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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single surfaceに関連した英語例文

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single surfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3506



例文

A single zero-dimensional surface element is stored in a memory about each cell 200 oriented on the surface of the object.例文帳に追加

単一ゼロ次元面エレメントはオブジェクトの面上に定位された各セル200についてメモリに記憶される。 - 特許庁

The conductive endless belt consists of a single layer principally comprising thermoplastic resin and has the back surface formed roughly more than the surface.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を主成分とする単一の層からなり、裏面が、表面よりも粗く形成されている。 - 特許庁

The single crystal substrate 13 is subject to figuring surface-polishing so as to form magnetosensitive parts 14 on the mirror polishing surface.例文帳に追加

単結晶基板13を面出し表面研磨し、その鏡面研磨面に感磁性部14を形成する。 - 特許庁

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面は、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁

例文

The substrate 2 is composed of GaN single crystal and the major surface of the substrate 2 consists of a nonpolar m-surface.例文帳に追加

基板2は、GaNの単結晶からなり、基板2の主面は、無極性面であるm面で構成されている。 - 特許庁


例文

A second single crystal plate 12 has a second side surface opposing to the first side surface and is made of silicon carbide.例文帳に追加

第2の単結晶板12は、第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる。 - 特許庁

The seed crystal whose surface is covered with a depositing substance is used, in the method for producing the silicon carbide single crystal supplying raw material on the surface of the seed crystal comprising a silicon carbide single crystal and growing the silicon carbide single crystal on the above surface.例文帳に追加

炭化珪素単結晶からなる種結晶の表面に原料を供給し、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、表面を蒸着物で被覆した種結晶を使用する。 - 特許庁

To improve the uniformity of temp. within the surface of a susceptor throughout the surface and to uniformize the film thickness of the silicon single crystal thin film, in an equipment for vapor growth of a silicon single crystal thin film.例文帳に追加

シリコン単結晶薄膜の気相成長装置におけるサセプタ温度の面内均一性を改善し、シリコン単結晶薄膜の膜厚を均一化する。 - 特許庁

The first member 72 includes a first plane part 84 abutted to an axial single surface of a driving roller, and a second plane part 86 abutted to a single surface of the adjustable guide rail.例文帳に追加

第1部材72は、駆動ローラの軸方向片面に突き当てる第1平面部84と、調整可能案内レールの片面に突き当てる第2平面部86とを含む。 - 特許庁

例文

The dehumidifying external wall structure is made of a single structure in which an internal surface substantially makes contact with inside air and an external surface substantially makes contact with outside air, and the single structure has air permeability imparted thereto.例文帳に追加

内面が実質的に内気と接触し、外面が実質的に外気と接触する単一構造体からなり、当該単一構造体は透湿性を有している。 - 特許庁

例文

SUPERCONDUCTOR COMPRISING SUPERCONDUCTING THIN FILM FORMED ON SURFACE OF ALUMINA SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING SUPERCONDUCTING THIN FILM ON SURFACE OF ALUMINA SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

アルミナ単結晶基板の表面に形成された超伝導薄膜からなる超伝導体、及びアルミナ単結晶基板の表面に超伝導薄膜を形成する方法 - 特許庁

Metal particles having a single probe molecule immobilized on each surface are manufactured, and a single probe molecule element formed by immobilizing metal particles on the carrier substrate surface is manufactured.例文帳に追加

表面に単一プローブ分子を固定した金属微粒子を製造するとともに、該金属微粒子を担体基板表面に固定した単一プローブ分子素子を製造する。 - 特許庁

To provide the surface treatment method of a single crystal semiconductor substrate, which uniformly forms lower multiple micro protrusions on the surface of the single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板の表面に対して、一層高さの低い多数の微小突起を均一に形成する単結晶半導体基板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND INSTRUMENT FOR MEASURING VIBRATION OF LIQUID SURFACE IN SINGLE CRYSTAL PULLING UP DEVICE例文帳に追加

単結晶引上装置における液面振動の測定方法およびその装置 - 特許庁

DEVICE AND METHOD OF SUPPORTING SINGLE LAYER OR MULTIPLE- LAYERED SHEET MATERIAL ON SUPPORT SURFACE例文帳に追加

単層又は多層のシ—ト材を支持面上に保持するための装置及び方法 - 特許庁

A first single crystal plate 11 has a first side surface and is made of silicon carbide.例文帳に追加

