「silicon substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Prepared first is an SOI substrate which has a first silicon layer 2, a first silicon oxide layer 4, and a second silicon layer 6 laminated in order, wherein the thickness T1 of the first silicon layer 2 is equal to the thickness T3 of the second silicon layer 6.例文帳に追加

まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 has a recessed portion 1a formed on a surface of the substrate, after a grounding conductor film 2 is formed on the substrate including at least the recessed portion 1a of the substrate, a dielectric support film 3 is formed on the silicon substrate 1 just above the recessed portion 1a of the silicon substrate across an air space between the dielectric support film 3 and the substrate 1.例文帳に追加

基板表面に凹部１ａを有するシリコン基板１において、少なくとも凹部１ａを含む基板上に接地導体膜２を形成した後、シリコン基板１の凹部１ａの直上に空隙２０を挟んでシリコン基板１上に誘電体支持膜３を形成する。 - 特許庁

To reduce warpage of laminated substrate arising from a difference in thermal expansion between a silicon substrate as a first substrate and a glass substrate as a second substrate.例文帳に追加

第１の基板であるシリコン基板と第２の基板であるガラス基板との熱膨張差によって生じる、貼り合わせ基板の反りを低減すること。 - 特許庁

To evenly cover the surface of a silicon substrate with a silicon carbide layer when forming the silicon carbide layer, by irradiating a gas consisting of aliphatic saturated hydrocarbon or unsaturated hydrocarbon toward the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の表面に向けて脂肪族飽和炭化水素または不飽和炭化水素からなる気体を照射して炭化珪素層を形成する場合に、シリコン基板の表面を均一に被覆することができるようにする。 - 特許庁

This light sensor includes an SOI substrate 12 with a silicon oxide insulation film 16 and a silicon semiconductor layer 18 made of single-crystal silicon formed on a silicon substrate 14.例文帳に追加

光センサは、シリコン基板１４上に、酸化シリコン絶縁膜１６、単結晶シリコンからなるシリコン半導体層１８が形成されたＳＯＩ基板１２を備えている。 - 特許庁

The silicon region forming step forms a silicon region comprising a silicon substrate with an impurity included and an epitaxial layer deposited on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン領域形成工程では、不純物が含有されているシリコン基板と、シリコン基板の表面に堆積されているエピタキシャル層と、からなるシリコン領域を形成する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate attached with a cubic silicon carbide film having the cubic silicon carbide film which is scarce in crystal defects and high quality on a silicon substrate having a lattice constant different from that of the cubic silicon carbide.例文帳に追加

立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A fragile layer is formed on a single crystal silicon substrate, and a first impurity silicon layer is formed on one surface side of the single crystal silicon substrate, and further a first electrode formed on the first impurity silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ単結晶シリコン基板の一表面側に第１不純物シリコン層を形成し、第１不純物シリコン層上に第１電極を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride oxide film 3a and a silicon nitride film 2 after the reduction process are used as a mask to etch the silicon substrate 1, thereby forming the trench on a principal surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

還元処理後のシリコン窒化酸化膜３ａとシリコン窒化膜２とをマスクとしてシリコン基板１をエッチングすることにより、シリコン基板１の主表面にトレンチを形成する。 - 特許庁

In the silicon nitride substrate formed from the silicon nitride sintered compact containing a sintering aid, the silicon nitride substrate is characterized in that the silicon nitride sintered compact is substantially free from pores.例文帳に追加

焼結助剤を含有する窒化けい素焼結体から成る窒化けい素基板において、上記窒化けい素焼結体中に実質的に気孔が存在しないことを特徴とする窒化けい素基板である。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate, the silicon substrate is thermally treated in a nitrogen gas atmosphere which contains a small amount of oxygen gas to reduce the silicon oxide film to 2.5 nm or below in thickness.例文帳に追加

シリコン酸化膜が表面に形成されたシリコン基板に対して微量の酸素ガスを含む窒素ガス雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜を膜厚２．５ｎｍ以下に薄膜化する。 - 特許庁

