「First-second」を含む例文一覧(50000)

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  • The oldest existing match record is for the match held in 1607 between the sente (starting first) Sokei OHASHI and gote (starting second) Sansa HONINBO.
    現存する最古の棋譜は、1607年（慶長12年）に指された先手大橋宗桂、後手本因坊算砂の対局である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • However, it is said that the first, the second and the third family heads were the most successful (notes on them are found below).
    しかし初代、二代、三代目が最も活躍した茶屋四郎次郎といわれている（彼らについては以下で詳述）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • His father, Tadamune was the first son of FUJIWARA no Ietada, who was the second son of FUJIWARA no Morozane who was a child of FUJIWARA no Yorimichi of the Northern House of the Fujiwara clan.
    父忠宗は藤原北家藤原頼通の子藤原師実の次子藤原家忠の長子である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The first lead frame 11 and the second lead frame 12 are exposed on the surfaces in the three directions of the resin body 17.
    第１及び第２のリードフレーム１１、１２は、それぞれ、樹脂体１７の３方の側面において露出している。 - 特許庁
  • Depending on the characteristic points 30 in the first and second images, two actual displacement vectors (IV_1, IV_3) are determined.
    第一及び第二の画像の特徴点３０に依存して２つの実際の変位ベクトル（ＩＶ＿１、ＩＶ＿３）が決定される。 - 特許庁
  • The silicon thin film 6 has a two layer structure of a first silicon thin film 2 and a second silicon thin film 5 laid in layers.
    シリコン薄膜６は第１のシリコン薄膜２と第２のシリコン薄膜５が重なり合った２層構造になっている。 - 特許庁
  • The zoom optical system includes, in order from the subject side, a first lens group, a second lens group, and a third lens group.
    ズーム光学系は、被写体側から順に、第１のレンズ群と、第２のレンズ群と、第３のレンズ群とを、有している。 - 特許庁
  • The amplifier 5 amplifies the second voltage Vbgr at a first amplification factor Y to output a third voltage VREF.
    増幅器５は、第２電圧Ｖｂｇｒを第１増幅率Ｙで増幅して第３電圧ＶＲＥＦを出力する。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer includes a chiral material for twisting the liquid crystal molecule in a second direction that is opposite to the first direction.
    液晶層は、液晶分子を第１方向とは逆の第２方向に捻れさせる性質のカイラル材を含有する。 - 特許庁
  • Then, an etching process is performed using the first mask pattern 121 and the second mask pattern 123 as etching masks.
    そして、第１マスクパターン１２１及び第２マスクパターン１２３をエッチングマスクとして使用してエッチング工程を実施する。 - 特許庁
  • The other ends of the first slits 13a1-13an are located in the vicinity of the one ends of the second slits 13b1-13bn.
    第一のスリット１３ａ１〜１３ａｎの他端は、第二のスリット１３ｂ１〜１３ｂｎの一端の近傍に位置している。 - 特許庁
  • The inter-die distance adjusting mechanism 20 includes a wedge mechanism 30 and first and second reciprocating mechanism portions 40A and 40B.
    型間距離調整機構２０は、くさび機構部３０と第１，第２の往復動機構部４０Ａ，４０Ｂとを含む。 - 特許庁
  • The space between the first film (6) and the second film (8) is formed as a cooling passage (13 or 14).
    第１電子線透過膜（６）と第２電子線透過膜（８）との間は冷却通路（１３又は１４）として形成される。 - 特許庁
  • A difference between the dislocation density in the first surface and that in the second surface is ≤1×10^2/cm^2.
    第１面における転位密度と第２面における転位密度との差が１×１０^２個／ｃｍ^２以下である。 - 特許庁
  • Multiple gap parts are formed on the surface facing another surface of at least one plate of the first plate and the second plate.
    第１、第２のプレートのうちの少なくとも一方の、他方と対向する面に、複数の空隙部が形成される。 - 特許庁
  • To provide an antenna unit arranged to cancel a direct wave from a first antenna to a second antenna through a simple configuration.
    簡単な構造で第１アンテナから第２アンテナへの直接波をキャンセルできるようにしたアンテナ装置を提供する。 - 特許庁
  • The first and the second transistor Q1, Q2 are NPN transistors, and the auxiliary transistor Qx is also an NPN transistor.