第1の単結晶板11は、第1の側面を有し、炭化珪素からなる。 - 特許庁

A decoration film 11 and an EL element 12 are arranged in a single body on the front surface side.例文帳に追加

表面側に装飾フィルム11とEL素子12とを一体的に設ける。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL WAFER FOR PSEUDO-ELASTIC SURFACE WAVE DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ及びその製造方法 - 特許庁

Then, on the photodiode surface, an antireflection film of a silicon nitride film single layer is formed.例文帳に追加

そして、ホトダイオード表面にはシリコン窒化膜単層の反射防止膜を形成する。 - 特許庁

BALL NUT, SINGLE SHAFT ROBOT, ELECTRONIC COMPONENT TRANSFERRING DEVICE, SURFACE MOUNT MACHINE, AND IC HANDLER例文帳に追加

ボールナット、単軸ロボット、電子部品移載装置、表面実装機およびICハンドラー - 特許庁

Also as required, a cushion or a sponge-shaped buffer member is attached to a recessed portion or at least to a single surface for coating an adhesive or an adhered mortar to the single surface or the double surface.例文帳に追加

また、必要に応じて目地板の片面又は両面に接着剤塗布又は接着モルタルを塗るための凹部あるいは少なくとも片面にクッション性又はスポンジ状の緩衝部材を取り付けた。 - 特許庁

The coating film containing Ti and O formed on the surface-treated steel sheet preferably contains Ti in an amount of 3 to 200 mg/m^2 per single surface, and the Fe-Ni alloy layer preferably contains Ni in an amount of 5 to 1,000 mg/m^2 per single surface.例文帳に追加

本発明の表面処理鋼板では、TiおよびOを含む皮膜のTi量が片面あたり3〜200mg/m^2であること、また、Fe-Ni合金層のNi量が片面あたり5〜1000mg/m^2であることが好ましい。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER例文帳に追加

表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法 - 特許庁

The seed crystal for use in a silicon carbide single crystal growth, having one side surface of a plane surface and the other side surface of not necessarily a plane surface, and besides the manufacturing method thereof, and furthermore the method for growing an SiC single crystal using this seed crystal, are each disclosed.例文帳に追加

片面が平面、他面が必ずしも平面でない炭化珪素単結晶成長用種結晶、及び、その製造方法、並びに、この種結晶を用いたSiC単結晶の結晶成長方法である。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor layer 2 is formed on a GaN single-crystal substrate 1 with a nonpolar surface or a semi-polar surface (for example, an m surface) as a main surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面(たとえばm面)を主面とするGaN単結晶基板1上にIII族窒化物半導体層2が形成されている。 - 特許庁

It is better to form the notched surface of the knob parts 13 and 14 by a single surface in which a surface sunk from the plate surface of the plate material 12 and a surface opened to the side end face of the plate material 12 are connected by a plane or a concave curved surface.例文帳に追加

摘み部13,14の切り欠き面は、板材12の板面から落ち込む面と、板材12の側端面に開放する面とが平面または凹曲面で連なる単一面で形成されるとよい。 - 特許庁

Each single-sided dot D1 transmits light from an organic EL element P1 of itself to emit it from the front surface F1 of the single-sided part 11.例文帳に追加

片面ドットD1は、自己の有機EL素子P1からの光を透過させて片面部11の表面F1から射出する。 - 特許庁

To produce an SiC single crystal reduced in micropipes exposed on the surface and lamination defect and provide a method for growing the single crystal.例文帳に追加

表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。 - 特許庁

A texture is formed on the surface of a single crystal material by removal working or deposition working utilizing the regularity of the single crystal material.例文帳に追加

単結晶材料の規則性を利用して除去加工または付着加工により単結晶材料表面にテクスチャを形成する。 - 特許庁

To provide a material coated with a metal single atomic layer where the surface of the substrate is coated with a metal single atomic layer, and manufacturing method therefor.例文帳に追加

基材表面が金属単原子層で被覆された金属単原子層被覆材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a working method for single crystal alumina whereby objective deep unevenness or the like can be formed on the surface of single crystal alumina.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に目的とする深い凹凸等を形成することが可能な単結晶アルミナの加工方法を提供する。 - 特許庁

