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time dependent oxide breakdownの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To suppress the increase of a chip area by reducing the number of time dependent dielectric breakdown (TDDB) suppressing circuits used for a decoupling capacitance cell and a modifying cell wherein the secular deterioration of a gate oxide film is feared.例文帳に追加
ゲート酸化膜の経時劣化が懸念されるデカップリング容量セルや修正用セルに対して用いるＴＤＤＢ抑制回路の使用個数を削減し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁
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