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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single surfaceに関連した英語例文

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single surfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3507



例文

The method inspects the surface of a single-crystal substrate for use as a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device for defects which are strip-shape or groove-shape defects ≥0.3 μm in length with the width ≥3 times the length, or shallow pit-shape defects or mound-shape defects ≥0.5 μm in diameter with the depth or height10 times the diameter.例文帳に追加

半導体デバイスを作製するための半導体基板として使用する単結晶基板表面において、長さ0.3μm以上でありかつ長さが幅の3倍以上であるライン状の凹凸欠陥あるいは短冊状の形状を有した凹形状欠陥、あるいは直径が0.5μm以上でありかつ直径が深さあるいは高さの10倍以上であるシャローピットあるいはマウンド状欠陥を検査することを特徴とする検査方法およびこれらの欠陥のない半導体基板の製造方法。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a photoelectric conversion layer 11, a negative electrode 12 containing, as a component, a single layer graphene and/or a multilayer graphene where some of carbon atoms arranged on one surface of the photoelectric conversion layer 11 are replaced by at least nitrogen atoms, and a positive electrode 13 arranged on the other surface of the photoelectric conversion layer 11.例文帳に追加

本発明の実施形態の光電変換素子は、光電変換層11と、前記光電変換層11の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12と、前記光電変換層11の他方の面に配置された陽電極13とを、具備することを特徴とし、また、本発明の実施形態の光電変換素子の製造方法は、炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12を基板上に形成する工程と、前記陰電極12上に光電変換層11を形成する工程と、前記光電変換層11の上に陽電極13を作製する工程を、具備することを特徴とする。 - 特許庁

The polarizing plate has a polarizer formed of a polyvinyl alcohol-based film, is set so that the transmittance of a single body is ≥44.0% and the degree of polarization is ≥99.60%, and is constituted by forming an antireflection layer on its surface.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系フィルムから形成された偏光子を有する、単体透過率が44.0%以上、偏光度99.60%以上の偏光板であって、その表面に反射防止層が形成されてなり、偏光板表面の鏡面反射率Ymが0.80%以下で、鏡面反射色相x、yが0.17≦x≦0.27、0.07≦y≦0.17であり、波長440nmにおける平行透過率Tp440[%]と、波長550nmにおける平行透過率Tp550[%] と、波長610nmにおける平行透過率Tp610[%]と、直交透過率のYc値[%]とが、下記式(1)〜(3)を同時に満足する偏光板。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.例文帳に追加

円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIb族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚A(mm)、光受容部材の直径D(mm)、光受容部材の回転速度B(mm/sec)及び帯電前露光と帯電器の間の角度C(rad)が、下記式(1)で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁

例文

The image-detecting mechanism section images the surface of one ring circumference of the ring-like sheet member by a single rotation driving, in a state where the region corresponding to the ring width W of the ring-like sheet member is stored substantially fully in an image frame of the imaging device.例文帳に追加

リング状板部材30の載置部と、その部材の表面を撮像する電子撮像装置3を有する画像検出機構部1と、撮像装置から入力する撮像画像データを画像処理してリング状板部材の表面欠陥の解析・検出を行うコンピューターシステム部2と、画像検出機構部をリング状板部材のリング中心を中心に回転させる駆動装置と、を有し、画像検出機構部は、リング状板部材のリング幅Wに対応した領域を撮像装置の画像フレーム内にほぼ一杯に納めた状態で、かつ一回転駆動されることでリング状板部材のリング一周分の表面の撮像を行う。 - 特許庁


例文

The surface acoustic wave device 10 has interdigital electrodes 2 on the front side of the substrate 1, the substrate 1 is made of a single crystal.例文帳に追加

基板1の表面に交差指状電極2を有する弾性表面波装置10であって、前記基板1が、単結晶で構成してあり、該単結晶が、点群32に属し、Ca_3 Ga_2 Ge_4 O_14型結晶構造を有し、その主要な成分がLa、Sr、Ta、Ga、SiおよびOからなり、化学式La_3−x Sr_x Ta_y Ga_z Si_w O_14(ただし、0.90≦x≦0.95、0.48≦y≦0.50、4.54≦z≦4.59、0.94≦w≦0.98)で表され、前記圧電基板の結晶方位および前記圧電基板の弾性表面波伝播方向をオイラー角表示で(φ、θ、ψ)と表したとき、該φ、θおよびψが下記領域1、または下記領域1と結晶学的に等価な領域に存在することを特徴とする弾性表面波装置。 - 特許庁

例文

In this case, the first and second unit cells are connected in series by allowing the second impurity semiconductor layer to abut on the third one, an insulation layer is provided on a surface at a side opposite to the single crystal semiconductor layer of the first electrode, and the insulation layer is joined to a support substrate.例文帳に追加

単結晶半導体層の一方の面に第1電極と一導電型の第1不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層が設けられた第1ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第3不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第4純物半導体層と第2電極が設けられた第2ユニットセルとを有し、第1ユニットセルと第2ユニットセルは、第2不純物半導体層と第3不純物半導体層が接することで直列接続され、第1電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 - 特許庁




  
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