「Defect」を含む例文一覧(18306)
＜前へ 1 2 .... 70 71 72 73 74 75 76 77 78 .... 366 367 次へ＞- Immediately before this, sample data for a control signal obtained within a prescribed time corresponding to a delay in detecting the defect dependent on a defect detection means is stored.
この直前に、ディフェクト検出手段に依存するディフェクトの検出遅れに相当する所定時間内に得られる制御信号のサンプルデータが記憶される。 - 特許庁 - In the case of addition, reliability about the defect data to be an object of addition is judged under the control of a reliability judging part 112e of the defect data to be added.
追記に際しては、追記対象欠陥データ信頼性判定部１１２ｅの制御の下、追記対象欠陥データについての信頼性が判断される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having achieved microfabrication while suppressing a defect.
不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A pattern defect of the absorbing film 4 is corrected, and then, the thickness of the buffer film 3 on a portion below the pattern defect is thinned to form a film thin portion 5.
吸収膜４のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の下方にある部分の緩衝膜３の膜厚を薄くして膜薄部５を形成する。 - 特許庁 - Further, the defect for fine alignment is selected on the basis of the inclination of a detection value on the size of a defect on the substrate for calibration detected by the inspection device.
更に、検査装置によって検出した校正用基板の欠陥サイズの検出値の傾向に基づいて、ファインアライメント用の欠陥を選定する。 - 特許庁 - That was the first time for that defect since the product started selling.
その不具合はこの製品を販売開始して以来、初めてのことである。 - Weblio Email例文集 - When the defect determination circuit 14 determines that the pixel of interest is a defect, the selector 15 outputs a pixel value according to the level of the SNR.
キズ判定回路１４により注目画素がキズである旨の判定があった場合に、セレクタ１５は、ＳＮＲの高低に応じた画素値を出力する。 - 特許庁 - DETECTION METHOD OF IC LEAD SOLDERING DEFECT USING TEMPERATURE CHANGE OF IC CHIP
ＩＣチップ温度変化によるＩＣリード半田付けの不良検出方法 - 特許庁 - CERAMIC REDUCED IN PORE DEFECT, FORMING RAW MATERIAL AND CERAMIC POWDER FOR OBTAINING THE CERAMIC, AND METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC REDUCED IN PORE DEFECT
気孔欠陥を低減したセラミックス、該セラミックスを得るための成形原料とセラミック粉末、および気孔欠陥が低減されたセラミックスの製造方法 - 特許庁 - Defect detection is done for each segment produced by plurally segmenting the width direction of the thin steel sheet, marking is done for each segment where a defect exists.
欠陥の検出は、薄鋼板１の幅方向を複数に区分して、各区分ごとに行われており、マーキングも欠陥が存在する区分ごとになされる。 - 特許庁 - When a defect 2 on a semiconductor wafer 1 is detected by means of a defect inspection apparatus, three marks 4a-4c are put on the semiconductor wafer 1.
欠陥検査装置で半導体ウェハ１の欠陥２の検出をするに際しては、この半導体ウェーハ１上に３個のマーク４ａ〜４ｃが形成されている。 - 特許庁 - To produce an epitaxial wafer low in the epitaxial defect density.
エピタキシャル欠陥密度を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる。 - 特許庁 - When the laser light 5 is irradiated to a defect of disconnection 4, the capacitance of the disconnection defect 4 varies, and the impedance of the detection circuit varies.
断線欠陥４が存在している欠陥部にレーザ光５が照射されると、断線欠陥４のキャパシタンスは変化し、検出回路のインピーダンスは変化する。 - 特許庁 - The n-side crystal defect layer 107 is formed corresponding to the thin part, and the p-side crystal defect layer 108 is formed corresponding to the thick part.
その薄い箇所に対応してｎ側結晶欠陥層１０７が形成され、厚い箇所に対応してｐ側結晶欠陥層１０８が形成されている。 - 特許庁 - ENGINEERING PROCESSING METHOD OF DEFECT AND ELECTRIC CONDUCTIVITY OF CONDUCTIVE NANOSCALE STRUCTURE
導電性ナノスケール構造の欠陥及び導電率の工学処理方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor element employing a semiconductor film of low defect density.
低欠陥密度の半導体膜を用いた半導体素子を提供する - 特許庁 - AUTOMATED WAFER DEFECT INSPECTION SYSTEM AND PROCESS OF PERFORMING SUCH INSPECTION
自動化ウェハ欠陥検査システムおよびこのような検査を実行する方法 - 特許庁 - METHOD OF PREPARING SAMPLE FOR OBSERVING CRYSTAL DEFECT IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
半導体単結晶中の結晶欠陥観察用試料の作製方法 - 特許庁 - To obtain a substrate for a semiconductor device having low defect density over a wide range.
広範囲に亘って欠陥密度が低い半導体素子用基板を得る。 - 特許庁 - UV LASER LIGHT GENERATOR, DEVICE FOR INSPECTION OF DEFECT AND METHOD THEREFOR
紫外レーザ光発生装置並びに欠陥検査装置およびその方法 - 特許庁 - The defective substance is such as a titanium oxide having an oxygen defect.
欠陥を有する物は、たとえば酸素欠陥を有する酸化チタンである。 - 特許庁 - A test circuit generation tool can then subsequently use this defect information to generate a test circuit that tests for the defect in the identified portions of a microcircuit.
試験回路生成ツールは、次に続いて、この欠陥情報を用い、微小回路の同定された部分内の欠陥を試験する試験回路を生成する。 - 特許庁 - METHOD OF GROWING LOW-DEFECT NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
低欠陥窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体基板 - 特許庁 - An observation of a region including the defect is performed by an atomic force microscope(AFM), and a shape of the defect and a pattern for alignment is extracted from an AFM image.
