「single surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SINGLE SHAFT DRIVER AND SURFACE SHAPE MEASURING APPARATUS USING IT例文帳に追加

１軸駆動装置及び該装置を使用した表面形状測定装置 - 特許庁

METHOD FOR MACHINING CONTOUR SURFACE AND SOLID BY NUMERICAL CONTROL SINGLE CUTTING TOOL例文帳に追加

数値制御単一刃具による輪郭面及び立体の加工方法 - 特許庁

ENDLESSLY WOVEN AND PERFORATED BELT FOR FINISHING SINGLE SURFACE OF CORRUGATED CARDBOARD例文帳に追加

エンドレスに織られて且つ針穿孔された段ボール片面仕上げ用ベルト - 特許庁

To provide a method for flattening the surface of a single crystal SiC substrate.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板の表面平坦化方法を提供する。 - 特許庁

REPAIRING METHOD AND DEVICE FOR SURFACE DEFECT OF SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置 - 特許庁

Uniform surface pressure can be added equally on each single cell 62.例文帳に追加

各単セル６２に一様に、かつ、均一な面圧を加えることができる。 - 特許庁

SURFACE EMITTING LASER COUPLED TOGETHER WITH PUMP LASER ON SINGLE HEAT SINK例文帳に追加

単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に結合された面発光レーザ - 特許庁

PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL COMPOSITION, PIEZOELECTRIC VIBRATOR, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE例文帳に追加

圧電単結晶組成物、圧電振動子、および弾性表面波デバイス - 特許庁

POLYIMIDE SINGLE SURFACE LAMINATE HAVING REINFORCING MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

補強材を有するポリイミド片面積層体およびその製造法 - 特許庁

In both the processes of the double-surface rough-polishing and the single-surface finish polishing, the wafer is placed and restrained on the lower surface plate 1, and the first upper surface plate for double-surface rough-polishing 12 and the second upper surface plate 13 for the single-surface finish polishing are exchanged for the wafer.例文帳に追加

両面粗研磨と片面仕上げ研磨との両工程において下定盤１上にウェハが載置保持されたままであり、このウェハに対し、両面粗研磨用の第一の上定盤１２と、片面仕上げ研磨用の第二の上定盤１３とが交換される。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal by which the silicon carbide single crystal can be grow in a large length in a state flatly maintaining the growth surface of the single crystal without generating crack detects.例文帳に追加

炭化珪素単結晶の成長表面をフラットに保ったまま長尺成長できるようにし、かつ亀裂欠陥を発生させないようにする。 - 特許庁

A field oxide film 13 is formed in the main front surface of the single-crystal silicon layer, which divides the single crystal silicon layer into a plurality of the single crystal silicon layers 3.例文帳に追加

フィールド酸化膜１３は単結晶シリコン層の主表面に形成され、単結晶シリコン層を複数の単結晶シリコン層３に分離している。 - 特許庁

SURFACE IMPROVEMENT METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND IMPROVED SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND GROWING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面改良方法及びその改良された単結晶炭化ケイ素基板、並びに、単結晶炭化ケイ素成長方法 - 特許庁

In order to measure plasma parameter data on the surface of a single flat surface Langmuir probe in contact with plasma, a bias capacitor 2 is connected between the single flat surface Langmuir probe 1 and a DC bias power source 3 on the surface of the single flat surface Langmuir probe 1 in contact with plasma.例文帳に追加

プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブの表面でプラズマパラメータデータを測定すするために、プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブ１の表面でバイアスコンデンサ２が単一の平面ラングミュアプローブ１とＤＣバイアス電源３との間で接続されている。 - 特許庁

This infusion device comprises: a body 12, including an accessible surface having a single inlet port 20 therein, an engagement surface having a single outlet port therein, and a medication delivery channel extending between the single inlet port 20 and the single outlet port; and an identification structure 36 on the accessible surface of the body 12 adjacent to the single inlet port.例文帳に追加

輸液デバイスは、本体１２と、内部に１つの入口ポート２０を有するアクセス可能な表面と、内部に１つの出口ポートを有する取付表面と、入口ポート２０と出口ポートとの間を延びる薬剤の配送路と、本体１２のアクセス可能な表面上の、入口ポートに隣接した識別構造３６とが含まれる。 - 特許庁

The elastic member has an outer circumferential surface of a single arc shape or a single circular shape in side view, and an inner circumferential surface with a plurality of projecting parts 67 formed thereon.例文帳に追加

弾性部材は側面視、単一の弧状または単一の円状の外周面と、複数の凸部６７が形成された内周面とを有する。 - 特許庁

Thus, the convex surface growth of the SiC single crystal is enabled.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SURFACE STICKY TYPE LIGHT EMITTING DIODE OF SINGLE-GRAIN AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

単粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 - 特許庁

TOOL FOR FLATTENING SURFACE OF POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

粉体表面平坦化治具及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 - 特許庁

Thus, the convex surface growth of the SiC single crystal is enabled.例文帳に追加

これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。 - 特許庁

The substrate 1 is a GaN single crystal substrate using an m-plane as a principal surface.例文帳に追加

基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。 - 特許庁

When the reed is a single reed, the reed fixing part includes a fixing part for fixing the mouth piece contact surface or the lower lip contact surface of the single reed to the reed fixing part.例文帳に追加

