「Defect」を含む例文一覧(18306)
＜前へ 1 2 .... 91 92 93 94 95 96 97 98 99 .... 366 367 次へ＞- When the reflective mask has defects, a defect part of a defect region comprising the defects of the reflective mask due to the irregularities on the substrate 1 is removed, and it is replaced with a normal part 10 of a flat region, from which the defect region is removed and which does not comprise the defects.
その反射型マスクが欠陥を有する場合、基板１上の凹凸に起因した反射型マスクの欠陥を含む欠陥領域の欠陥部を取り除き、欠陥領域を除いた欠陥を含まない平坦領域の正常部１０と置き換える。 - 特許庁 - A memory cell is refreshed successively for each of a plurality of memory cell blocks 2071-2074, and a refresh defect memory cell is also refreshed when the memory cell of the other memory cell blocks with the same row address as the refresh defect memory cell is to be refreshed when the refresh defect memory cell exists.
複数のメモリセルブロック２０７_1〜２０７_4毎にメモリセルを順次リフレッシュし、リフレッシュ欠陥メモリセルが存在する場合には、リフレッシュ欠陥メモリセルと同一のローアドレスを有する他のメモリセルブロックのメモリセルをリフレッシュする時にリフレッシュ欠陥メモリセルも共にリフレッシュする。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting a mask defect by which delay caused by pseudo-error occurrence can be prevented and decrease in the accuracy of defect inspection can be prevented in the process of inspecting a mask defect carried out for the pattern obtained by optical proximity effect correction of a designed pattern.
設計パタンを光近接効果補正して得たパタンに対して実施されるマスクの欠陥検査工程において、擬似的なエラー発生による遅延を防止出来ると共に、欠陥検査精度の低下をも防止出来るマスク欠陥検査方法の提供。 - 特許庁 - A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.
上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁 - To provide a method for verifying the precision of solidification defect prediction analysis, in which the temperature distribution of a die is easily reproduced to enable solidification defect prediction analysis with high precision in a short time, and further, the precision of the solidification defect prediction analysis is verified.
型の温度分布を容易に再現することにより、短時間で高精度の凝固欠陥予測解析が可能となり、さらに、該凝固欠陥予測解析の精度を検証することができる、凝固欠陥予測解析の精度検証方法を提供する。 - 特許庁 - In this method for manufacturing a member for a plasma display panel including a process for repairing a broken-wire defect part of an electrode formed on a substrate, a needle with a conductive paste deposited thereon is brought into contact with the broken-wire defect part, thereby applying the conductive paste to the broken-wire defect part.
基板上に形成された電極の断線欠陥部を修復する工程を含むプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法であって、導電性ペーストを付着させた針を断線欠陥部に接触させ導電性ペーストを断線欠陥部に塗布する。 - 特許庁 - A pixel defect detection part 2 compares the signal levels of respective pixels in a frame with two thresholds T1, T2 or compares signal level differences from peripheral pixels with a threshold T3, thereby to generate a pixel defect detection signal which identifies whether the pixel defect is a white flaw or a black flaw.
画素欠陥検出部２は、フレーム内の各画素の信号レベルを２つの閾値Ｔ１，Ｔ２と比較して、あるいは周辺画素との信号レベル差を閾値Ｔ３と比較することで、画素欠陥が白キズか黒キズかを識別した画素欠陥検出信号を生成する。 - 特許庁 - To provide a method and a device of classifying substrates by which, according to knowledge information concerning a known defect distribution, a group of substrates having the corresponding defect distribution can be accurately classified, and even substrates wherein an unknown defect distribution occurs can be automatically classified.
既知の欠陥分布に関する知識情報に基づいてそれに対応した欠陥分布をもつ基板群を精度良く分類でき、未知の欠陥分布が発生した基板をも自動的に分類できる基板分類方法および基板分類装置を提供すること。 - 特許庁 - The solid-state image sensor 3 is operated in a light shield state, a linear defect detection correction circuit 6 detects the linear defect of the solid-state image sensor 3 on the basis of the pixel signal of the solid-state imaging element 3, and an address of the detected linear defect is stored.
