「First Second」を含む例文一覧(49990)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 999 1000 次へ＞- The first abutment member 3 includes two first pins 5 and the second abutment member 4 includes two second pins 6.
第１当接部材３は、２本の第１ピン５を含み、第２当接部材４は、２本の第２ピン６を含む。 - 特許庁 - The first plate 2 and the second plate 3 are brazed by facing the first grooves 9a and 9b to the second groove.
第１プレート２と第２プレート３は、第１溝９ａ，９ｂと第２溝を互いに向き合わせてろう付けされる。 - 特許庁 - The sacrificial layers are removed to expose the first and second mask patterns and the substrate between the first and second mask patterns.
前記犠牲膜を除去して前記第１および第２マスクパターンと共にその間の前記基板を露出させる。 - 特許庁 - The patterning device includes a first pattern on a first region and a second pattern on a second region.
パターニングデバイスは、第１の領域の上の第１のパターンおよび第２の領域の上の第２のパターンを含む。 - 特許庁 - The first electrode layer is in electrical conduction with the second semiconductor layer and the second electrode layer is in electrical conduction with the first semiconductor layer.
第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 - 特許庁 - First, second and third images are obtained by photographing from first, second and third camera positions M1, M2, M3.
第１、第２および第３カメラ位置Ｍ１、Ｍ２およびＭ３から撮影し、第１、第２および第３画像を得る。 - 特許庁 - The first lens 4 and the second lens 5 are firmly stuck by an interface between the first lens 4 and the second lens 5.
第一のレンズ４及び第二のレンズ５は、第一のレンズ４及び第二のレンズ５の界面で密着される。 - 特許庁 - The first and second imaging parts 2a, 2b are respectively provided with first and second focus lenses 13, 22.
第１及び第２撮像部２ａ，２ｂには、第１及び第２フォーカスレンズ１３，２２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁 - Moreover, first and second source-drain diffusion layers are formed adjacently to the first and the second gate structures on the surface of the substrate.
第１、第２ゲート構造に隣接して基板表面に、第１、第２ソース・ドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁 - The first and second gate electrodes share the same source/drain region to form first and second transistors.
第１と第２ゲート電極は、同一のソース／ドレイン領域を共有し、第１と第２トランジスタが形成される。 - 特許庁 - It is composed of first and second slide molds (5 and 6), first and second fixed molds (15 and 16), and the slide film-making chamber (18).
第１、２のスライド金型（５、６）と、第１、２の固定金型（１５、１６）と、スライド成膜チャンバー（１８）とからなる。 - 特許庁 - The first and second reference signal sources 64 and 70 mutually independently output the first and second reference signals.
第１及び第２基準信号源64、70は、互いに独立して第１及び第２基準信号を出力する。 - 特許庁 - A first time Ta for performing the first mode is shorter than a second time Tb for performing the second mode.
第１のモードを行なう第１の時間Ｔａは、第２のモードを行なう第２の時間Ｔｂよりも短い。 - 特許庁 - The digital-to-analog converter converts the first and second modulation pulse signals into first and second analog signals.
デジタル−アナログ変換部は、第１及び第２の変調パルス信号を第１及び第２のアナログ信号に変換する。 - 特許庁 - The second electric resistance value of the second semiconductor layer is larger than the first electric resistance value of the first semiconductor layer.
該第二半導体層の第二電気抵抗値は該第一半導体層の第一電気抵抗値より大きい。 - 特許庁 - The fabric 11 is formed by weaving first and second yarns 11a, 11b overstretching in first and second directions.
第１、第２の方向に延びる第１、第２の糸１１ａ、１１ｂを織ることにより、織布１１を形成する。 - 特許庁 - A first fluid flowing on the first plate 71 exchanges heat with a second fluid flowing on the second plate 72.
第１板７１上を流れる第１流体と、第２板７２上を流れる第２流体とが熱交換する。 - 特許庁 - First and second blending factors are assigned for the first and second resolutions of the plurality of images.
これら複数のイメージの第１のおよび第２の分解能に対し第１および第２の混合係数を割り当てる。 - 特許庁 - A fuse structure comprises first and second fuses, and the first and second fuses have one end and the other end each.
ヒューズ構造は第１及び第２ヒューズを含み、第１及び第２ヒューズは各々一端と他端とを有する。 - 特許庁 - A first gate area 301 is formed in the second side and a second gate area 301 is formed in the first side.