    第１及び第２のトランジスタＱ1 、Ｑ2 をＮＰＮ型トランジスタとし、且つ補助トランジスタＱx もＮＰＮ型トランジスタとする。 - 特許庁
  • The first case member 11 has its bottom face in a smaller size than that of the bottom face of the second case member 12.
    第１ケース部材１１は、その底面が第２ケース部材１２の底面よりも小さなサイズに形成されている。 - 特許庁
  • An electromagnetic switching valve SV is provided between the first and second orbit rolls MU1, MU2 and a steering valve V.
    このようにした第１，２オービットロールＭＵ１，ＭＵ２とステアリングバルブＶとの間には電磁切換弁ＳＶを設けている。 - 特許庁
  • The second elastic member 45 is arranged on the inner circumferential side of the first elastic member 44 to be mounted to a driven plate 42.
    第２弾性部材４５は、第１弾性部材４４の内周側に配置されて、ドリブンプレート４２に設けられている。 - 特許庁
  • The first rotor core 8 and the second rotor core 9 are arranged so that magnets may be serial in axial direction.
    第１ロータコア８及び第２ロータコア９は磁石が軸方向に直列状態となるように配列されている。 - 特許庁
  • A continuous combination fin 22 for a heat exchanger includes a base wall 24 having a first portion 26, a second portion 28 and a third portion 30.
    熱交換器用連続複合フィン22が、第１部分26、第２部分28及び第３部分30を持つベース壁24を含む。 - 特許庁
  • The supporting substrate is detached by irradiating the first resin layer with laser light, and the second resin layer is removed.
    第１の樹脂層にレーザ光を照射して支持基板を剥離し、第２の樹脂層を除去することを特徴とする。 - 特許庁
  • Then, a first and a second protective films 4, 5 are formed above the semiconductor wafer 1 to cover the upper wiring layer 30.
    そして、最上の配線層３０を覆うように、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。 - 特許庁
  • Furthermore, the antistatic treatment is performed to the inlet when the inlet is interposed between the first and second sheet materials.
    また、第１のシート材と第２のシート材の間にインレットを介在させる際に、インレットに帯電防止処理を行う。 - 特許庁
  • After charging to the first capacitor 14 is completed, charging to a second capacitor 16 is performed by turning on/off the switch 17.
    スイッチ１７のオン／オフにより、第１コンデンサ１４の充電が終了後、第２コンデンサ１６への充電を行なう。 - 特許庁
  • A merging flow control valve 26 is provided between discharge passages of the first pump 3 and of the second pump 4.
    第１ポンプ３の吐出通路と第２ポンプ４の吐出通路との間に合流用流量制御バルブ26を設ける。 - 特許庁
  • To provide an apparatus for producing an electron gun which measures a distance between a first grid and a second grid and increases the yield.
    第１グリッドと第２グリッドとの間隔を求め歩留りを向上した電子銃の製造装置を提供する。 - 特許庁
  • The three-color separation prism is a gapless prism without an air-gap disposed between a first prism 2 and a second prism 3.
    ３色分解プリズムは、第１プリズム２と第２プリズム３との間にエアーギャップが設けられていないギャップレスプリズムである。 - 特許庁
  • Provided that F_1: composite focal length of the first lens group, and F_2: composite focal length of the second lens group.
    １．５≦｜Ｆ_１／Ｆ_２｜≦４．０ （１）但し、Ｆ_１：第１レンズ群の合成焦点距離、Ｆ_２：第２レンズ群の合成焦点距離である。 - 特許庁
  • Provided that F_1: composite focal length of the first lens group, and F_2: composite focal length of the second lens group.
    ０．６≦｜Ｆ_１／Ｆ_２｜≦１．５ （１）但し、Ｆ_１：第１レンズ群の合成焦点距離、Ｆ_２：第２レンズ群の合成焦点距離である。 - 特許庁
  • This semiconductor manufacturing apparatus 10 comprises a first structure 102, a second structure 100 and a current application facility 150.
    半導体製造装置１０は第１構造物１０２、第２構造物１００、及び電流印加機構１５０を含む。 - 特許庁
  • The second and third power conversion circuits 2b and 2c are formed in the same way with the first power conversion circuit 2a.
    第２及び第３の電力変換回路２ｂ、２ｃも第１の電力変換回路２ａと同様に形成されている。 - 特許庁
  • In the plasma film deposition device M1, a first gas which comprises the raw material for a film and a second gas which does not comprise the same are made separate.