固体撮像素子３を遮光状態で動作させ、固体撮像素子３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の線状欠陥を線状欠陥検出補正回路６により検出し、検出された線状欠陥のアドレスを記憶しておく。 - 特許庁 - To provide an inspecting device for a shape defect, etc., which can detect a defect of a printed board surface as to many items and a defect on the mounted board such as component absence, polarity inversion, a wrong article name, and fitting abnormality more speedily and automatically through optical processing.
多項目のプリント基板表面の欠陥、また、実装基板上での部品欠落、極性反転、品名相違、取付異状、などの欠陥を、光学的処理により迅速、かつ、自動的に検出することができる形状欠陥等の検査装置を提供する。 - 特許庁 - The composite membrane 8 is a porous material, is formed into a bone shape of the defect based on morphological information of the osseous defect 3 obtained by roentgenography, CT (Computerized Tomography) and the like, and has its end formed engageable with an autologous bone 6 of the osseous defect 3.
複合膜８は多孔質とされ、予めレントゲンやＣＴ（Computerized Tomography）等によって取得した骨欠損部３の形態情報に基づいて欠損部分の骨型に形成されており、端部が骨欠損部３の自家骨６と係合可能に形成されている構成とした。 - 特許庁 - Moreover, since the space 17 is present in the lower part of the defect 16 and light is easy to be locked in the dotted defect 16 , etc., by the difference of the refractive indexes of the main body layer 11 and that of air, the dotted defect 16 becomes a resonator having high performance.
また、点状欠陥１６の下部には空間１７が存在するため、本体層１１と空気の屈折率の差により、点状欠陥１６において光が閉じこめられ易いこと等により、点状欠陥１６は高い性能を有する共振器となる。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device having such an excellent feature that a problem of a bright point defect due to an electric short circuit between a display electrode and a common electrode on an array substrate to be used for the liquid crystal display device is solved to turn the bright defect to a dark defect.
液晶表示装置に用いられるアレー基板における表示電極と共通電極との電気的短絡による明点欠陥を解決し、暗点欠陥にできる優れた特徴をもつ液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for correcting an output value of an imaging means, a shading correction method, a defect detection method, a defect detection program and a defect detection apparatus that can precisely calculate an input value by evaluating the sensitivity characteristic of an imaging element appropriately.
撮像素子の感度特性を適切に評価して入力値を高精度に算出することができる撮像手段の出力値補正方法、シェーディング補正方法、欠陥検出方法、欠陥検出プログラムおよび欠陥検出装置を提供すること。 - 特許庁 - A defect analysis memory retrieved section 3B of a defect analysis memory section 3A provided in a main body 3 of an IC tester continuously retrieves a changing point in data indicating whether each bit is defective or not, to obtain an address corresponding to the changing point from a defect analysis memory 3C.
ＩＣ試験装置本体３に設けられた不良解析メモリ部３Ａの不良解析メモリ検索部３Ｂにより、各ビットの良否を表すデータの変化点を連続的に検索し、不良解析メモリ３Ｃから前記変化点に対応するアドレスを取得する。 - 特許庁 - The information recording medium 100 is provided with a data area 102 for recoding user data, and at least one defect management area 104 (105, 108, 109) for recording a defect list 112 to manage N pieces of defect areas (N is an integer satisfying N≥0).
情報記録媒体１００は、ユーザデータを記録するデータ領域１０２と、Ｎ個の欠陥領域（Ｎ≧０を満たす整数）を管理する欠陥リスト１１２を記録する少なくとも１つの欠陥管理領域１０４（１０５、１０８、１０９）とを備える。 - 特許庁 - To provide a defect review system, a defect review method and a method for manufacturing electronic equipment with the high degree of freedom for executing the review of the factor of any defect among detected defects at a high speed and with high efficiency, and for selecting a review purpose according to the requested conditions of a user.
検出欠陥中の欠陥原因を高速且つ高効率でレビュー可能で、ユーザの希望条件に応じてレビュー目的を選択可能な自由度の高い欠陥レビューシステム、欠陥レビュー方法、及び電子装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and method for detecting defects of an object to be measured for specifying a defect generating factor by detecting a detailed position of an insulation defect generating part and determining the defect state inside an apparatus such as a miniaturized power module increasing in density.