第１のゲート領域３０１は、第２のサイドに、第２のゲート領域４１２は、第１のサイドに形成される。 - 特許庁 - A first drawing means 126 executes first drawing and a second drawing means 128 executes second drawing.
第１抽選手段１２６は第１抽選を実行し、第２抽選手段１２８は第２抽選を実行する。 - 特許庁 - A movable dielectric 40, sliding along the first and second horizontal part 11 and 21, is interposed between the first and second horizontal part 11 and 21.
第１・第２水平部11、21の間には、両水平部11、21に沿ってスライドする可動誘電体40が介在される。 - 特許庁 - The first and second core portions are each single and provided on the first magnetic pole face and the second magnetic pole face.
第１及び第２のコア部はそれぞれ単一であって、第１磁極面及び第２磁極面に設けられる。 - 特許庁 - The low-voltage differential signal driver includes first and second current sources, a first branch and a second branch.
電圧差動信号ドライバは、第１電流源、第２電流源、第１ブランチ及び第２ブランチを備える低。 - 特許庁 - The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.
第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁 - During a second exposure period, the first substrate set is patterned by a second reticle to exchange the first substrate set with a second substrate set, and the second substrate set is patterned by the second reticle to exchange the second reticle with the first reticle.
第２露光期間中、第２のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし第１の基板セットを第２の基板セットと交換し、第２露光期間中、第２の基板セットを第２のレチクルによりパターニングし第２のレチクルを第１のレチクルと交換する。 - 特許庁 - The first substrate is coupled with the second substrate to make the second face abut on the first face of the second substrate, and the third substrate is coupled with the second substrate to make the first face abut to the second face of the second substrate.
第１の基板は、その第２の面が第２の基板の第１の面に当接するように第２の基板に結合され、第３の基板は、その第１の面が第２の基板の第２の面に当接するように第２の基板に結合されている。 - 特許庁 - After a second mask is formed, which has first and second patterns on desired first and second periodic structures positioned in different element sections, the second mask is used to form first and second striped mesas in first and second sections in a stage S110.
別の素子区画に位置する第１及び第２の所望の周期構造上にそれぞれ第１及び第２のパターンを有する第２のマスクを形成した後に、第２のマスクを用いて第１及び第２の区画にそれぞれ第１及び第２のストライプメサを工程Ｓ１１０で形成する。 - 特許庁 - The second connector has a shroud sliding in a first direction on the first end portion of the first connector.
第２のコネクタは、第１のコネクタの第１の端部の上を第１の方向に摺動するシュラウドを有する。 - 特許庁 - One first transistor has one first control terminal, and a plurality of first and second terminals.
１つの第１トランジスタは１つの第１制御端子と第１および第２の複数の端子とを有している。 - 特許庁 - A first transistor 12 has a first control terminal 76 and first and second terminals.
第１トランジスタ１２は第１制御端子７６と第１および第２の複数の端子とを有している。 - 特許庁 - A first conductivity-type first base layer 11 having a first surface and a second surface is formed.
第１面及び第２面を有する第１導電型の第１のベース層１１が形成されている。 - 特許庁 - The first housing has a first wall part and a second wall part positioned on the opposite side of the first wall part.
第一筐体は、第一壁部と、この第一壁部の反対側に位置された第二壁部と、を有する。 - 特許庁 - The first layer has a first face, and a second face opposed to the first face.
前記第１の層は、第１の面および前記第１の面の反対の側となる第２の面を有する。 - 特許庁 - The first porous conduit includes a port at a first end of the first porous conduit in communication with the second chamber.
第１の多孔管は、第２の室に連通する第１の多孔管の第１の端部にポートを含む。 - 特許庁 - Each of the first electrodes has a first contact portion contacting the first semiconductor layer at the second primary surface side.
第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。 - 特許庁 - The first wiring structure includes a first dielectric layer, a first wiring layer, a second wiring layer, and a metal via.
第１配線構造が、第１誘電層と第１配線層と第２配線層と金属バイアとを含む。 - 特許庁 - The first housing has a first surface and a second surface opposite to the first surface.
第１のハウジングは、第１の表面と、当該第１の表面とは反対側の第２の表面とを有する。 - 特許庁 - The first transformer part generates a first magnetic flux passing a part of the first magnetic path and the second magnetic path and penetrating the fist primary winding and the first secondary winding, and the second transformer part generates a second magnetic flux passing a part of the first magnetic path and the second magnetic path and penetrating the second primary winding and the second secondary winding.
