「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon carbide substrate manufacturing method that can prevent a fluid from passing through the silicon carbide substrate and leaking out.例文帳に追加

炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of a silicon substrate wherein the silicon substrate can be processed by simple steps with good dimensional accuracy.例文帳に追加

簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide substrate which readily adjusts the planar shape of a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板の平面形状を容易に調整することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon substrate 10 includes a hole 15 which is formed on one surface 11 side and which connects the hollow part 14 to the outside of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０は、一面１１側に形成されると共に空洞部１４とシリコン基板１０の外部とを繋ぐための孔部１５を有している。 - 特許庁

The upper end of the vertical hole part 31a is opened on the upper surface of the silicon substrate 28, and the distal end of the horizontal hole part 31b is closed by the silicon substrate 28.例文帳に追加

縦孔部３１ａの上端はシリコン基板２８の上面で開口し、横孔部３１ｂの先端はシリコン基板２８によって塞がれている。 - 特許庁

In the silicon nitride wiring substrate, the surface roughness Rz of the silicon nitride substrate 11 is in a rtange of value which is larger than 3 μm and equal to or less than 20 μm.例文帳に追加

この場合、窒化珪素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 - 特許庁

The gas cluster C is emitted to the surface of the silicon substrate W without being ionized and as a result, the surface of the silicon substrate W becomes a porous state.例文帳に追加

このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, without etching a silicon substrate when eliminating a mask layer, even if the ground of a film to be machined is a silicon substrate.例文帳に追加

被加工膜の下地がシリコン基板であっても、マスク層の除去時にシリコン基板をエッチングしない。 - 特許庁

A silicon substrate 200 with an injection secondary defect 201 is immersed in a nitric acid solution to form an oxide film 202 in the surface of the silicon substrate 200.例文帳に追加

注入二次欠陥２０１を有するシリコン基板２００を硝酸液に浸けてシリコン基板２００表面に酸化膜２０２を形成する。 - 特許庁

A method for forming a silicon thin film forms a crystalline silicon thin film on a substrate S after exposing the substrate to a plasma of hydrogen-containing gas for hydrogen bonding treatment.例文帳に追加

リーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

At first, the back face of the silicon substrate 2 is ground so that one part of the back face of the silicon substrate 2 can be cut.例文帳に追加

まず、シリコン基板２の裏面を研磨することによって、シリコン基板２の裏面の一部を削り取る。 - 特許庁

To provide a method for reconstituting the surface of a silicon carbide substrate, by which the micro-pipes in the surface of the silicon carbide substrate can be blocked up more easily.例文帳に追加

より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。 - 特許庁

In addition, at the same time, a well layer of impurities different from the type of impurities of the substrate is formed on a silicon substrate on the lower part of the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

またあわせて、多結晶シリコン膜下部のシリコン基板に、基板の不純物型と異なる不純物のウエル層を形成する。 - 特許庁

When cleaning, the silicon substrate may be immerged in the solution or the solution can be poured on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

洗浄の際、シリコン基板は上記した溶液に浸漬されても良いし、溶液をシリコン基板表面にかけても良い。 - 特許庁

To provide a silicon substrate inspection device for precisely inspecting a defect, such as crack, in a silicon substrate, and to provide an inspection method thereof.例文帳に追加

シリコン基板の内部に存在するクラック等の欠陥を正確に検出可能とする、シリコン基板の検査装置および検査方法を得ること。 - 特許庁

LIQUID FOR RECOVERING NICKEL FROM SILICON SUBSTRATE AND NICKEL RECOVERY PROCESS例文帳に追加

シリコン基板からのニッケルの回収液及びこの回収方法 - 特許庁

Ions containing boron are implanted in a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１中にボロンを含むイオンを注入する。 - 特許庁

The gas sensor 1 is equipped with a semiconductor substrate 10 made of silicon.例文帳に追加

ガスセンサ１は、シリコン製の半導体基板１０を備えている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR GROWING MONOCRYSTAL GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板上に単結晶チッカガリウムを成長させる製造方法 - 特許庁

First, a silicon substrate a having a mesa encircled in a trench is formed.例文帳に追加

まずトレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL OVER SILICON SUBSTRATE CRYSTAL例文帳に追加

Ｓｉ基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法 - 特許庁

An oxide film 2 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-単結晶シリコン基板１上に酸化膜２を選択的に形成する。 - 特許庁

Phosphorus (31P+) is injected deeply into a silicon substrate in comparison with boron (11B+).例文帳に追加

リン(^31Ｐ^+)はボロン（^11Ｂ^+）に比べてシリコン基板中に深く注入する。 - 特許庁

EPITAXIAL SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SAME例文帳に追加

窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール - 特許庁

A silane compound 2 is formed on a single-crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシラン系化合物２を成膜する。 - 特許庁

At this point, the silicon carbide semiconductor substrate 1 is mounted on a susceptor 13.例文帳に追加

ここで、炭化珪素半導体基板１は、サセプタ１３上に載置されている。 - 特許庁

The silicon substrate includes a first surface and a second surface.例文帳に追加

前記シリコン基板は、第一表面及び第二表面を含む。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GREEN SHEET, GREEN SHEET AND SILICON NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE例文帳に追加

グリーンシートの製造方法、グリーンシート、窒化珪素セラミックス基板 - 特許庁

After that, a silicon nitride film 17 is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、半導体基板１上に窒化シリコン膜１７を形成する。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE EPITAXIAL LAYER ON SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層 - 特許庁

FORMING METHOD OF SOS SUBSTRATE HAVING SILICON EPITAXIAL FILM例文帳に追加

シリコンエピタキシャル膜を有するＳＯＳ基板の形成法 - 特許庁

The silicon substrate is subjected to a heating treatment in a gas comprising hydrogen {Fig.(d)}.例文帳に追加

シリコン基板を水素を含有するガス中で加熱処理する〔（ｄ）図〕。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加

半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁

The silicon semiconductor substrate (1) has a protective element formation region (7).例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）は保護素子形成領域（７）を有する。 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法 - 特許庁

In this semiconductor sensor, a silicon oxide film 20 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０には、上記シリコン酸化膜２０が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING EQUIPMENT例文帳に追加

単結晶炭化シリコン基板の製造方法およびその製造装置 - 特許庁

A silicon film 8 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上にシリコン酸化膜８が形成されている。 - 特許庁

SILICON V-GROOVED SUBSTRATE AND OPTICAL MODULE USING THE SAME例文帳に追加

シリコンＶ溝基板及びそのシリコンＶ溝基板を用いた光モジュール - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR FORMED ON SILICON SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

シリコン基板上に形成された窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

To provide a group III nitride epitaxial layer on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。 - 特許庁

Further, a nitride film 6 is formed on the silicon substrate 1 (Fig.1(d)).例文帳に追加

次に、シリコン基板１上に窒化膜６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

AQUEOUS POLISHING SLURRY FOR POLISHING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND POLISHING METHOD例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 - 特許庁

The dopant layer is provided on the first surface side of the silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。 - 特許庁