小型・高密度化するパワーモジュールのような機器内部の絶縁欠陥発生箇所の詳細な位置検出および欠陥状態の判別をすることで欠陥発生要因の特定を行うことのできる被測定物の欠陥検出装置と方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface defect inspection device capable of freely setting an incident angle so as to form an optimum observation condition to each defect or pattern on a subject and further freely setting an incident direction to perform an accurate defect inspection.
被検体上の各欠陥やパターンに対して最適な観察条件となるように入射角度を自由に設定でき、又これに加えて入射方向を自由に設定でき、精度の高い欠陥検査が可能となる表面欠陥検査装置を提供すること。 - 特許庁 - In this inspection device, various characteristic quantities of a defect is extracted accurately by providing a defect detection threshold and a characteristic quantity extraction threshold which is smaller than the defect detection threshold to a differential image signal between each image signal of dies having similar brightness.
明るさが近いダイ間の画像信号同士の差分画像信号に対して欠陥検出しきい値と該欠陥検出しきい値よりも低い特徴量抽出のしきい値とを設けることで、欠陥の各種特徴量を精度よく抽出する検査装置。 - 特許庁 - A surface echo reflected on the specimen 2 to be returned is removed thereby, and only a defect echo reflected by the defect to be returned is contained in the difference waveform data, when the defect exists in the vicinity of the surface of the specimen 2.
これにより、差分波形データには、被検査体２の表面近傍に欠陥が存在する場合、被検査体２の表面で反射して戻ってきた表面エコーが取り除かれて、当該欠陥で反射して戻ってきた欠陥エコーだけが含まれることになる。 - 特許庁 - A temporary defect management area 14 is disposed between a control information recording area 12 and data area 11 of the write-once recording medium 10, and in the stage before finalizing the recording medium, defect management information is temporarily stored in the temporary defect management area.
追記型記録媒体１０の制御情報記録エリア１２とデータエリア１１との間に一時的ディフェクト管理エリア１４を設け、記録媒体をファイナライズする前の段階では、一時的ディフェクト管理エリアにディフェクト管理情報を一時的に記録しておく。 - 特許庁 - The inspection system for the circuit pattern is provided with an electron beam visual inspection device, provided with a monitor for displaying the defect on a map; and an external visual inspection device for storing an image of the defect, and is constituted to display concurrently the map and the image of the defect on the monitor.
また、回路パターンの検査システムは、マップに欠陥を表示するモニタを備えた電子線外観検査装置とこの欠陥の画像を記憶した外部外観検査装置とを備え、モニタにマップと欠陥の画像とを同時に表示する構成とする。 - 特許庁 - Thus, even when an alignment defect is generated by these lock members 10 and 11, since most of alignment defects generate in the non-pixel area, the recognition as the image defect is reduced and as a result, the generation of the image defect can be suppressed.
したがって、これらの係止部材１０，１１によって配向欠陥が発生したとしても、ほとんどの配向欠陥は非画素領域Ｃにて生じることから画像欠陥として認識されることは少なく、結果的に画像欠陥の発生を抑制できる。 - 特許庁 - When a defect part X is included in either of one turn of the positive electrode plate P or one turn of the negative electrode plate N, the defect part X is removed by the defect part removing devices 2221, 2222 before producing the wound electrode body 100.
一方，正極板Ｐの一巻分と負極板Ｎの一巻分とのいずれかに欠陥部分Ｘが含まれている場合に，その欠陥部分Ｘを欠陥部分除去装置２２２１，２２２２により除去した後に，捲回電極体１００を製作する。 - 特許庁 - To easily confirm a repair result in illumination inspection of a final stage by finding a defect to be repaired by using coordinate data representing a defect position calculated from image defect inspection and electric operation confirming inspection carried out before a repair stage.
リペア工程前に行われる画像欠陥検査及び電気的動作確認検査から算出される欠陥位置を示す座標データを用いてリペアすべき欠陥を求め、最終工程の点灯検査においてリペア結果の確認が容易にできるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for correcting a defect of a color filter minimizing damage to a periphery of a defect to be removed when the defect of a VA pattern and a PS pattern on coloring a pixel is removed by a laser beam in a color filter used for a color liquid crystal display device.
