (a glass substrate 4) of the active matrix substrate.例文帳に追加

シリコン膜１１は、アクティブマトリクス基板のベース基板（ガラス基板４）上に設けられている。 - 特許庁

A substrate 10 is a first-conductive-type, for example, a p-type semiconductor substrate (for example, a silicon substrate).例文帳に追加

基板１０は第１導電型、例えばｐ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である。 - 特許庁

The silicon structure is manufactured by forming an initial pit on the silicon substrate by alkali etching, then applying ECE to the silicon substrate while irradiating the silicon substrate with light from the back surface side of the silicon substrate in hydrofluoric acid to form the holes 11.例文帳に追加

このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ＥＣＥを施して孔１１を形成することにより製造される。 - 特許庁

Disclosed is the optical sensor formed on the semiconductor substrate having a silicon substrate, an insulating layer formed on the silicon substrate, and a silicon semiconductor layer formed on the insulating layer, the optical sensor having the ultraviolet-ray sensitive element formed on the silicon semiconductor layer and the visible light sensitive element formed on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された光センサであって、シリコン半導体層に形成された紫外線感光素子と、シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備える。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT WITH SEED CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER, AND THIN FILM EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ - 特許庁

The silicon electrode for battery comprises an array of submicron silicon structure formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に作成されたサブミクロンのシリコン構造のアレーを含む、電池用シリコン電極である。 - 特許庁

To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.例文帳に追加

シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY ELEMENT AND CASTING PROCESS FOR POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT例文帳に追加

多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子および多結晶シリコンインゴットの鋳造方法。 - 特許庁

Ion is poured after forming an oxide silicon film on a substrate and sequentially a nitride silicon film is formed on the oxide silicon film.例文帳に追加

酸化シリコン膜を基板に形成したのちに、イオン注入を行い、次に窒化シリコン膜をその上に形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF HIGH-DENSITY SILICON OXIDE FILM, AND SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-DENSITY SILICON OXIDE FILM MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス - 特許庁

WAFER PRETREATMENT TO DECREASE RATE OF SILICON DIOXIDE DEPOSITION ON SILICON NITRIDE COMPARED TO SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板に比べて窒化ケイ素上の二酸化ケイ素の堆積速度を減小するためのウェーハ前処理 - 特許庁

An ONO film configured of a bottom oxide silicon film 16a, a nitride silicon film 16b, and a top oxide silicon film 16c is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にボトム酸化シリコン膜１６ａ、窒化シリコン膜１６ｂおよびトップ酸化シリコン膜１６ｃからなるＯＮＯ膜を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 35, a polysilicon film 36, and a silicon nitride film 32 are formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上にシリコン酸化膜３５、ポリシリコン膜３６、およびシリコン窒化膜３２を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 and silicon nitride film 3 are successively formed on a semiconductor substrate 1 composed of silicon (fig. 1 (a)).例文帳に追加

シリコンよりなる半導体基板１上に、シリコン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を順次成膜する（図１（ａ））。 - 特許庁

CASTING METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT USING THE SAME, POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE AND SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 - 特許庁

CASTING APPARATUS, METHOD FOR CASTING POLY-CRYSTAL SILICON INGOT USING THE SAME, AND POLY-CRYSTAL SILICON INGOT, POLY-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加

鋳造装置、これを用いた多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a silicon nitride film 13 is formed on the silicon oxide film 12.例文帳に追加

半導体基板１１上にシリコン酸化膜１２が形成され、このシリコン酸化膜１２上にシリコン窒化膜１３が形成される。 - 特許庁