「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon carbide growing layer 22 is insulated from a silicon substrate 2 and also independent from each other silicon carbide growing layer 22.例文帳に追加

炭化シリコン成長層22は、シリコン基板２から絶縁されていると共に、互いに他の炭化シリコン成長層22から独立している。 - 特許庁

The silicon oxide film 12 remaining on the silicon substrate 11 is etched and removed using an etchant 17 to the silicon oxide.例文帳に追加

シリコン酸化物に対するエッチャント１７を用いてシリコン基板１１上に残存したシリコン酸化膜１２をエッチングして除去する。 - 特許庁

A silicon oxide film as a background film 2 is formed on a silicon substrate 1 and an La aluminate film 3 is formed on the silicon oxide film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に下地膜２としてのシリコン酸化膜が形成され、シリコン酸化膜２上にＬａアルミネイト３が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR CASTING POLYCRYSTALLINE SILICON, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT OBTAINED BY USING THE SAME, POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE, AND SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加

多結晶シリコンの鋳造方法とこれを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板並びに太陽電池素子 - 特許庁

A silicon layer 3 is formed on a substrate 1, and a base film 4 and a silicon nitride film 5 are formed on the silicon layer 3.例文帳に追加

基板１上にシリコン層３を形成し、その上に下地膜４及び窒化シリコン膜５を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 14 as a gate insulating film and an amorphous silicon film 16 are formed on the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０の上にゲート絶縁膜用のシリコン酸化膜１４およびアモルファスシリコン膜１６を形成する。 - 特許庁

In the precursor 20 of an inkjet recording head, a silicon oxide film 3 and a silicon nitride film 4 are sequentially formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

インクジェット記録ヘッドの前駆体２０は、シリコン基板１上に酸化シリコン膜３および窒化シリコン膜４が順に形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an amorphous silicon layer 13 is formed on the silicon substrate 11 through the oxide silicon layer 12 so as to have a thickness of not more than 1nm preferably.例文帳に追加

次いで、シリコン基板１１上に酸化シリコン層１２を介してアモルファスシリコン層１３を好ましくは１ｎｍ以下の厚さに形成する。 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE INCLUDING MASK PATTERN USED FOR MANUFACTURE OF SILICON STRUCTURE BODY AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON STRUCTURE BODY例文帳に追加

シリコン構造体の製造に用いるマスクパターンを有するシリコン基板及びシリコン構造体の製造方法 - 特許庁

A silicon oxide layer 102 is formed on a silicon substrate (silicon layer) 101 to a thickness of, for example, 1.8 nm.例文帳に追加

シリコン基板（シリコン層）１０１の上に、例えば膜厚１．８ｎｍのシリコン酸化層１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

In the silicon oxide film, much silicon is contained in a semiconductor substrate side lower layer as compared with an upper layer of the silicon oxide film.例文帳に追加

この酸化シリコン膜は、酸化シリコン膜の上層より、半導体基板側の下層にシリコンが多く含まれている。 - 特許庁

To generate small pieces of single crystal silicon carbide seed crystals by allowing a single crystal silicon carbide seed crystal to self-grow by using a polycrystalline silicon carbide substrate.例文帳に追加

多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する。 - 特許庁

SILICON-CONTAINING FILM-FORMING COMPOSITION, SILICON-CONTAINING FILM, SILICON-CONTAINING FILM-FORMING SUBSTRATE AND PATTERNING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

At the lower end of the silicon nitride film 21, a silicon oxide film 17 or 18 is provided for the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン窒化膜２１の下端部は、シリコン基板１との間に、シリコン酸化膜１７もしくは１８を介在させている。 - 特許庁

A dual SOI substrate 10 has a silicon layer 15, an insulation film (silicon oxide film) 14, a silicon layer 13 and an insulation film 12 in this order from the front surface side.例文帳に追加

二重ＳＯＩ基板１０は、表面側から順に、シリコン層１５、絶縁膜（シリコン酸化膜）１４、シリコン層１３、絶縁膜１２を有する。 - 特許庁

Firstly, an amorphous silicon film 2 of 10 nm or thinner and a silicon oxide film 3 which serves as a cap are formed on a silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

まず、炭化珪素基板１上に１０ｎｍ以下のアモルファスシリコン膜２、キャップとなるシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

The silicon carbide coating member is obtained by forming a silicon carbide film 2 by chemical vapor deposition on the surface 2a of a substrate 2 formed as a silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化珪素コーティング部材は、炭化珪素焼結体である基体２の表面２ａに化学蒸着による炭化珪素膜２を形成してなる。 - 特許庁