カラー液晶表示装置に用いるカラーフィルタにおいて、着色画素上のＶＡパターンやＰＳパターンの欠陥をレーザ光で除去する際に、除去すべき欠陥の周辺に対してダメージを最小にする欠陥の修正方法を提供すること。 - 特許庁 - A method for detecting a defect includes one of a stage of applying a voltage larger than the driving voltage to a pixel portion to accelerate development of the defect 110 and a stage of continuously applying the driving voltage to the pixel portion 2a to accelerate the development of the defect 110.
駆動電圧よりも大きな電圧を画素部に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程と、駆動電圧を画素部２ａに連続的に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程との少なくともいずれか一方の工程を有する。 - 特許庁 - From among defect pixels A0-A6 (see a) existing in the image after the combination, defect pixels B1, B2 (see b) in which the original defect pixels are overlapped more than a predetermined number of times are determined as supplementary target defects, and its pixel value is supplemented with other peripheral pixels adjacent thereto.
合成後の画像に存在するキズ画素Ａ０〜Ａ６（ａ参照）の中で所定回数以上、元のキズ画素が重ね合わされているキズ画素Ｂ１，Ｂ２（ｂ参照）を補完対象キズと判断し、その画素値を、他の隣接する周辺画素の画素によって補完する。 - 特許庁 - To provide a joining method for a substrate by which reliability can be improved by suppressing the occurrence of a defect such as a short circuit and an electric conduction defect, and a joined substrate.
短絡や導通不良のような不具合の発生を抑えて信頼性を向上させることができる基板の接合方法及び基板接合体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a defect inspection method and a defect inspection device capable of surely detecting unevenness due to defects at a surface of an object regardless of pattern or gloss at the surface of the object.
対象物の表面の模様やツヤによらず、対象物表面の欠陥による凹凸を確実に検出する欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a repairing method of a defective part (especially of a wiring for a signal) of a switching element array substrate by which neither a point defect nor a linear defect is generated when display is performed and to provide its substrate structure.
表示の際に点欠陥も線欠陥も発生させない、スイッチング素子アレイ基板の不良箇所（特に信号用配線の）の修復方法およびその基板構造を提供する。 - 特許庁 - A time for the ultrasonic wave passing the point P2 to be reflected and returned by a defect 21 is measured, whereby an angle difference β between the point P2 and a position where the defect is present is detected.
点Ｐ２を透過した超音波が欠陥２１によって反射して戻るまでの時間を計測して、点Ｐ２と欠陥が存在する位置との間の角度差βが検出できる。 - 特許庁 - For example, the defect may be detected by adding a pattern with respect to the undetected region where it is difficult to detect the defect, and a defective fraction may be lowered by widening intervals of patterns.
例えば、検出が困難な未検出領域についてパターンを追加することで検出可能とする、パターンの間隔を広げることで不良率を低下させることなどが考えられる。 - 特許庁 - At this time, the defect correction unit 17 corrects a defective pixel based on information for a location of the defective pixel stored at a defect memory 16, and outputs the result to a camera signal processing unit 18.
このとき、欠陥補正部１７は、欠陥記憶部１６に記憶されている欠陥画素位置の情報に基づいて欠陥画素を補正し、カメラ信号処理部１８に出力する。 - 特許庁 - To achieve quality enhancement of defect information to be obtained and to calculate a shared expense for each process complying with a responsibility ratio obtained from the delay time of a defect measure.
入手する不具合情報の質向上を図るとともに、不具合対策の遅延時間により求められる責任割合に応じた工程ごとの分担費用を算出する。 - 特許庁 - To provide an imaging device and an image defect correcting method, which can adequately correct an image defect in a radiological image so as not to cause a mistaken diagnosis or the like.
誤診等を引き起こすことがないように、放射線画像の画像欠陥を、適切に補正することができる画像撮影装置及び画像欠陥補正方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a method for repairing a structure, suitable for equipment in a nuclear reactor developing cracking defect on the surface and containing inclusion, such as water, oxide, in the inner part of the above defect.
