INDIUM PHOSPHIDEとは 意味・読み方・使い方

ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT例文帳に追加

ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁

PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法 - 特許庁

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost.例文帳に追加

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。 - 特許庁

① IARC classified indium phosphide as Group 2A (probable) human carcinogen.例文帳に追加

①IARCではリン化インジウムとしての発がん性はグループ2Aと分類した。 - 厚生労働省

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.例文帳に追加

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁

Indium phosphide nanowires are synthesized by heating a mixture 4 of an indium phosphide powder and an indium powder at 950-1,050°C for 0.5-0.8 h in an inert gas stream.例文帳に追加

リン化インジウム粉末とインジウム粉末の混合物４を不活性ガス気流中で９５０℃〜１０５０℃に０．５時間〜０．８時間加熱してリン化インジウムナノワイヤーを合成する。 - 特許庁

INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法 - 特許庁

Thereafter, each indium phosphide nanowire is covered with the carbon film by depositing the carbon film on the surface of each indium phosphide nanowire by subsequently heating the indium phosphide nanowires at 950-1,050°C for 10-30 min while making an inert gas and methane gas flow.例文帳に追加

その後不活性ガス及びメタンガスを流しながら、引き続き、９５０℃〜１０５０℃に１０分〜３０分間加熱することにより、リン化インジウムナノワイヤーの表面に炭素膜を堆積させることで、リン化インジウムナノワイヤーを炭素膜で被覆する。 - 特許庁