indium nitride filmとは 意味・読み方・使い方

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。 - 特許庁

To provide a single crystal thin film substrate which is used as a substrate for manufacturing a semiconductor element such as a light emitting element excelling in luminous efficiency, and which comprises as main components gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride.例文帳に追加

発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate and a vapor deposition equipment which can prevent particle containing indium from sticking on a surface of group III nitride film which contains indium.例文帳に追加

インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial substrate and a vapor phase growth system which suppress the deposition of indium contained particles on a surface of a film of a group III nitride containing indium.例文帳に追加

インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The piezoelectric film 16 is an orientated crystal film, composed of solid solution of aluminum nitride and gallium nitride which is represented by general formula Al_1-xGa_xN (where 0<x<1) or a solid solution of aluminum nitride and indium nitride which is represented by general formula Al_1-yIn_yN (where 0<y<1).例文帳に追加

圧電体膜１６は一般式Ａｌ_1-_x Ｇａ_x Ｎ（但し、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ_1-y Ｉｎ_y Ｎ（但し、０＜ｙ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜である。 - 特許庁

To obtain a high-quality single crystal thin film essentially comprising at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, to obtain a thin film substrate furnished with the above single crystal thin film, and to obtain a light emitting element having excellent luminous efficiency.例文帳に追加

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする高品質の単結晶薄膜を得、該単結晶薄膜が形成された薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子を実現する。 - 特許庁

To obtain a substrate for forming a single crystal thin film composed mainly of gallium nitride, indium nitride or aluminum nitride, which consists of a sintered compact composed mainly of a ceramic material, and to obtain a thin-film substrate with the single crystal thin film formed thereon, and an electronic element such as a light emitting element having excellent luminous efficiency.例文帳に追加

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor thin film includes a metal excessive supply process of excessively supplying indium exceeding a stoichiometry condition S, and a droplet conversion process of converting indium droplets 15 deposited on the substrate 10 in the metal excessive supply process into an indium nitride layer 16 by supplying the active nitrogen species 12 until the stoichiometry condition S is met.例文帳に追加

窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 - 特許庁