An element isolation trench 10 is formed on the upper sections of a silicon nitride film 12, the gate insulating film 3 and a silicon substrate 2 while using a silicon oxide film 13 as a mask.例文帳に追加

シリコン酸化膜１３をマスクとしてシリコン窒化膜１２、ゲート絶縁膜３、シリコン基板２の上部に素子分離溝１０を形成する。 - 特許庁

In the supporter for semiconductor substrates, the surface of the silicon plate of a silicon substrate is made porous so as to coat further its porous surface with a silicon carbide layer.例文帳に追加

シリコン基材であるシリコンプレート表面を多孔質化し、多孔質表面を、さらに炭化ケイ素層で被覆する。 - 特許庁

To provide a means for preventing the change of the film thickness of a silicon oxide film in the storage of a silicon substrate with the formed silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板の保管において、シリコン酸化膜の膜厚の変化を防止する手段を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 4, a polycrystalline silicon film 5 for a floating gate electrode, and a silicon nitride film 8 are laminated and formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１に、ゲート絶縁膜４、浮遊ゲート電極用の多結晶シリコン膜５、シリコン窒化膜８を積層形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 4, a lower layer polycrystalline silicon film 5a, and an upper layer polycrystalline silicon film 5b are laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４、下層多結晶シリコン膜５ａ、上層多結晶シリコン膜５ｂを積層形成する。 - 特許庁

The silicon layer is formed on a silicon substrate by the epitaxial growth, and then, the front surface of the silicon layer is oxidized.例文帳に追加

シリコン基板上にエピタキシャル成長によりシリコン層を形成した後に、シリコン層の表面を酸化する。 - 特許庁

A single-crystal silicon piece is installed at one end of the insulating substrate, and an area including at least a part of the single crystal silicon piece is exposed to silicon selection epitaxial conditions.例文帳に追加

これに対し単結晶シリコンは移動度が高く安定であるが、低温で絶縁基板上に形成する方法がない。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon oxynitride film formed on a silicon substrate, and a high dielectric insulating film formed on the silicon oxynitride film.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−ｋ膜を用いてヒステリシスの増加を抑制するとともに、移動度の小さい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon film 104 is formed on a silicon nitrogen film 102 and a silicon dioxide film 103 formed on an insulating substrate 101.例文帳に追加

絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁

The silicon substrate 5 of the silicon chip 2 and the substrate 21 are bonded each other with a bonding member such as anisotropic conductive material to connect the terminal of the silicon substrate 5 and that of the substrate 21 as an electrical circuit.例文帳に追加

シリコンチップ２のシリコン基板５と基板２１とを異方性導電材料等の接合部材で接着し、シリコン基板５のターミナルと基板２１のターミナルとを電気回路的に接続する。 - 特許庁

A heating element 30 is arranged on the surface side of a first silicon substrate 11 arranged on a glass substrate, and a diaphragm 17 is formed on a second silicon substrate 12 joined to the first silicon substrate 11.例文帳に追加

ガラス基板上に配置された第１のシリコン基板１１の表面側に発熱体素子３０が配置され、第１のシリコン基板１１と接合された第２のシリコン基板１２上にダイヤフラム１７が形成されている。 - 特許庁

The substrate for mounting the optical semiconductor element has the silicon substrate having the groove where the incident light member is arranged and reflects the light is disclosed, wherein a light reflecting member independent of the silicon substrate is arranged on the silicon substrate.例文帳に追加

入射光部材を配置するための溝を有するシリコン基板を備え、光反射を行う光半導体素子実装用基板であって、前記シリコン基板に、該シリコン基板とは別体の光反射部材を配置する。 - 特許庁

In a composite substrate 1a, a plurality of long silicon split substrate pieces 20A are arranged side by side on a large silicon carbide substrate (SiC) 10, and they are annealed to join the respective silicon split substrate pieces 20A with the SiC 10.例文帳に追加

複合基板１Ａは、大判の炭化珪素基板（ＳｉＣ）１０の上に複数の長尺シリコン分割基板片２０Ａを並列配置した状態でアニール処理によって各シリコン分割基板片２０ＡをＳｉＣ１０に接合する。 - 特許庁

The method of evaluating the silicon substrate includes forming a PN junction on a silicon substrate surface, irradiating a depletion region of the silicon substrate having the PN junction formed with an electron beam, and evaluating the silicon substrate from the wavelength and intensity of light emitted by the silicone substrate irradiated with the electron beam.例文帳に追加

