「Patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 78 79 次へ＞- The wiring layer 26 is covered by a protective film 28, and then a resist film 30 is formed for patterning.
配線層２６を保護膜２８で被覆した後、レジスト膜３０を形成してパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide a patterning method capable of forming a regular fine pattern in a short time.
短時間で規則的な微細パターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a slippage prevention solution of a patterning device which can function under high acceleration.
高加速度下で機能することができるパターニングデバイスのスリップ防止解決法を提供する。 - 特許庁 - Curing processing is not necessary, as in the case where a resist is used for a protective layer, and patterning is facilitated.
レジストを保護層とする場合のように硬化処理を必要とせず、パターニングも簡単である。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method with which patterning with a high aspect ratio and high precision can be made possible.
高アスペクト比かつ高精度のパターン加工を可能にするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To improve the reliability of the calculation of a double patterning overlay error.
試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。 - 特許庁 - To improve a high-resolution direct patterning technology in which ink is transferred onto a substrate using a nanoscopic chip.
ナノスコーピックチップを用いてインクが基板に移される高解像直接パターニング技術の改良。 - 特許庁 - To provide a method and system for overcoming an alignment defect of a double patterning system.
ダブルパターニングシステムにおけるアライメント欠陥を克服するための方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL, AND PATTERNING METHOD USING THE CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST MATERIAL
高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。 - 特許庁 - METHOD OF MAGNETICALLY PATTERNING THIN FILM BY USE OF MASK-CONTROLLED LOCAL PHASE TRANSITION
マスク制御された局所的な相転移によって薄膜を磁気的にパターン形成する方法 - 特許庁 - To provide a resist pattern forming method capable of forming a resist pattern which is hardly affected by second or subsequent patterning in a double patterning process, and a purifying method of a resin used in the resist pattern forming method.
ダブルパターニングプロセスにおいて、２回目以降のパターニングの影響を受けにくいレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いる樹脂の精製方法を提供すること。 - 特許庁 - To regulate the thickness (film thickness) of a laminate and also to constitute a patterning part (indented part) and individual indentations constituting a base part and the patterning part out of different materials, respectively.
積層体の厚さ（膜厚）を調整できるようにするとともに、パターニング部（凹凸部）と基体部やパターニング部を構成する個々の凹凸のそれぞれを異なる材料によって構成できるようにする。 - 特許庁 - To provide a lithography system using a programmable patterning means, in order to turn into pattern a projection beam in which throughput is enhanced, without significantly increasing the update speed of the patterning means.
投影ビームをパターン化するためにプログラム可能パターニング手段を使うリソグラフィ投影装置に於いて、パターニング手段の更新速度をあまり上げることなくスループットを改善した装置を提供すること。 - 特許庁 - Since the pillar-shaped portion 1b protruding from the base pedestal 1a of the diamond particles 1 is formed, the pillar-shaped portion 1b does not interfere with the thin film portion of the patterning wafer when the patterning wafer is scribed.
このように、ダイヤモンド粒１の基台部１aから突出する柱状部１bが形成されているため、パターニングウエハーをスクライブするとき、その柱状部１bがパターニングウエハーの薄膜部分と干渉しない。 - 特許庁 - PATTERNING METHOD, FILM FORMING METHOD, PATTERNING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND COLOR FILTER, ELECTRO- OPTICAL DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRON DEVICE AND MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置とその製造方法、電子装置とその製造方法、及び電子機器 - 特許庁 - The patterning device can give a pattern to the section of an radiation beam to form a patterned radiation beam, and the support has a support clamp structured to clamp the patterning device onto the support.
パターニングデバイスはパターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを与えることができ、支持体はパターニングデバイスを支持体にクランプするように構成された支持クランプを含む。 - 特許庁 - One or more programmable patterning arrays are mounted to a mounting plate via height-adjustable mounting structures so as to allow the flatness of the active surfaces of the patterning arrays to be controlled.
パターン形成アレーの作用面の平坦度を制御することができるように高さ調整可能な取付け構造を介して、一つ以上のプログラム可能なパターン形成アレーを配設板に取付ける。 - 特許庁 - A lithography apparatus comprises a masking device for covering at least a part of patterning means used for patterning a projected beam, before image formation of a patterned beam is performed on a substrate.