また、リードがシングルリードの場合、リード固定部は、シングルリードのマウスピース接触面又は下唇接触面をリード固定部に固定する固定部を備える。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

A micromirror 25 has a surface (111) to be a crystal plane of a single crystal silicon as a reflection surface A25.例文帳に追加

単結晶シリコンの結晶面である（１１１）面を反射面Ａ２５とするマイクロミラー２５である。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL WAFER FOR SURFACE ACOUSTIC WAVE OR PSEUDO SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

弾性表面波又は疑似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

This knitted fabric is provided by setting the single filament fineness constituting the surface fabric 1 and/or reverse surface fabric as ≤7 denier fineness.例文帳に追加

表地１および／または裏地２を構成する糸条の単糸繊度を０．７デニール以下とする。 - 特許庁

The objective lens 2 is composed of the single lens of a both side aspherical surface and the surface 3 on a light source side is formed as a rotationally symmetric aspherical surface.例文帳に追加

対物レンズ２を、両面非球面の単レンズにより構成し、光源側の面３を回転対称非球面とする。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and a surface-roughened layer 3 having the surface large in unevenness in comparison with that of the surface of the silicon carbide single crystal layer 2 is formed on the silicon carbide single crystal layer 2.例文帳に追加

珪素基板１の上に炭化珪素単結晶層２を形成したのち、この炭化珪素単結晶層２の上に、該炭化珪素単結晶層２の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層３を形成する。 - 特許庁

A characteristic graph of the first surface and a graph obtained by inverting a characteristic graph of the second surface are displayed in a single image, thereby inspecting the stiffness distribution characteristics of the first surface and the second surface.例文帳に追加

表側の特性グラフと裏側の特性グラフの反転グラフとを一画面に表示することで表裏の剛性分布特性を検査する。 - 特許庁

The objective 10 for optical head is a single plastic lens which has an aspherical surface as its 1st surface 11 and a spherical or aspherical surface as its 2nd surface 12.例文帳に追加

光ヘッド用対物レンズ１０は、第１面１１が非球面、第２面１２が球面、もしくは非球面であるプラスチック製の単レンズである。 - 特許庁

To provide a method for cutting a sapphire single crystal by a wire saw suitable at the time of production of a single crystal sapphire substrate wherein a surface warp shape is isotropically a recessed surface, and the single crystal sapphire substrate.例文帳に追加

表面の反り形状が等方的に凹面である単結晶サファイア基板を製造する際に好適なワイヤソーによるサファイア単結晶の切断方法と単結晶サファイア基板を提供する。 - 特許庁

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING LEVEL OF LIQUID SURFACE IN APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL BY CZ METHOD例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶引き上げ装置内の液面レベル測定方法 - 特許庁

Thus, the growing surface of silicon carbide single crystal 10 can be flattened.例文帳に追加

これにより、炭化珪素単結晶１０の成長表面を平坦にできる。 - 特許庁

A single representative flat surface PL1 representing an atomic group can be also displayed.例文帳に追加

また，原子群を代表する単一の代表平面ＰＬ１も表示できる。 - 特許庁

Patterns corresponding to cross-sectional shapes of single crystals are formed on the inclined surface.例文帳に追加

単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。 - 特許庁

The sensor includes a substrate having an arrangement of electrodes mounted on a single surface thereof.例文帳に追加

このセンサは、電極が一表面上に配置された基板を備えている。 - 特許庁

To carry out epitaxial growth of crystalline silicon nitride film on the surface of Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

The single crystalline polycrystal in which the particle size of the central part is larger in comparison with the particle size of the surface and the single crystal which is cut off from the central part of the single crystalline polycrystal are used.例文帳に追加

表面の粒径に比べて中心部の粒径が大きい単結晶質多結晶体、およびその多結晶体の中心部分から切り出した単結晶を用いる。 - 特許庁

The single particle laminated thin film has a single particle layer deposited, on a supporting body having a surface with hydrophilic graft polymer chains, with particulates in a single particle state.例文帳に追加

親水性グラフトポリマー鎖が存在する表面を有する支持体上に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The shape of a lens surface 5 facing an eyeball 3 of the spectacle lens 1 consisting of a single lens is composed of a spherical surface or toric surface.例文帳に追加

単レンズからなる眼鏡レンズ１の、眼球３に面するレンズ面５の形状を、球面又はトーリック面によって構成する。 - 特許庁

The non-laminated belt for a single surface finishing part of a corrugated cardboard manufacturing line has a single fundamental structure having a seamless endless loop form.例文帳に追加

段ボール生産ラインの片面仕上げ部用の非積層ベルトは、継目のないエンドレスループの形態の単一基礎構造を有する。 - 特許庁

METHOD OF PINNING STEP STRUCTURE FORMED ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING PINNED STEP STRUCTURE例文帳に追加

単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 - 特許庁

INITIAL MELT SURFACE POSITION ADJUSTMENT METHOD, INITIAL MELT SURFACE POSITION ADJUSTMENT APPARATUS, AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD例文帳に追加

融液面初期位置調整装置及び融液面初期位置調整方法並びに単結晶の製造方法 - 特許庁

To provide a wet treatment apparatus, which is adaptable to both a single-surface treatment and a both-surface treatment.例文帳に追加

片面の表面処理、及び両面の表面処理の両方に対応可能な湿式処理装置を提供する。 - 特許庁