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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single surfaceに関連した英語例文

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single surfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3507



例文

The sheets shall not contain frames or single lines around the usable or used surface.例文帳に追加

用紙は,使用可能な又は使用済の面の周りに枠又は単線を含めてはならない。 - 特許庁

Subsection (1) shall be applicable mutatis mutandis to the combination of surface designs to be protected as a single unit. 例文帳に追加

[1]の規定は,一体として保護されるべき表面意匠の集合に準用する。 - 特許庁

To prevent the heavy metal contamination of Fe, or the like, from the rear surface of a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の裏面からのFe等の重金属汚染を防止する。 - 特許庁

The transition metal single crystal thin film has a surface of a three-fold symmetry of a six-fold symmetry.例文帳に追加

遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する - 特許庁

例文

This semiconductor device is equipped with a single crystal silicon substrate 1 provided with a linear conductive layer 2 on its surface.例文帳に追加

単結晶シリコン基板1の上には、ライン状の導電層2が形成されている。 - 特許庁


例文

A plastic laminate is constituted by successively laminating a hard coat layer and a reflection preventing layer on at least the single surface of a plastic base material.例文帳に追加

このプラスチック積層体は、画像表示保護フイルムとして好適である。 - 特許庁

MELT SURFACE POSITION DETECTING APPARATUS OF SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE例文帳に追加

単結晶引上げ装置の融液表面位置検出装置及びその単結晶引上げ装置 - 特許庁

A polyester dispersion coating layer is formed on at least the single surface of this laminated film.例文帳に追加

この積層フィルムの少なくとも片面にポリエステル分散体コート層が形成されている。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide single crystal substrate having a flat surface suitable for growing a thin film.例文帳に追加

薄膜成長に適した平坦な表面を持つ酸化亜鉛単結晶基板を得る。 - 特許庁

例文

To form a regularly arranged single particle film of ceramic hyper-fine particles on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面にセラミック超微粒子の規則配列単粒子膜を形成する。 - 特許庁

例文

VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER COMPRISING SINGLE LASER ELEMENT PROVIDED ON COMMON SUBSTRATE例文帳に追加

共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー - 特許庁

The surface of the single crystal is subjected to nitriding process to obtain a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 - 特許庁

To prepare an SOI substrate having a single crystal semiconductor layer of high surface flatness.例文帳に追加

表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するSOI基板を作製する。 - 特許庁

The inner container 2 is a single bottle made of glass, and its inner surface is deposited with the vapor of silver.例文帳に追加

内容器2はガラス製一重瓶で、内面に銀蒸着してなる構成とした。 - 特許庁

PREPARING METHOD OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SURFACE OXIDE FILM USING ULTRA-HIGH TEMPERATURE WATER VAPOR例文帳に追加

超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法 - 特許庁

A single crystal silicon layer with main front surface is formed on an embedded oxide film 2.例文帳に追加

主表面を有する単結晶シリコン層は、埋込酸化膜2上に形成されている。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL FOR PIEZOELECTRIC SUBSTRATE, SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

圧電基板用単結晶、それを用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法 - 特許庁

Single probe molecules are arrayed and immobilized in regular manner at lattice point positions on the substrate surface.例文帳に追加

単一プローブ分子を基板表面の格子点位置に規則的に配列固定する。 - 特許庁

SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER USING SINGLE CRYSTAL FOR PIEZOELECTRIC SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

圧電基板用単結晶を用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法 - 特許庁

To flatten the surface of an insulating layer where a single crystal silicon layer is laminated.例文帳に追加

単結晶シリコン層が貼り合わされる絶縁体層表面を平坦化すること。 - 特許庁

The substrate 12 has a single-layer structure and the wiring pattern 22 is provided on the top surface thereof.例文帳に追加

基板12は1層構造であり、この上面に配線パターン22が設けてある。 - 特許庁

METHOD FOR REPRODUCING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL METALLIC PART OR DIRECTIONALLY-SOLIDIFIED PART例文帳に追加

単結晶金属部品または方向性凝固部品の表面を再生成する方法 - 特許庁

A surface layer 12 is formed on at least the outer peripheral surface of a columnar silicon carbide single crystal 11.例文帳に追加

柱状をなす炭化珪素単結晶11における少なくとも外周面に表面層12が形成されている。 - 特許庁

Ten air suction holes 9A are bored so as to make a single line in a right/left direction on the lower surface of the lower end edge part of a front surface panel 9.例文帳に追加