パターン化されたビームを基板上に結像する前に投影ビームをパターン化するために使用されるパターン化手段の少なくとも一部を覆い隠すためのマスキング・デバイスを有するリソグラフィ投影装置。 - 特許庁 - The liquid repellent layer 12 may be arranged before patterning the resin film 11 or be formed on the surface of the patterned resin film 11 by low-pressure plasma less than 1 Pa after patterning.
撥液層１２は、樹脂膜１１をパターニングする前に配置しておいてもよいし、パターニング後、１Ｐａよりも低圧のプラズマによる表面処理で、パターニングした樹脂膜１１の表面に形成してもよい。 - 特許庁 - The device further has a support constructed to support a patterning device, the patterning device can give a pattern to a cross-section of an illuminating radiation beam to form a patternized radiation beam.
装置はさらに、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体を有し、パターニングデバイスは、パターン形成した放射線ビームを形成するために、照明放射線ビームの断面にパターンを与えることができる。 - 特許庁 - The patterning of a photoresist 18, sensitive for UV light of 193 nm, is effected on the hard mask layer 16 so that a first width (CD) feature, on which a highly reliable patterning is effected with the wave length, is defined.
１９３ｎｍのＵＶ光に感光するフォトレジスト１８が、その波長で信頼度の高いパターニングが成された第１の幅（ＣＤ）のフィーチャーを画定するように、ハードマスク層１６の上にパターニングされる。 - 特許庁 - Thus, by increasing the OD by heating or irradiating with light after patterning, a black matrix with higher OD, while maintaining high patterning accuracy, can be obtained.
したがって、パターニング工程後に加熱あるいは光照射等を行って高ＯＤ化させることによって、パターニング精度を高く維持すると共に、高ＯＤ化させたブラックマトリクスを提供することができる。 - 特許庁 - When the epitaxial growth surface of the substrate is covered with the patterning carbon nanotube layers, a portion of the epitaxial growth surface of the substrate is exposed from the two or more voids of the patterning carbon nanotube layers.
前記パターン化カーボンナノチューブ層で前記基板のエピタキシャル成長面を覆う際に、前記基板のエピタキシャル成長面の一部は前記パターン化カーボンナノチューブ層の複数の空隙から露出される。 - 特許庁 - In order to guarantee correct response to each patterning means 11, 12 to the control signal from the computer 10, signal to each patterning means may be adjusted using calibration units 21 and 22.
各パターニング手段１１、１２がコンピュータ１０からの制御信号に正しく反応することを保証するために、較正ユニット２１、２２を使って各パターニング手段への信号を調整してもよい。 - 特許庁 - The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.
薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of improving a uniformity between elements in a patterning device using a mirror array.
ミラーアレイを用いるパターニングデバイスにおいて要素間の均一性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD USING ADVANCED-PATTERNING-FILM IN CAPACITIVELY-COUPLED HIGH-FREQUENCY PLASMA DIELECTRIC ETCHING CHAMBER
容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法 - 特許庁 - The objective multistage structure, that is, a Fresnel lens is then formed by masking, patterning and etching.
この後、マスキング、パターニング、およびエッチングの各手法を用いて、前記構造すなわちレンズが形成される。 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR PATTERNING MASTER DISK FOR NANOIMPRINTING PATTERNED MAGNETIC RECORDING DISK
パターン化された磁気記録ディスクをナノインプリントするためのマスタ・ディスクをパターン化するためのシステム及び方法 - 特許庁 - A substrate or a patterning device used for lithography equipment and a lithography device manufacturing method are presented.
リソグラフィ装置に使用する基板またはパターニングデバイス、およびリソグラフィデバイス製造方法が提示される。 - 特許庁 - To obtain an apparatus and the like of measuring eccentricity of a patterning disk capable of highly accurately measuring eccentricity of a fine recording pattern of the patterning disk and measuring eccentricity of the patterning disk by only small change of a measuring device utilizing a conventional image processing technique without using an expensive and complicated device.
パターニングディスクの記録パターンが微細化しても高精度にその偏芯量の測定が可能であり、かつ高価で複雑な装置を用いなくても従来の画像処理の手法を利用した測定装置の小変更のみでパターニングディスクの偏芯量の測定が可能なパターニングディスクの偏芯測定装置等が得ること。 - 特許庁 - To improve patterning accuracy in forming a polymer luminescent medium layer by a reverse offset printing.