An SOI substrate 30 is composed by forming an n^-type silicon layer 33 on a silicon oxide film 32 after forming the silicon oxide film 32 on a silicon substrate 31.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ^−型シリコン層３３が形成されて構成される。 - 特許庁

Porous silicon layers 3, 6 are formed to both surfaces of a single crystal silicon substrate 5 by anode formation method and thereby a compression stress of these porous silicon layers 3, 6 is applied to both surfaces of a single-crystal silicon substrate 5.例文帳に追加

陽極化成法により単結晶シリコン基板５の両面に多孔質シリコン層３，６を形成し、これらの多孔質シリコン層３，６の圧縮応力が単結晶シリコン基板５の両面に加わるようにする。 - 特許庁

A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板２の表面にたとえばシリコンの酸化物による第１の無機膜４を形成し、つづいてシリコン基板２をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層６を形成する。 - 特許庁

A groove 45 is formed in an n^--type silicon layer 33 of an SOI substrate 30 where a silicon oxide film 32 is formed on a silicon substrate 31 and the silicon layer 33 is formed on the film 32.例文帳に追加

シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、この上にＮ^−型シリコン層３３が形成されて構成されたＳＯＩ基板３０のシリコン層３３には、溝４５が形成されている。 - 特許庁

A polycrystalline silicon gate 4 is covered with a silicon oxide nitride film 5, and then a silicon substrate 1 is thermally oxidized to form a second gate oxide film 6 different in thickness from a first gate oxide film 3 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

多結晶シリコンゲート４を酸化窒化シリコン膜５で覆ってから、シリコン基板１の熱酸化を行うことにより、第１ゲート酸化膜３と厚みの異なる第２ゲート酸化膜６をシリコン基板１上に形成する。 - 特許庁

As for a method of forming HSG(hemispherical grain) silicon on a substrate, a first doped silicon film is formed on the substrate, and then a first undoped amorphous silicon stopper film is formed on the first doped silicon film.例文帳に追加

基板の上にＨＳＧシリコンを形成する方法において、基板の上に第１ドーピングされたシリコン膜を形成し、第１ドーピングされたシリコン膜の上に第１ドーピングされない非晶質シリコン阻止膜を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 comprising single crystal silicon having a main surface of the (100) plane is prepared, and a silicon oxide layer 102 is deposited on the main surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

A method for making the surface of a silicon substrate rough using a dry etching method, in which the silicon substrate is dry-etched with silicon chips or other silicon substrates being arranged around it.例文帳に追加

シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の周囲にシリコン片もしくは他のシリコン基板を配設して前記シリコン基板をドライエッチングする - 特許庁

A p^--type silicon support substrate 2 is provided, a p^+-type silicon layer 3 is provided on the support substrate 2, and n^+-type silicon layers 4 and p^+-silicon layers 12 are alternately formed thereon.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon semiconductor substrate of which a surface layer part of a silicon substrate is formed of a silicon oxide layer and a single crystalline silicon carbide layer.例文帳に追加

シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

A three-layer structure wherein a porous silicon layer is used as a high-resistance layer and is made to work as a gettering layer is comprised of a silicon thin-film, porous silicon and a silicon substrate, and it is used as a false SOI substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。 - 特許庁

The method of forming a single-crystal silicon-on-insulator (SOI) structure on a silicon substrate comprises a process in which an amorphous silicon layer is formed on an insulating layer and a process in which the amorphous silicon layer is brought into contact with the substrate via the insulating layer.例文帳に追加

シリコン基板の上に単結晶シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する方法が、絶縁層の上にアモルファス・シリコン層を形成すること、および絶縁層を介して基板に接触させることを含む。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

A silicon substrate 101 composed of single crystal silicon in which the (100) plane is the main surface is prepared, and a state where a silicon oxide layer 102 is formed on the main surface of the silicon substrate 101 is made.例文帳に追加