前面パネル9の下端縁部下面には、10個の吸気孔9Aが左右方向一列に穿設されている。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser capable of oscillating in single lateral mode with higher output, compared to a conventional surface emitting laser.例文帳に追加

従来の面発光レーザと比較して、高出力かつ単一横モード発振しうる面発光レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a machining device that can machine not only the hollow internal surface of workpieces but also the external surface via single chucking.例文帳に追加

ワークの中空内面のみならず、その外周部の加工を1チャッキングで行うことができる加工装置を提供する。 - 特許庁

Concerning the surface skin material 20, especially a continuous and single one is attached so as to cover a side surface of the plurality of the standing legs 12.例文帳に追加

表皮材20は、特に、連続した単一のものが、複数の立脚12の側面を覆うように被着している。 - 特許庁

A connection body 13 for connecting two socket single bodies 11 is disposed at the front and the back in the vicinity of a side surface center of the socket single body 11, in order to connect the socket single bodies 11.例文帳に追加

連結体13は2個のソケット単体11を連結するもので、ソケット単体11の側面部中央付近の前方と後方に備わり、ソケット単体11同士を連結する。 - 特許庁

The other objective method for growing a silicon single crystal comprises using the above thermosensors and determining the temperature gradient in the perpendicular direction on the surface of the single crystal to control the pull conditions for the single crystal.例文帳に追加

この温度センサーを用い、単結晶表面の垂直方向温度勾配を測定することによって、引き上げ条件を制御するシリコン単結晶の育成方法。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer is melted by the irradiation of laser beams, thus achieving single crystallization again, recovering the crystallinity, and planarizing the surface of the single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再単結晶化して、その結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化する。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer is melted by laser beam irradiation, thereby the single crystal semiconductor layer is recrystallized to recover its crystallinity and a surface of the single crystal semiconductor layer is planarized.例文帳に追加

レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a crack in a single crystal rod 5, which may occur when a local stress is applied to a crystal habit line 11 present at the surface of the single crystal rod 5 and to prevent the single crystal rod 5 from being split in cylindrical grinding of the single crystal rod 5.例文帳に追加

単結晶棒5の円筒研削において、単結晶棒5の表面に存在する晶癖線11に局所的な応力がかかって単結晶棒5にクラックが発生し、単結晶棒5が割れないようにする。 - 特許庁

The method of producing the silicon carbide single crystal wafer comprises subjecting a silicon carbide single crystal material obtained by cutting a silicon carbide single crystal to annealing heat treatment at a temperature of ≥1,300 and ≤2,000°C, and thereafter, subjecting the silicon carbide single crystal material to machinning such as polishing of its surface.例文帳に追加

炭化珪素単結晶より切断加工された炭化珪素単結晶材に、1300℃以上2000℃以下の温度で焼鈍熱処理を施し、しかる後に表面に研磨処理等々の機械加工を実施する。 - 特許庁

Then, when the top 8 or the tail 9 of the single crystal rod 5 is held and the single crystal rod 5 is subjected to cylindrical grinding, the single crystal rod 5 is held in such a way that the holding cup 12 does not contact with the crystal habit line 11 present at the surface of the single crystal rod 5.例文帳に追加

そして、単結晶棒5の円筒研削において、単結晶棒5のトップ8又はテール9を把持する際に、把持カップ12が単結晶棒5の表面に存在する晶癖線に接触しないようにする。 - 特許庁

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved.例文帳に追加

共振器端面が(1_100)面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板12だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も(1_100)面で綺麗に割れる。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal substrate has a volume resistivity of 0.001-0.012 Ωcm, and ≥90% of the entire substrate surface is coated with a silicon carbide single crystal surface having a surface roughness (Ra) of ≤1.0 nm.例文帳に追加

体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。 - 特許庁

In the method for repairing a surface defect which is an affected layer of the surface of a single crystal wafer used for a semiconductor, a MEMS and an optical lens, etc., the surface of the single crystal is irradiated with a pulse laser one time.例文帳に追加

半導体やMEMSや光学レンズに使用されている単結晶ウエハーの表面の加工変質層である表面欠陥の修復方法において、単結晶表面にパルスレーザーを1回照射する。 - 特許庁

By this constitution, The mirror phase lattice is obtained on the surface 58 of a silicon substrate 51 becoming a reflecting surface or the surface 56 of the single crystal silicon layer 59.例文帳に追加