原子間力顕微鏡(AFM)で欠陥を含む領域の観察を行い、AFM像から欠陥の形状と位置あわせのためのパターンを抽出する。 - 特許庁 - To make a size of void defect small with a nitrogen dopant into a silicon single crystal bar and make the void defect extinct by using hydrogen annealing of the silicon wafer.
シリコン単結晶棒への窒素ドープにてボイド状欠陥のサイズを小さくし、シリコンウェーハの水素アニール処理にてボイド状欠陥を消滅させる。 - 特許庁 - LOW DEFECT DENSITY SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER DOPED WITH NITROGEN AND ITS PRODUCTION
窒素ド—プした低欠陥シリコン単結晶ウエ—ハおよびその製造方法 - 特許庁 - Since a simulation defect equivalent to a standard defect output is constituted by the laser marking device 12, similar output is provided at any position.
レーザーマーキング装置１２により標準的な欠陥出力と同等の模擬欠陥を構成するため、どの位置でもほぼ同じ出力が得られる。 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN PHOTOMASK USING FOCUSED ION BEAM MICROFABRICATION DEVICE
集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの欠陥修正方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR CRYSTAL DEFECT TESTING METHOD AND EQUIPMENT THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SEMICONDUCTOR CRYSTAL DEFECT TESTING EQUIPMENT
半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - When a defect occurs in an edge subblock or a dummy subblock, a repair process is carried out with efficiency equal to that when a defect occurs in a main subblock.
エッジサブブロックまたはダミーサブブロックに発生した場合、メインサブフロックで不良が発生した場合と同様の効率の救済処理を行うことができる。 - 特許庁 - To extract feature quantities corresponding to respective local defect and overall defect when the local defects and overall defects multiply occur in an inspection image.
検査画像において局所的な欠陥と全体的な欠陥が複合的に発生した場合に、欠陥の各々に対応する特徴量を抽出する。 - 特許庁 - Wear, crack, and other defect region on a surface of a superalloy constituent element are repaired using deposition for adapting a repair filling material to this defect.
超合金構成要素の表面の摩耗、亀裂、その他の欠陥領域が、この欠陥に修理充填材料を適合させる蒸着を用いて、修理される。 - 特許庁 - The defect introduction layer 108 is large in crystal defect density relative to the first nitride semiconductor layer 107 and the second nitride semiconductor layer 109.
欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 - 特許庁 - DEFECT ERASING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR ANNEALING SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウエハの欠陥消去装置及び半導体ウエハのアニ−ル方法 - 特許庁 - DEFECT ANALYSIS SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の不良解析システムおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ADAPTIVELY PERFORMING DEFECT SCAN ACCORDING TO CHANNEL CHARACTERISTICS
チャンネル別特性による適応的ディフェクトスキャン処理方法及びその装置 - 特許庁 - To provide an optical compensation sheet free from an optical defect such as a schlieren defect and having an optical anisotropic layer obtained by the hybrid orientation of liquid crystal molecules.
シュリーレン欠陥などの光学欠陥のない、液晶性分子がハイブリッド配向した光学異方性層を有する光学補償シートを提供する。 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR AUTOMATICALLY ANALYZING DEFECT MATERIAL ON SEMICONDUCTOR
半導体上の欠陥材料を自動的に分析するシステム及び方法 - 特許庁 - To provide a turbo machine inner casing improving a defect of conventional technology.
従来技術の欠点を改善するターボ機械内部ケーシングを提供する。 - 特許庁 - To provide a low defect epitaxial semiconductor substrate with a gettering function.
ゲッタリング機能を有する低欠陥エピタキシャル半導体基板を提供する。 - 特許庁 - LAP LASER WELDING METHOD OF GALVANIZED STEEL SHEET WITH LESS WELD DEFECT
溶接部欠陥の少ない亜鉛めっき鋼板の重ねレーザー溶接方法 - 特許庁 - DEFECT SIGNAL GENERATION CIRCUIT AND OPTICAL DISK REPRODUCING APPARATUS HAVING SAME CIRCUIT
ディフェクト信号生成回路及び同回路を有する光ディスク再生装置 - 特許庁 - POLARIZATION INVERSION METHOD BY DEFECT DENSITY CONTROL AND OPTICAL WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT
欠陥密度制御による分極反転法および光波長変換素子 - 特許庁 - PHOTOMASK DEFECT CORRECTION METHOD USING ATOMIC FORCE MICROSCOPE PROCESSING DEVICE
原子間力顕微鏡加工装置を用いたフォトマスク欠陥修正方法 - 特許庁 - By this constitution, metal ions on the substrate of the package are gettered by the defect layer 2 on the side and/or the defect layer 2 on the reverse surface, and the Schottky barrier.
この構成により、パッケージの基板上の金属イオンは、側面の欠陥層２及び／又は裏面の欠陥層２、ショットキー障壁によりゲッタリングされる。 - 特許庁 - By having the output signal from a linear image sensor 29 supplied to a defect detecting circuit 33 and compared with the reference image information, defect is detected.
リニァイメージセンサ（２９）からの出力信号を欠陥検出回路（３３）に供給して基準画像情報と比較することにより欠陥を検出する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR CORRECTION OF SHIFTER RESIDUE DEFECT ON PHASE SHIFT MASK
位相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正方法並びに修正装置 - 特許庁 - To prevent a defect in data normality confirmation processing in a server.
サーバにおけるデータ正常性確認処理で生ずる不具合を防止する。 - 特許庁 - Focused ion beam used as the pattern defect correcting means allows ion implantation into the buffer layer 3 of the portion having the corrected pattern defect.
パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。 - 特許庁 - ELECTRON BEAM IRRADIATION DEVICE, ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING DEFECT
電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、及び不良検出方法 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