表面に亀裂状欠陥が発生し、前記欠陥の内部に水，酸化物等の介在物を含む構造物、好適には原子炉炉内機器の補修方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a display device capable of detecting a defect in which the potential of the output line of a first or a second scanning driver is fixed and capable of restoring the defect.
第１又は第２の走査ドライバの出力線の電位が固定される欠陥を検出し、その欠陥を修復することができる表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a production history management system capable of analyzing a defect including information about an installation site of an appliance and properly grasping an area of the installation sites affected by the defect.
機器の設置先情報も含めた不具合の解析や、当該不具合により影響を受ける設置先の範囲を的確に把握することが可能な製造履歴管理システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a method with which the plastically existing casting defect in the casting can be confirmed without relating to have experience or not in a casting worker at the classifying time of the casting defect in the casting.
鋳物の鋳造欠陥を分類するに際し、鋳造者の経験の有無に関係なく鋳物中に実際に存在する鋳造欠陥が確認され得る方法を提供する。 - 特許庁 - To improve a yield of a glass substrate by differentiating between a continuous defect and a discontinuous defect produced in manufacturing steps of the glass substrate.
本発明は、ガラス基板の製造工程で生じる連続性を有する欠陥と不連続である欠陥とを区別することで、ガラス基板の歩留まりを向上させることが可能となる。 - 特許庁 - To provide a method for detecting pattern defect in which the processing quantity in the detection of defect by the comparison of a pattern to be inspected with a non-defective pattern is reduced to improve the inspection speed.
検査対象パターンを良品パターンと比較して欠陥を検出するときの処理量を削減して検査速度の向上を図ったパターン欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic photoreceptor in which a coating is efficiently formed without producing a coating defect and no image defect is induced when the photoreceptor is used for forming an image.
塗布欠陥を生じることなく効率的に塗布形成され、画像形成に用いられるに際しては画像欠陥を発生することのない電子写真感光体を提供する。 - 特許庁 - By doing this, after the low defect density film is grown preferably on the base substrate, the low defect density film is separated from the base substrate and the device can be formed on the low defective density film.
こうすることで、ベース基板に好適に低欠陥密度膜を形成した後、低欠陥密度膜をベース基板から分離させ低欠陥密度膜上にデバイスを形成することができる。 - 特許庁 - To continuously cast a high quality cast slab without developing the surface defect and the interval defect by varying a cooling length in a secondary cooling zone according to the casting velocity and the casting temperature.
鋳造速度や鋳造温度に応じて２次冷却帯における冷却ゾーン長を可変することで、表面欠陥や内部欠陥の無い高品質の鋳片を連続鋳造する。 - 特許庁 - A high defect density layer 12 having a high oxygen concentration is formed in the interior of a semiconductor substrate 11, simultaneously with which it is subjected to a hydrogen annealing process to form a non-defect layer 13 on the surface layer.
半導体基板１１の内部に酸素濃度の高い高欠陥密度層１２を形成すると共に表面層に無欠陥層１３を形成するための水素アニール処理を行う。 - 特許庁 - An SEM scanning of the region provides defect information (determining whether open or short, positions of the defect electrode) of the electrode patterns based on an SEM image light-dark arrangement state of the respective extension wirings.
この領域をＳＥＭ走査して、各延伸配線のＳＥＭ像明暗配列状態から、電極パターンの欠陥情報（オープン・ショートの判定、欠陥電極の位置など）を得る。 - 特許庁 - By forming the void 35 while being related to the high-defect areas 15e of the gallium nitride substrate 15, the void 35 can block the propagation of at least one portion of the defects of the high-defect areas 15e.
窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけてボイド３５を形成することにより、該ボイド３５が高欠陥エリア１５ｅの欠陥の少なくとも一部の伝搬を阻止できる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which high speed defect relieving can be performed with low current consumption and without generation of excessive current when necessity of relieving a defect is tested.
低消費電流で高速な欠陥救済を可能とし、しかも欠陥救済の要否を検査する際に過大な電流が発生することがない半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
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