micropipesとは 意味・読み方・使い方

A Schottky diode 10 is provided with an n+ type single-crystal silicon carbide substrate 12 and an n-type epitaxial silicon carbide layer 14, while through-holes (micropipes) 16 exist in the substrate 12 and the epitaxial silicon carbide layer 14.例文帳に追加

ショットキーダイオード１０はｎ^＋型の単結晶炭化珪素基板１２とｎ^−型のエピタキシャル炭化珪素層１４とを有し、基板１２及びエピタキシャル炭化珪素層１４には貫通孔（マイクロパイプ）１６が存在する。 - 特許庁

To eliminate the influence of micropipes, and to manufacture the silicon carbide rectifying element of a large area, using a silicon carbide substrate including the micropipe.例文帳に追加

マイクロパイプを含む炭化珪素基板を用いた炭化珪素整流素子において、マイクロパイプの影響を無くし、大面積の炭化珪素整流素子を歩留まりよく製造する。 - 特許庁

To provide a SiC crystal in which hollow-core defects that have propagated from a substrate can be reduced even when a SiC single crystal substrate having hollow-core defects called as micropipes is used.例文帳に追加

マイクロパイプと呼ばれる中空欠陥を有するＳｉＣ単結晶基板を用いても、この基板から継続した中空欠陥を低減させたＳｉＣ結晶を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC substrate which can reduce not only micropipes but also basal plane dislocations, an SiC substrate manufactured by the method, and a semiconductor device.例文帳に追加

マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC substrate which closes through-micropipes, the defects existing in the SiC substrate, in a simple method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using it.例文帳に追加

ＳｉＣ基板内部に存在する欠陥である貫通マイクロパイプを、簡易な方法で閉塞することができるＳｉＣ基板の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加

マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The transistor 1 in the respective circuit block 5 is made compact to reduce the number of micropipes and a possibility of increase in leak current, and the transistor 1 with an increased leak current is separated from the power circuit interrupting transistor 2 to maintain and assure the entire operation of the semiconductor device.例文帳に追加

各回路ブロック５のトランジスタ１を小型化してマイクロパイプの数を低減し、リーク電流増加の可能性を小さくするとともに、リーク電流が増大したトランジスタ１は電源回路遮断トランジスタ２により切り離し、半導体デバイスの全体としての動作を維持保証する。 - 特許庁

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。 - 特許庁