シリコン基板表面にＰＮ接合を作製し、ＰＮ接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。 - 特許庁

To provide a method for guaranteeing the resistivity of a silicon single crystal substrate, by which the accurate resistivity of a silicon single crystal substrate for a product can be guaranteed in a CZ silicon single crystal substrate in which nitrogen is added, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal substrate, and a silicone single crystal substrate.例文帳に追加

窒素添加のＣＺシリコン単結晶基板において、製品用シリコン単結晶基板の正確な抵抗率保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板を提供する。 - 特許庁

After forming a polycrystalline silicon layer 3 on top of an n-type silicon substrate 1 which constitutes a conductive substrate, a porous polycrystalline silicon layer 4 containing polycrystalline silicon grains and silicon microcrystal is formed by anodic oxidization process transforming the polycrystalline silicon layer 3 into a porous layer.例文帳に追加

導電性基板を構成するｎ形シリコン基板１上に多結晶シリコン層３を形成した後、陽極酸化処理工程にて多結晶シリコン層３を多孔質化して多結晶シリコンのグレインおよびシリコン微結晶を含む多孔質多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

A silicon oxide membrane is formed on the silicon substrate surface, and a part of the silicon oxide membrane is removed; and at the same time as a silicon nitride membrane is formed on the substrate surface where the silicon oxide membrane is removed, nitrogen is introduced on the surface of the silicon oxide membrane that is left remaining without removing the membrane.例文帳に追加

シリコン基板の表面に酸化シリコン膜を形成してからその一部を除去し、酸化シリコン膜を除去した基板面に窒化シリコン膜を形成すると同時に除去せずに残した酸化シリコン膜の表面に窒素を導入する。 - 特許庁

The SOI substrate includes a silicon substrate 11, a silicon oxide layer 12 formed on the silicon substrate 11, a silicon layer 13 formed on the silicon oxide layer 12, a getter layer 14 formed in the silicon substrate 11, and a damaged layer 15 formed in the silicon oxide layer 12 and consisting of an impurity implantation region.例文帳に追加

シリコン基板１１と、前記シリコン基板１１上に形成された酸化シリコン層１２と、前記酸化シリコン層１２上に形成されたシリコン層１３と、前記シリコン基板１１中に形成されたゲッター層１４と、前記酸化シリコン層１２に形成された不純物注入領域からなるダメージ層１５を備えている。 - 特許庁

In the inductor wiring formed on a silicon substrate, there are formed a silicon layer having resistance lower than that of the silicon substrate, an alloy layer made of silicon, metal and the like in the vicinity of the inductor wiring which is present on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に形成するインダクタ配線において、インダクタ配線近傍の前記シリコン基板上に、前記シリコン基板よりも低抵抗のシリコン層、シリコンと金属の合金層等を形成することを特徴とするインダクタである。 - 特許庁

The oxide film 10 disposed between a silicon nitride film 12 and the silicon substrate 1 is backed toward the direction of a gate oxide film, and stress concentration on the silicon substrate 1 of the silicon nitride film 12 is moved from a corner of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコンナイトライド膜１２とシリコン基板１との間に配置される酸化膜１０をゲート酸化膜の方向に向かって後退させ、シリコンナイトライド膜１２のシリコン基板１に対する応力集中をシリコン基板１の角部から移動させる。 - 特許庁

To realize a high quality strain-silicon substrate which prevents a defective crystal caused by dislocation of a silicon-germanium layer, by preventing an occurrence of the dislocation by an epitaxial growth of the silicon-germanium layer on the strain silicon substrate, and to provide a semiconductor device which uses the strain silicon substrate.例文帳に追加

歪シリコン基板のシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長することによる転位の発生を回避し、このシリコン・ゲルマニウム層の転位に起因する結晶欠陥の回避された良質な歪シリコン基板を実現し、また歪シリコン基板を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sheet-like silicon comprising bringing a substrate having a growth surface into contact with a silicon melt and growing silicon on the substrate, the sheet-like silicon almost free from irregularity in quality can be obtained by dividing the substrate having the growth surface for the sheet-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁

A silicon oxide film 300 is formed by thermally oxidizing a silicon substrate 100 in a manner that a silicon nitride film 200 which covers a first part 110 of the silicon substrate 100 and which does not cover a second part 120 adjacent to the first part 110 of the silicon substrate 100 is used as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the plate-like silicon by bringing a substrate having a growing plane into contact with silicon molten liquid to grow silicon on the substrate, the plate-like silicon having small fluctuation of quality is obtained by dividing the substrate having the growing plane of the plate-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