A bulk single crystal has an acicular seed crystal and a nitride single crystal growing from a side surface of the acicular seed crystal.例文帳に追加

バルク状単結晶は、針状種結晶と、この針状種結晶の側面から成長している窒化物単結晶とを有する。 - 特許庁

The single crystal having a low double refraction value can be produced by forming the surface of the single crystal after the step S103.例文帳に追加

ステップS103の後に単結晶の表面を形成することで、複屈折の値が低い単結晶を製造することができる。 - 特許庁

Subsequently, the ferroelectric single crystal substrate 6 is thinned by performing grinding from the surface side of the ferroelectric single crystal substrate 6.例文帳に追加

次に、強誘電体単結晶基板6の表面側から研磨処理を施し、強誘電体単結晶基板6を薄板化する。 - 特許庁

The magnetostatic element 12 includes a GGG single-crystal substrate 14, and a YIG single-crystal film 16 formed on one main surface.例文帳に追加

静磁波素子12は、GGG単結晶基板14と、その一方主面上に形成されるYIG単結晶膜16とを含む。 - 特許庁

Thus the microcavities are densely formed on a separation layer 3 that is located inside the single-crystal base material 1 and is separated from a surface of the single-crystal base material 1.例文帳に追加

これにより、単結晶基材1の表面から内部に離れた剥離層3に、マイクロキャビティを集積して形成する。 - 特許庁

To provide a single crystal SiC substrate having a substrate surface flattened in a molecular level.例文帳に追加

基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶SiC基板を提供する。 - 特許庁

To accurately polish a disk, particularly the inner peripheral end surface thereof, using a single polishing member.例文帳に追加

単一の研磨部材を用いて、ディスク材、特にその内周端面を高精度に研磨する。 - 特許庁

Equation (1), the surface roughness (μm) of the forced feeding crimp imparting rollers/the fineness of the single filament (dtex)≤2.5.例文帳に追加

押込捲縮付与ローラの表面粗度(μm)/単糸繊度(dtex)≦2.5 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser capable of stable single transverse mode oscillation in a fundamental mode.例文帳に追加

基本モードで安定した単一横モード発振が容易な面発光レーザを提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING MOLTEN LIQUID SURFACE POSITION AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

融液面位置測定方法及び装置並びに単結晶製造方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL CONJUGATE POLYMER NANOSTRUCTURE BY SURFACE-INDUCTED SELF-ASSEMBLY例文帳に追加

表面誘導自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法 - 特許庁

Entire regions of a surface and a rear face of the single sheet 2 can be used as point faces.例文帳に追加

また、1枚のシート2の表面及び裏面の全域を印刷面とすることができる。 - 特許庁

Next, a silicon single-crystal layer 12 is superimposed on the surface of the additional silicon oxide layer 14.例文帳に追加

次に、追加酸化シリコン層14の表面にシリコン単結晶層12を重ね合わせる。 - 特許庁

To planarize the surface of a SiC single crystal substrate to an atomic level at a high speed.例文帳に追加

SiC単結晶基板の表面を原子オーダーのレベルで、かつ高速に平坦化させる。 - 特許庁

A support substrate 40 is jointed to an ion-implanting surface side of the piezoelectric single-crystalline body 1 (S105).例文帳に追加

圧電単結晶体1のイオン注入面側に支持基板40を接合する(105)。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser integrated together with a pump laser on a single heat sink.例文帳に追加

単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に一体化された面発光レーザを提供する。 - 特許庁

The first to third groups are respectively constituted of a single lens having at least one aspherical surface.例文帳に追加

第1群〜第3群はそれぞれ少なくとも1面が非球面の単レンズからなる。 - 特許庁

To form a step terrace structure on the surface of a zinc oxide single crystal substrate (ZnO wafer).例文帳に追加

酸化亜鉛単結晶基板(ZnOウエファー)の表面にステップ・テラス構造を形成する。 - 特許庁

例文

An acicular structure is formed of AlN on a main surface of the prescribed single crystal substrate.例文帳に追加

所定の単結晶基板の主面上に、AlNからなる針状構造を形成する。 - 特許庁




  
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