反転オフセット印刷法で高分子発光媒体層を形成する際のパターニング精度を向上させる。 - 特許庁 - The equipment 20 for patterning a functional film comprises a liquid drop ejection head 23, and a laser light irradiation head 24.
機能性膜パターン形成装置２０は、液滴吐出ヘッド２３とレーザ光照射ヘッド２４を備える。 - 特許庁 - The nonreflective structure 1 is manufactured by patterning with lithography or transfer of a shape by a metallic mold.
無反射構造体１は、リソグラフィーによるパターニングや、金型による形状の転写で作製される。 - 特許庁 - A double-patterning process is used to integrate the contact plug 162 and the wiring line 168.
コンタクトプラグ１６２と配線ライン１６８とを一体型に形成するためにダブルパターニング工程を用いる。 - 特許庁 - The elliptical polarizer includes the patterning polarizing layer including two or more regions having directions of different axes of absorption and the patterning retardation layer including two or more regions having directions of different slow axis, the patterning retardation layer containing a polymer having an orientation group at a side chain.
互いに異なる吸収軸の方向を有する領域を2以上含むパターニング偏光層、及び互いに異なる遅相軸の方向を有する領域を2以上含むパターニング位相差層であって側鎖に配向性基を有する高分子を含有するパターニング位相差層を含む楕円偏光板。 - 特許庁 - To provide a method of processing a substrate, by which in double patterning according to LLE, a hydrophobic treatment can be readily conducted on a peripheral portion of the substrate without dissolving or transubstantiating a first resist pattern before execution of a second patterning processing after formation of the first resist pattern in a first patterning processing.
ＬＬＥによるダブルパターニングにおいて、１回目のパターニング処理により１回目のレジストパターンを形成した後、２回目のパターニング処理を行う前に、１回目のレジストパターンを溶解又は変質させずに、基板の周縁部に対して容易に疎水化処理を行うことができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To enable formation of a desired pattern regardless of a density of the pattern when a double patterning method is used.
ダブルパターニング法を用いる場合にパターンの疎密に拘わらず、所望のパターンを形成できるようにする。 - 特許庁 - The patterning sub-system is controlled according to a recorded result of measurement of the level fluctuations of the recorded substrate surface.
パターニングサブシステムは、記録された基板表面のレベル変動の測定結果に従って制御される。 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING HARD-TO-ETCH MATERIAL FILM, AND INK JET HEAD USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD
難エッチング材料膜のパターン形成法、また、その膜を用いたインクジェットヘッドおよびその形成法 - 特許庁 - To protect the channel region of a semiconductor film against radiation damage when patterning by plasma etching.
プラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an illumination system configured to condition a radiation beam and a support constructed to support a patterning device.
リソグラフィ装置は、放射ビームを調整する照明システムと、パターニングデバイスを支持するサポートとを含む。 - 特許庁 - To provide a method of forming a pattern, patterning a resin layer on a plastic base material with good accuracy.
プラスチック基材上に、樹脂層を精度良くパターニングすることができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a self-aligned spacer multiple patterning method which permits the formation of a high-density resist pattern.
高密度レジストパターンの形成を可能にする、自己整合型スペーサー多重パターニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a resist pattern for obtaining a favorable pattern by the double patterning method.
ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Patterning is carried out for forming an opening after an insulating film is formed on a semiconductor substrate.
本発明によると、半導体基板に絶縁膜を形成した後、パターニングしてオープニングを形成する。 - 特許庁 - RESIST LOWER-LAYER COMPOSITION CONTAINING THERMAL ACID GENERATOR, RESIST LOWER LAYER FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS
熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法 - 特許庁 - METHOD FOR PATTERNING CHOLESTERIC FILM AND OPTICAL ELEMENT EQUIPPED WITH CHOLESTERIC FILM PATTERNED WITH THE METHOD
コレステリック膜のパターニング方法及びその方法によりパターニングされたコレステリック膜を備えた光学素子 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING SUBSTRATE BY FEEDING MASK DEFECT DATA FORWARD FOR SUBSEQUENT CORRECTION
後の修正のためにマスク欠陥データをフィードフォワードすることによって基板にパターンを形成する方法 - 特許庁 - Patterning at the 2nd stage determines the end of a gate electrode 39 in an n-channel well region 34.
第２段階目のパターニングによりＮ型ウェル領域３４側のゲート電極３９端が規定される。 - 特許庁
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