第1のトランス部は第1の磁路の一部と第2の磁路とを通り且つ第1の一次巻線及び第1の二次巻線を貫く第1の磁束を発生させ、第2のトランス部は第1の磁路の一部と第2の磁路とを通り且つ第2の一次巻線及び第2の二次巻線を貫く第2の磁束を発生させる。 - 特許庁 - The alternating current (AC) switching circuit comprises a first field effect transistor (FET) (144, 244) having a first source, a first gate and a first drain, and a second FET (142, 242) having a second drain, a second source connected with the above first source and a second gate connected with the above first gate.
交流(AC)スイッチング回路は、第１のソース、第１のゲート、及び第１のドレインを有する、第１の電界効果トランジスタ(FET)(144,244)と、第２のドレイン、前記第１のソースに結合された第２のソース、及び前記第１のゲートに結合された第２のゲートを有する、第２のFET(142,242)とを備える。 - 特許庁 - The first sensor 210 and the second sensor 220 each includes a first area detection means for detecting a first area (A1) up to a first height from the ground, and a second area detection means for detecting a second area (A2) extending from the first height to a second height that is lower than the first height.
この第１センサ２１０、および、第２センサ２２０はそれぞれ、地面から第１の高さまでの第１エリア（Ａ１）を検知する第１エリア検知手段と、第１の高さから第１の高さよりも低い第２の高さまでの第２エリア（Ａ２）を検知する第２エリア検知手段とを有する。 - 特許庁 - A second leakage current flows between the first and second conductive terminals of the second switch and accumulates as a second leakage charge in the second capacitor.
第２の漏れ電流は、第２のスイッチの第１および第２の導電性端子の間を流れ、第２の漏れ電荷として第２のキャパシタに蓄えられる。 - 特許庁 - The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.
第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁 - The semiconductor memory includes a first and second real memory cell groups that store real data received by a first and second data terminal groups; a first parity memory cell group that stores first parity data of first data among the real data; and a second parity memory cell group that stores second parity data of second data except for the first data among the real data.
半導体メモリは、第１および第２データ端子群で受けるリアルデータを記憶する第１および第２リアルメモリセル群と、リアルデータのうち第１データの第１パリティデータを記憶する第１パリティメモリセル群と、リアルデータのうち第１データを除く第２データの第２パリティデータを記憶する第２パリティメモリセル群とを有する。 - 特許庁 - The first power supply unit transmits on both the first and second transmitters of the first power supply unit, and the second power supply is configured to provide power to the device in the event that the first and second receivers of the second power supply unit do not receive signals from both the first and second transmitters of the first power supply unit.
第１の電源ユニットが第１および第２の第１の送信器の両方で伝送し、第２の電源ユニットは、第１の電源ユニットの第１および第２の送信器の両方からの信号が第２の電源ユニットの第１および第２の受信器によって受け取られない場合、デバイスに電力を供給する。 - 特許庁 - The sealing device has a first seal formed by combining a first packing material furnished with a first seal lip with a first metal ring to hold the first packing material and a second seal by combining a second packing material furnished with a second seal lip with a second metal ring to hold the second packing material and arranged on the outside-machine side of the first seal.
第一シールリップを備える第一パッキン材および第一パッキン材を保持する第一金属環の組み合わせよりなる第一シールと、第二シールリップを備える第二パッキン材および第二パッキン材を保持する第二金属環の組み合わせよりなり第一シールの機外側に配置される第二シールとを有する。 - 特許庁 - The imaging device has a first optical member 201 provided with a first face 201a, and a second optical member 1 provided with a second face 1a and movable between a first position, wherein the second face is separated apart from the first face, and a second position wherein the second face is brought close to the first face beyond the first position.
撮像装置は、第１の面２０１ａを有する第１の光学部材２０１と、第２の面１ａを有し、該第２の面が第１の面から離れる第１の位置と該第１の位置よりも第２の面が第１の面に近づく第２の位置との間で移動可能な第２の光学部材１とを有する。 - 特許庁 - A second battery cell arranged between the first supporting part and the second supporting part is provided.
第一支持部と第二支持部との間に配置される第二電池セルを具備する。 - 特許庁 - A second gate 58 is arranged between the first source 54 and the second drain 56.
第２ゲート５８が、第１ソース５４と第２ドレイン５６との間に配置されている。 - 特許庁 - The second recess 32 has a first guide wall 31a and a second guide wall 31b.
第２凹部３２は、第１案内壁３１ａと第２案内壁３１ｂを有する。 - 特許庁
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