これにより、反射面となるシリコン基板51の表面58や単結晶シリコン層59の表面56が鏡面な位相格子53を得ることができる。 - 特許庁

A nitride film 21 is formed on the surface of a substrate 12 of silicon single crystal, and a surface oxide film 14 is formed on the surface of the nitride film 21.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板本体12の表面に窒化膜21を形成し、窒化膜21の表面に表面酸化膜14を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive curved surface machining machine for a work with a simple constitution which can execute various curved surface machining by a single curved surface machining machine.例文帳に追加

単一の曲面加工機で多種多様な曲面加工を行なうことができる低価格で簡単な構成のワークの曲面加工機を提供する。 - 特許庁

The workpiece 100 is gradually bent from a planar shape into the shape of the single-tube roll so that the upper surface (inside surface) is adhered closely to the peripheral surface of the shaft body 4.例文帳に追加

ワーク100は、上面(内側面)が軸体4の周面に密着するようにして、平板状から徐々に単管ロール状に曲げられる。 - 特許庁

The metal surface layer 24 has a metal grating (periodical) surface structure and DFB surface plasmon layer, which enables single mode light emission is formed thereby.例文帳に追加

金属表面層24は、金属製のグレーティング(周期的)表面構造を有し、これにより、シングルモード発光が可能なDFB表面プラズモンレーザを形成する。 - 特許庁

The (113) surface of the dodecahedral single crystal diamond 5 is a surface having hardness and wear resistance equal to those of a surface (111) which is hardest and has large wear resistance.例文帳に追加

十二面体単結晶ダイヤモンド5の(113)面は、最も硬く対摩耗性の大きな(111)面と同等の硬さと対摩耗性を有する面である。 - 特許庁

This lens consists of a single lens L in convex shape having positive refractive power larger than 1, and the single lens L condenses incident luminous flux from a 1st surface M1 at the position P of a 2nd surface M2, and the 1st surface M1 is composed of an aspherical surface.例文帳に追加

1より大きな正の屈折力を有する凸形状の単レンズLからなり、前記単レンズLは、第1面M1からの入射光束を第2面M2の位置Pに集光し、前記第1面M1は非球面で構成されている。 - 特許庁

Preferably, the quenching and solification are carried out by a single-roll method, and the low melting point phase is formed on a surface of the foil on the opposite side from a surface which comes into contact with a single roll.例文帳に追加

望ましくは、前記急冷凝固を単ロール法によって行い、前記薄片の、該単ロールに接触する面とは反対側の面に前記低融点相を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single-crystal substrate having an extremely flat surface such that a surface of an active layer of the SiC single-crystal substrate has a center-line average roughness of approximately 0.1 nm.例文帳に追加

SiC単結晶基板の活性層表面の中心線平均粗さが、0.1nm程度と、極めて平坦な表面を持つSiC単結晶基板の製造方法を提供する - 特許庁

(1) Disclosed is a substrate for forming a fine uneven surface structure having the etching mask formed of a single particle film formed by arraying single particles on a substrate surface in two dimensions most densely.例文帳に追加

(1)基板表面に単粒子を2次元に最密充填配列して形成されている単粒子膜からなるエッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板。 - 特許庁

To surely avoid collisions between a paper sheet from a paper sheet housing part and that having a picture-image-formed on a single surface, and between mating paper sheets having a picture-image-formed on a single surface, respectively.例文帳に追加

用紙収容部からの用紙と片面画像形成済みの用紙との衝突、片面画像形成済みの用紙同士の衝突を確実に回避できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A film formed by applying printing 12 to the non-matte surface of a matte film 11 of which the single surface is a matte surface and providing an adhesive layer bondable to polystyrene to the printed surface of the film 11 is thermally laminated to the single surface or both surfaces of a foamed styrol sheet 14 to obtain a laminated sheet 10.例文帳に追加

片面がマット面となったマットフィルム11の非マット面に印刷12を施し、その印刷面にポリスチレンに接着可能な接着層13を設けてなるフィルムを、発泡スチロールシート14の片面又は両面に熱ラミネートにより貼り合わせて積層シート10とする。 - 特許庁

例文

The nitride-based semiconductor is characterized by comprising: a substrate having a principal surface including a first crystal polarity surface, and a second crystal polarity surface different from the first crystal polarity surface; and a single polarity layer formed on the principal surface and having single crystal polarity.例文帳に追加

第1の結晶極性面と、前記第1の結晶極性面とは異なる第2の結晶極性面と、を含む主面を有する基板と、前記主面の上に設けられ、結晶極性が単一である単一極性層と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体が提供される。 - 特許庁




  
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