    プラズマ成膜装置Ｍ１では、膜の原料を含む第１ガスと、含まない第２ガスが別々になっている。 - 特許庁
  • Alternatively, the first and second light-introducing parts can be formed integrally and the internal space may be evacuated.
    また、第１光導入部及び第２光導入部を一体的に形成し、その内部空間を真空としてもよい。 - 特許庁
  • A connection structure 21 according to the invention includes: a first electrode 2; a second electrode 3; and conductive particles 1.
    本発明に係る接続構造体２１は、第１の電極２と、第２の電極３と、導電性粒子１とを備える。 - 特許庁
  • The measurement module calculates the flying height measurement value of the head based on the first and second flying height measurement signals.
    計測モジュールは、第１及び第２の浮上量計測用信号に基づいてヘッドの浮上量計測値を算出する。 - 特許庁
  • Specifically, the third block 3 is formed into a frame shape covering peripheries of the first block 1 and the second block 2.
    具体的には、第３ブロック３は、第１ブロック１及び第２ブロック２の周囲を覆うフレーム形状に形成されている。 - 特許庁
  • The recording devices A, B record the contents encrypted by the first encryption part 113 and the second encryption part 114, respectively.
    記録デバイスＡ、記録デバイスＢは、第１暗号部、第２暗号化部でそれぞれ暗号化されたコンテンツを録画する。 - 特許庁
  • The rock crusher includes a first controller 8 disposed to a transfer body 1 and a second controller 9 disposed to the rock drill 4.
    移送体1に配設された第１の制御装置8とさく岩ドリル4に配設された第２の制御装置9とを含む。 - 特許庁
  • The scanning type photodetector has a first reflection region 2a and a second reflection region 2b on a mirror 2.
    本発明の走査型光検出装置は、ミラー２に第一反射領域２ａと第二反射領域２ｂとを有する。 - 特許庁
  • The first and the second LAN cards are coupled to a network edge device through their respective ports to communicate LAN traffic.
    第１及び第２のＬＡＮカードは、ＬＡＮトラフィックを伝送するよう各自のポートを介してネットワークエッジデバイスへ結合される。 - 特許庁
  • A first lead frame 10 having a die pad 12 and a second lead frame 20 having inner leads 23a, 23b are prepared.
    ダイパッド１２を有する第１リードフレーム１０と、インナーリード２３ａ，２３ｂを有する第２リードフレーム２０を準備する。 - 特許庁
  • A second gate insulating film 16 is formed on the first gate electrode 15 and the element isolation layer 13 conformally.
    第２ゲート絶縁膜１６が、第１ゲート電極１５および素子分離層１３上にコンフォーマルに形成されている。 - 特許庁
  • In this case, the radial space dimension of the second space 17 is smaller than the axial space dimension of the first space 16.
    この場合、第２隙間１７の半径方向隙間寸法は、第１隙間１６の軸方向隙間寸法より小さい。 - 特許庁
  • A tube-shaped air actuator 8 is provided to pivotally rotate the second frame 3 relative to the first frame 2.
    第１のフレーム体２に対して第２のフレーム体３を回動させるアクチュエータとして、チューブ形エアアクチュエータ８を用いた。 - 特許庁
  • A second temperature sensor TW2 is provided on a circulation path 12 at the downstream of the first temperature sensor TW1.
    第１の温度センサＴＷ１よりも下流で循環経路１２上に第２の温度センサＴＷ２を設ける。 - 特許庁
  • A second movable rail 37 movable in the work width direction is provided on the side opposite to a fixed rail 35 of the first movable rail 36.
    第１の可動レール36の固定レール35と反対側にワーク幅方向に移動可能な第２の可動レール37を設ける。 - 特許庁
  • The third substrate 43 is arranged so as to connect perpendicularly to end parts of the first substrate 41 and the second substrate 42.
    第３基板４３は、第１基板４１及び第２基板４２の端部に垂直に接続するように配置される。 - 特許庁
  • The steering angle is respectively acquired using three rotation angle sensors (a first resolver 35, a second resolver 37, and a motor resolver 44).
    ３個の回転角センサ（第１レゾルバ３５、第２レゾルバ３７、モータレゾルバ４４）を用いてそれぞれ操舵角を求める。 - 特許庁
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