主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

In a manufacturing method, a cavity is formed in a silicon-on- insulator(SOI) part 23 on an SOI wafer (a first silicon substrate) which is composed of a silicon support part 21, an oxide film 22 and the SOI part 23, and a second silicon substrate 30 is then pasted.例文帳に追加

シリコン支持部２１と酸化膜２２とＳＯＩ部２３からなるＳＯＩウェハ（第１のシリコン基板）のＳＯＩ部２３にキャビティを形成し、この後、第２のシリコン基板３０と貼り合わせを行う。 - 特許庁

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。 - 特許庁

Hydrogen-terminated silicon substrate is introduced in the solvent, so that the inorganic matter is chemically immobilized on the silicon substrate.例文帳に追加

次に、その溶媒中に水素終端化したシリコン基板を導入しておくことにより、シリコン基板上に無機物を化学的に固定することができる。 - 特許庁

Thereafter, the silicon substrate 1 is cut along the grooves 4 whereby the silicon substrate 1 is diced into semiconductor devices 2.例文帳に追加

その後溝４に沿ってシリコン基板１を割ることによって，半導体装置４ごとにシリコン基板１を分割する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE HAVING Si3N4 HETEROEPITAXIAL BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板上にＳｉ３Ｎ４へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置 - 特許庁

A semiconductor element is formed to a silicon semiconductor substrate, and a trench-type collector extracting electrode buried to the silicon semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

シリコン半導体基板に半導体素子を形成した後、シリコン半導体基板に埋め込まれたトレンチ型のコレクタ取り出し電極を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NOZZLE SUBSTRATE MADE OF SILICON, MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID DROPLET DELIVERING HEAD, AND NOZZLE SUBSTRATE MADE OF SILICON例文帳に追加

シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及びシリコン製ノズル基板 - 特許庁

SILICON NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE USING IT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化けい素セラミックス基板およびそれを用いた窒化けい素セラミックス回路基板並びにその製造方法 - 特許庁

SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE例文帳に追加

窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール - 特許庁

The silicon substrate 2 is etched at an etching speed faster than a diffusion speed of hydrogen into the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板２をエッチングする。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING CONDUCTIVITY TYPE AND RESISTIVITY OF SEMICONDUCTOR SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法、及び半導体シリコン基板の製造方法 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, and an NiSi layer 110 provided on the element formation surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１およびシリコン基板１０１の素子形成面に設けられたＮｉＳｉ層１１０を含む。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON-MADE NOZZLE SUBSTRATE, SILICON-MADE NOZZLE SUBSTRATE, LIQUID DROPLET DISCHARGING HEAD AND APPARATUS FOR DISCHARGING LIQUID DROPLET例文帳に追加

シリコン製ノズル基板の製造方法、シリコン製ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 - 特許庁

Then the silicon semiconductor substrate 1 is heated at temperature higher than temperature required for the formation of the silicon oxide film to diffuse phosphorus into the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

しかる後、シリコン酸化膜を形成した温度よりも高い温度でシリコン半導体基板１を加熱してリンを半導体基板１に拡散する。 - 特許庁

To prevent thermal etching of a coating material for covering a silicon carbide crystal substrate and carbonization of a silicon carbide crystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板結晶を覆う被覆材料の熱エッチング及び炭化珪素基板結晶の炭化を防止する。 - 特許庁

The anodic-oxidation is performed on the silicon carbide substrate, by irradiating the substrate with light in a wavelength region having larger energy than the band gap of silicon carbide.例文帳に追加

炭化ケイ素基板に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ陽極酸化を行う。 - 特許庁

As the substrate 9, a hexagonal silicon carbide substrate having a (0001) silicon termination surface or a (000-1) carbon termination surface is used.例文帳に追加

この基板９として、（０００１）珪素終端面または（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。 - 特許庁

A resin layer 3 for peeling having low adhesiveness which is easily peelable from a silicon substrate 1 is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板１から容易に剥離可能な低密着性を有する剥離用樹脂層３をシリコン基板上に形成する。 - 特許庁